該電源邏輯 8 位可尋址鎖存器控制漏極開路 DMOS 晶體管輸出，專為數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用而設(shè)計(jì)。具體用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解碼器或解復(fù)用器。這是一款多功能器件，能夠作為8個(gè)可尋址鎖存器或一個(gè)具有/DMOS輸出的8線解復(fù)用器運(yùn)行。每個(gè)漏極開路DMOS晶體管都具有獨(dú)立的斬波限流電路，以防止短路時(shí)損壞。

通過控制函數(shù)表中列舉的清除 （CLR） 和啟用 （G） 輸入，可以選擇四種不同的作模式。在可尋址鎖存器模式下，數(shù)據(jù)輸入 （D） 端子上的數(shù)據(jù)被寫入尋址鎖存器。尋址的DMOS晶體管輸出反轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)輸入，所有未尋址的DMOS晶體管輸出仍保持在之前的狀態(tài)。在存儲器模式下，所有DMOS晶體管輸出都保持在之前的狀態(tài)，不受數(shù)據(jù)或地址輸入的影響。為了消除在鎖存器中輸入錯(cuò)誤數(shù)據(jù)的可能性，在地址行更改時(shí)，啟用 G 應(yīng)保持高電平（非活動(dòng)狀態(tài)）。在8線解復(fù)用模式下，尋址輸出相對于D輸入反相，所有其他輸出均為高電平。在清除模式下，所有輸出均為高電平，不受地址和數(shù)據(jù)輸入的影響。
*附件：tpic6a259.pdf

提供單獨(dú)的電源接地 （PGND） 和邏輯接地 （LGND） 端子，以促進(jìn)最大的系統(tǒng)靈活性。所有 PGND 端子均內(nèi)部連接，每個(gè) PGND 端子必須外部連接到電源系統(tǒng)接地，以最大限度地減少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之間的單點(diǎn)連接必須以減少邏輯和負(fù)載電路之間串?dāng)_的方式從外部進(jìn)行。

該TPIC6A259采用耐熱增強(qiáng)型雙列直插式 （NE） 封裝和寬體表面貼裝 （DW） 封裝。該TPIC6A259的特點(diǎn)是在 -40°C 至 125°C 的工作溫度范圍內(nèi)工作。

特性

• 低 r DS（開） . . .1 典型值
• 輸出短路保護(hù)
• 雪崩能源 . . .75 毫焦
• 8個(gè)350 mA DMOS輸出
• 50V 開關(guān)能力
• 四種不同的功能模式
• 低功耗

參數(shù)

?1. 核心功能特性?

• ?器件類型?：功率邏輯8位可尋址鎖存器，控制開漏DMOS晶體管輸出，適用于數(shù)字系統(tǒng)中的通用存儲應(yīng)用（如工作寄存器、串行保持寄存器、解碼器/解復(fù)用器）。
• ?關(guān)鍵參數(shù)?：
  • 低導(dǎo)通電阻（rDS(on)）：1 Ω（典型值）
  • 8路350mA DMOS輸出，支持50V開關(guān)能力
  • 四種工作模式（可尋址鎖存、存儲、8線解復(fù)用、清除）
  • 輸出短路保護(hù)，雪崩能量75mJ

?2. 工作模式詳解?

• ?可尋址鎖存模式?：數(shù)據(jù)輸入（D）寫入被尋址的鎖存器，對應(yīng)輸出反相，其他輸出保持原狀態(tài)。
• ?存儲模式?：所有輸出保持原狀態(tài)，不受數(shù)據(jù)和地址輸入影響。
• ?8線解復(fù)用模式?：被尋址輸出反相于D輸入，其他輸出為高電平。
• ?清除模式?：所有輸出強(qiáng)制為高電平。

?3. 封裝與電氣特性?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • NE（雙列直插，20引腳）
  • DW（寬體表貼，24引腳）
• ?工作溫度范圍?：-40°C至125°C
• ?電氣極限值?：
  • 邏輯電源電壓（VCC）：7V
  • DMOS漏源電壓（VDS）：50V
  • 單脈沖雪崩能量（EAS）：75mJ

?4. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)?

• ?接地分離?：提供獨(dú)立的功率地（PGND）和邏輯地（LGND）引腳，需外部單點(diǎn)連接以減少串?dāng)_。
• ?熱管理?：
  • DW封裝最大功耗1750mW（25°C時(shí)），NE封裝2500mW（25°C時(shí)）。
  • 需限制結(jié)溫與外殼溫差（TJ-TC ≤10°C）。

?5. 典型應(yīng)用與測試數(shù)據(jù)?

• 包含開關(guān)時(shí)間、靜態(tài)導(dǎo)通電阻與溫度關(guān)系曲線（如25°C下tPLH=125ns，rDS(on)=1Ω@350mA）。
• 提供雪崩能量測試電路及反向恢復(fù)電流波形圖。