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德州儀器TPS536C5雙通道多相控制器技術解析與應用指南

科技觀察員 ? 2025-09-08 13:37 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS536C5雙通道多相控制器完全符合AMD SVI3標準,具有雙通道、內(nèi)置非易失性存儲器 (NVM) 和PmBus?接口。TPS536C5與TI NexFET?智能功率級完全兼容。先進的控制功能,包括具有欠沖降低 (USR) 功能的D-CAP+?架構,可提供快速瞬態(tài)響應、低輸出電容和良好的電流分擔。該設備提供動態(tài)相位切除和新穎的相位交錯策略,可在不同負載下提高效率。AMD SVI3還包括可調(diào)節(jié)的VCORE 壓擺率和電壓定位。此外,TI TPS536C5還支持PmBus通信接口,用于向系統(tǒng)報告電壓、電流、功率、溫度和故障情況。為盡量減少外部元件數(shù)量,所有可編程參數(shù)都可通過PmBus接口進行配置,并作為新的默認值存儲在NVM中。

數(shù)據(jù)手冊:*附件:Texas Instruments TPS536C5雙通道多相控制器數(shù)據(jù)手冊.pdf

TPS536C5采用熱增強型48引腳QFN封裝,工作溫度范圍為-40°C至125°C。

特性

  • 4.5 V 到 17 V 的輸入電壓范圍
  • 0.25 V 到 5.5 V 的輸出電壓范圍
  • 雙輸出,支持N+M ≤12個相位,M ≤6個相位
  • 原生跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)拓撲支持
  • 符合 AMD SVI3 要求
  • 增強型D-CAP+?控制,提供卓越的瞬態(tài)性能和出色的動態(tài)電流分擔能力
  • 可編程環(huán)路補償
  • 靈活的相位點火排序
  • 采用可編程電流閾值的動態(tài)缺相功能,可優(yōu)化輕載和重載時的效率
  • 單個相電流校準和報告
  • 快速相位添加,用于瞬態(tài)下沖抑制 (USR)
  • 驅動器配置,實現(xiàn)高效的高頻開關
  • 完全兼容TI NexFET?功率級,用于高密度解決方案
  • 精確可調(diào)電壓定位
  • 獲得專利的AutoBalance?相位電流均衡
  • 可選擇的每相電流限制
  • PmBus?系統(tǒng)接口,用于遙測電壓、電流、功率、溫度和故障情況
  • 6.00mm×6.00mm,48引腳,0.4mm間距,QFN封裝

框圖

1.png

德州儀器TPS536C5雙通道多相控制器技術解析與應用指南?


一、核心特性與產(chǎn)品定位

  1. ?軍工級供電性能?
    • 輸入電壓范圍4.5V-17V,輸出范圍0.25V-5.5V
    • 支持N+M≤12相拓撲(單通道最大6相)
    • 原生TLVR(Trans-Inductor Voltage Regulator)拓撲支持
  2. ?智能控制架構?
    • 集成AMD SVI3接口與PMBus?系統(tǒng)總線
    • D-CAP+?控制架構提供:
      • 230ns級動態(tài)響應速度
      • AutoBalance?專利相位電流平衡技術
      • 可編程輕載/重載相位切換閾值
  3. ?高集成度設計?
    • 6×6mm 48引腳QFN封裝(0.4mm間距)
    • 內(nèi)置非易失性存儲器(NVM)存儲配置參數(shù)

二、關鍵參數(shù)對比

?參數(shù)?通道A通道B
最大相數(shù)配置6相6相
參考電壓精度±0.5%±0.5%
電流檢測誤差±3%±3%
工作溫度范圍-40℃~125℃

三、典型應用設計

1. 服務器VRM供電方案

?拓撲結構?
[12V輸入] → [TPS536C5] → [NexFET?功率級] → [CPU/GPU負載]
?設計要點?:

  • 采用8相+4相非對稱配置
  • PMBus配置參數(shù):
    • 電壓定位斜率:0.5mΩ
    • 相位添加閾值:40A
    • 輕載相位關閉閾值:15A

2. 基站BBU電源管理

  • 利用SVI3接口實現(xiàn):
    • 動態(tài)VCORE電壓調(diào)節(jié)(0.25V-1.8V)
    • 可編程壓擺率(0.5mV/μs-10mV/μs)
  • 布局建議:
    • 相位節(jié)點走線寬度≥15mil
    • 電流檢測走線長度匹配公差±50mil

四、寄存器配置詳解

  1. ?PMBus關鍵指令?
    • OPERATION(01h):通道使能控制
    • VOUT_COMMAND(21h):輸出電壓設定
    • PHASE_CONFIG(D3h):相位數(shù)配置
  2. ?NVM編程流程?
    • 發(fā)送STORE_USER_ALL(15h)指令
    • 等待10ms編程周期
    • 驗證NVM_CRC(F0h)校驗值

五、熱設計與可靠性

  1. ?散熱方案?
    • 裸露焊盤需焊接至4層PCB
    • 建議銅箔面積≥6cm2(2oz銅厚)
    • 滿負載時結溫需<110℃
  2. ?認證標準?
    • 通過IEC 62368-1安規(guī)認證
    • 符合AEC-Q100 Grade 2車規(guī)要求
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