LM195 是一款快速、單片功率集成電路，具有完全過載 保護。該器件充當(dāng)高增益功率晶體管，在芯片上包含 電流限制、功率限制和熱過載保護使其幾乎不可能 從任何類型的過載中銷毀。

包含熱限制，這是分立設(shè)計中不容易獲得的功能， 提供幾乎絕對的過載保護。功耗過大或不足 散熱會導(dǎo)致熱限制電路關(guān)閉器件，防止過度 加熱。
*附件：lm195qml.pdf

LM195 顯著提高了可靠性并簡化了功耗 電路。在某些保護異常困難的應(yīng)用中，例如開關(guān) 正常功耗較低的穩(wěn)壓器、燈或電磁閥驅(qū)動器，LM195 尤其如此 有利。

LM195 易于使用，只需遵守一些預(yù)防措施。收集器過多 與任何功率晶體管一樣，發(fā)射極電壓會損壞 LM195。當(dāng)設(shè)備用作 具有低源阻抗的發(fā)射極跟隨器，需要串聯(lián)插入一個 5.0K 電阻 與基極引線一起防止可能的發(fā)射極跟隨器振蕩。雖然設(shè)備是 通常作為發(fā)射極跟隨器穩(wěn)定，電阻器消除了出現(xiàn)故障的可能性，而沒有 性能下降。最后，由于它具有良好的高頻響應(yīng)，因此電源旁路是 推薦。

特性

• 內(nèi)部熱限制
• 大于 1.0A 的輸出電流
• 3.0 μA 典型基極電流
• 500 ns 開關(guān)時間
• 2.0V 飽和度
• 底座可驅(qū)動至 40V 而不會損壞
• 直接與 CMOS 或 TTL 接口
• 100% 電老化

參數(shù)

方框圖

?1. 產(chǎn)品概述?
LM195QML是德州儀器（TI）推出的高可靠性單片功率集成電路，集成了過載保護功能，可作為高增益功率晶體管使用。關(guān)鍵特性包括：

• 內(nèi)部熱限制保護
• 輸出電流＞1.0A
• 典型基極電流3.0μA
• 500ns開關(guān)速度
• 2.0V飽和電壓
• 兼容CMOS/TTL直接驅(qū)動
• 100%電老化測試

?2. 核心功能?

• ?三重保護機制?：電流限制、功率限制、熱過載保護，確保器件在極端條件下不被損壞。
• ?熱限制優(yōu)勢?：通過自動關(guān)斷防止過熱，特別適用于開關(guān)穩(wěn)壓器、燈/螺線管驅(qū)動等低功耗場景。
• ?高頻響應(yīng)?：需配合電源旁路電容使用，建議在基極串聯(lián)5.0kΩ電阻以抑制射極跟隨振蕩。

?3. 技術(shù)參數(shù)?

• ?極限工作條件?：
  • 集電極-發(fā)射極電壓：42V
  • 工作溫度范圍：-55°C至+125°C
  • 熱阻（TO封裝）：192°C/W（靜態(tài)空氣）
• ?電氣特性?：
  • 飽和電壓（IC=1A）：≤2V
  • 基極電流（VBE≤42V）：≤5μA
  • 響應(yīng)時間（開關(guān)）：≤1.8μs

?4. 典型應(yīng)用電路?

• 電壓跟隨器
• 1MHz振蕩器
• 正/負電壓穩(wěn)壓器
• 光電隔離開關(guān)
• 6V分流穩(wěn)壓器
• 功率運算放大器

?5. 封裝與質(zhì)量認證?

• ?封裝形式?：TO-5（3引腳）
• ?軍用標(biāo)準(zhǔn)?：符合MIL-STD-883 Method 5005 Group A測試規(guī)范
• ?環(huán)保認證?：RoHS兼容

?6. 設(shè)計注意事項?

• 避免集電極-發(fā)射極過壓
• 高頻應(yīng)用需注意PCB布局與散熱
• 靜電敏感器件，存儲時需短路引腳或使用導(dǎo)電泡沫