Texas Instruments TMUX734xF 8:1和雙通道4:1多路復用器是現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器,采用8:1(單端)和4:1(差分)配置。TMUX734xF在雙電源(±5V至 ±22V)、單電源(8V至44V)或非對稱電源(例如VDD=12V,VSS= –5V)供電時均能正常運行。該器件在通電和斷電情況下均提供過壓保護,非常適合用于無法精確控制電源時序的應(yīng)用。
數(shù)據(jù)手冊:
*附件:MUX734xF-EP數(shù)據(jù)表.pdf
在通電和斷電條件下,該器件可阻斷最高達+60V和-60V的接地故障電壓。沒有電源時,無論開關(guān)輸入條件和邏輯控制狀態(tài)如何,開關(guān)通道均保持關(guān)斷狀態(tài)。
TMUX7348F和TMUX7349F器件具有低電容、低電荷注入和集成式故障保護功能,因此可用于注重高性能和高穩(wěn)健性的前端數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。該器件采用標準薄型小外形尺寸封裝和較小的WQFN封裝(非常適用于PCB空間受限的應(yīng)用)。
TMUX734xF-EP器件采用金鍵合線,工作溫度范圍為-55至+105°C,采用錫鉛引線涂層。
特性
- 集成故障保護:
- 過壓保護(源極到電源或源極到漏極):±85V
- ±60V過壓保護
- ±60V斷電保護
- 可調(diào)過壓觸發(fā)閾值
- V
FP:3V至VDD、VFN0V至VSS
- V
- 中斷標志,指示整體和特定故障通道信息
- 無故障通道在低泄漏電流下繼續(xù)運行
- 在過壓條件下,輸出被鉗位到故障電源
- 寬電源電壓范圍:
- ±5V至±22V雙電源
- 8V至44V單電源
- 器件構(gòu)造可實現(xiàn)閂鎖效應(yīng)抑制
- 支持1.8V邏輯電平
- 失效防護邏輯:高達44V(與電源無關(guān))
- 先斷后合開關(guān)
- 行業(yè)標準TSSOP和較小型WQFN封裝
功能框圖

德州儀器TMUX734xF系列模擬多路復用器技術(shù)解析
一、產(chǎn)品概述
德州儀器(TI)的TMUX734xF系列是具備±60V故障保護的CMOS模擬多路復用器,包含TMUX7348F(8:1單端)和TMUX7349F(雙4:1差分)兩種配置。該系列器件采用2022年3月發(fā)布、2023年7月修訂的設(shè)計方案(SCDS400B),具有可調(diào)故障閾值、抗閂鎖特性及1.8V邏輯兼容性。
二、核心特性
1. 寬電壓工作范圍
- ?雙電源模式?:±5V至±22V
- ?單電源模式?:8V至44V
- ?非對稱電源支持?(如VDD=12V,VSS=-5V)
2. 集成故障保護機制
- ?過壓保護?:源極對電源或漏極±85V
- ?斷電保護?:±60V耐受能力
- ?可調(diào)觸發(fā)閾值?:
- VFP:3V至VDD
- VFN:0V至VSS
- ?故障標志輸出?:提供全局(FF)和通道特定(SF)故障指示
3. 先進工藝特性
- 通過器件結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的抗閂鎖特性
- 1.8V邏輯兼容,支持最高44V的故障安全邏輯
- 先斷后通(break-before-make)切換機制
三、關(guān)鍵參數(shù)指標
1. 電氣特性
- ? 導通電阻(RON) ?:
- ±15V供電時:180Ω(典型值)至390Ω(最大值)
- 平坦度(RFLAT):±15V時僅1.5Ω變化
- ?漏電流?:
- 關(guān)斷狀態(tài):±1nA(25℃)
- 過壓狀態(tài)下:±110μA(±60V輸入時)
2. 時序特性
- ?切換時間?:165ns(EN使能)
- ?故障響應(yīng)時間?:300ns(典型值)
- ?故障恢復時間?:1.4μs(典型值)
3. 封裝選項
- ?TSSOP-20?(PW):6.5×6.4mm
- ?WQFN-20?(RTJ):4×4mm(適合空間受限設(shè)計)
四、典型應(yīng)用場景
- ?工業(yè)自動化?
- PLC模擬輸入模塊
- 伺服驅(qū)動控制
- 工廠自動化控制系統(tǒng)
- ?測試測量設(shè)備?
- 半導體測試機
- 電池測試系統(tǒng)
- 數(shù)據(jù)采集(DAQ)設(shè)備
- ?汽車電子?
五、保護功能詳解
1. 過壓保護機制
當源極電壓超過VFP+0.7V或低于VFN-0.7V時:
- 受影響通道自動斷開(呈現(xiàn)高阻態(tài))
- 若該通道被選中,漏極被40kΩ電阻拉至相應(yīng)故障電源
- FF標志置低,SF標志通過A0-A2編碼指示具體故障通道
2. 斷電保護特性
3. ESD防護
- 所有引腳支持±3.5kV HBM模型
- 采用SOI工藝實現(xiàn)抗閂鎖結(jié)構(gòu)
六、設(shè)計考量
1. 電源設(shè)計建議
- 推薦使用TPS65219配套PMIC
- 每個電源引腳配置0.1-10μF去耦電容
- VDD必須先于VFP上電,VSS先于VFN上電
2. PCB布局要點
- 敏感模擬走線與數(shù)字走線垂直交叉
- 熱焊盤必須連接到GND或VSS
- 信號路徑盡量縮短
3. TVS選型指南
- 擊穿電壓需滿足:
- 大于系統(tǒng)最大工作電壓
- 小于器件絕對最大額定值
- 推薦結(jié)合低值限流電阻使用
七、性能曲線分析
1. 導通電阻特性
- 在±10V信號范圍內(nèi)保持<2%的變化
- 單電源12V時,RON典型值250Ω
2. 頻響特性
- -3dB帶寬:150MHz(TMUX7348F)
- 關(guān)斷隔離度:-82dB@1MHz
3. 失真特性
- THD+N:0.0014%(20Hz-20kHz, ±15V供電)
八、選型對比
| 型號 | 配置 | 導通電阻 | 封裝尺寸 |
|---|---|---|---|
| TMUX7348F | 8:1單端 | 180Ω | 6.5×6.4mm |
| TMUX7349F | 雙4:1差分 | 180Ω | 4×4mm |
-
CMOS
+關(guān)注
關(guān)注
58文章
6233瀏覽量
243407 -
雙通道
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
1206瀏覽量
35457 -
多路復用器
+關(guān)注
關(guān)注
9文章
1065瀏覽量
66838 -
模擬多路復用器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
81瀏覽量
6856
發(fā)布評論請先 登錄
現(xiàn)代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數(shù)據(jù)表
德州儀器TMUX734xF系列模擬多路復用器技術(shù)解析
評論