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高性能同步降壓電源模塊TPSM63604技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-12 14:24 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPSM63604同步降壓電源模塊是一款高度集成的36V、4A直流/直流解決方案,集成多個功率 MOSFET、一個屏蔽式電感器和多個無源器件,采用增強(qiáng)型HotRod? QFN封裝。該模塊的VIN和VOUT引腳位于封裝的邊角處,可優(yōu)化輸入和輸出電容器在布局中的放置。模塊下方具有四個較大的散熱焊盤,可在制造過程中實現(xiàn)簡單布局和輕松處理。

數(shù)據(jù)手冊;*附件:Texas Instruments TPSM63604同步降壓電源模塊數(shù)據(jù)手冊.pdf

Texas Instruments TPSM63604具有1V到16V的輸出電壓,旨在快速、輕松實現(xiàn)小尺寸PCB的低EMI設(shè)計??傮w解決方案僅需四個外部元件,并且省去了設(shè)計流程中的磁性和補(bǔ)償元件選擇過程。

盡管在設(shè)計上針對空間受限型應(yīng)用中的小尺寸和簡單性, TPSM63604模塊提供了許多特性以實現(xiàn)穩(wěn)健的性能:具有可調(diào)節(jié)輸入電壓UVLO滯后的精密使能,電阻編程開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺速率和擴(kuò)頻選項以改善EMI,集成V CC 、自舉和輸入電容器以提高可靠性和密度,全負(fù)載電流范圍內(nèi)的恒定開關(guān)頻率,以及用于時序、故障保護(hù)和輸出電壓監(jiān)控的PGOOD指示器。

特性

  • 支持功能安全

    • 來輔助功能安全系統(tǒng)設(shè)計的文檔
  • 多功能36 V IN 、4AOUT同步降壓模塊

    • 集成MOSFET、電感器和控制器
    • 可調(diào)節(jié)輸出電壓范圍為:1V至16V
    • 5.0mm × 5.5mm × 4mm超模壓塑料封裝
    • 結(jié)溫范圍:–40°C至125°C
    • 可調(diào)頻率范圍:200kHz至2.2MHz
    • 負(fù)輸出電壓應(yīng)用功能
  • 在整個負(fù)載范圍內(nèi)具有超高效率

    • 95%+峰值效率
    • 用于提升效率的外部偏置選項
    • 關(guān)斷時的靜態(tài)電流為:0.6μA (典型值)
    • 典型壓差:0.5V(4A負(fù)載時)
  • 超低傳導(dǎo)和輻射EMI簽名

    • 具有雙輸入路徑和集成電容器的低噪聲封裝可降低開關(guān)振鈴
    • 電阻器調(diào)節(jié)的開關(guān)節(jié)點(diǎn)壓擺率
    • 符合CISPR 11和32 B類發(fā)射要求
  • 適用于可擴(kuò)展電源

    功能框圖

    1.png

    高性能同步降壓電源模塊TPSM63604技術(shù)解析與應(yīng)用指南

一、產(chǎn)品概述

TPSM63604是Texas Instruments推出的一款高度集成的同步降壓電源模塊,采用創(chuàng)新的Enhanced HotRod? QFN封裝技術(shù),在5.0mm × 5.5mm × 4mm的超小尺寸內(nèi)集成了功率MOSFET、電感和控制器等關(guān)鍵組件。該模塊具有以下突出特點(diǎn):

  • ?寬輸入電壓范圍?:3V至36V工作輸入電壓,可承受高達(dá)42V的瞬態(tài)電壓
  • ?高輸出能力?:可調(diào)輸出1V至16V,最大持續(xù)輸出電流4A
  • ?超高效率?:峰值效率超過95%,支持外部偏置進(jìn)一步優(yōu)化效率
  • ?低EMI設(shè)計?:通過優(yōu)化的封裝布局和可調(diào)開關(guān)節(jié)點(diǎn)斜率實現(xiàn)優(yōu)異的EMI性能
  • ?簡化設(shè)計?:僅需最少4個外部元件,無需考慮磁性元件選型和環(huán)路補(bǔ)償

二、關(guān)鍵特性與技術(shù)分析

2.1 電氣性能參數(shù)

TPSM63604在24V輸入、3.3V輸出、800kHz開關(guān)頻率下的典型電氣特性包括:

  • ?靜態(tài)電流?:工作靜態(tài)電流7μA(典型),關(guān)斷靜態(tài)電流僅0.6μA(典型)
  • ?反饋精度?:全溫度范圍內(nèi)輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度±1%
  • ?保護(hù)功能?:過流保護(hù)閾值5.9A,熱關(guān)斷閾值168°C(典型)
  • ?開關(guān)頻率?:可通過外部電阻在200kHz至2.2MHz范圍內(nèi)編程設(shè)置

2.2 創(chuàng)新功能解析

?1. 可調(diào)開關(guān)節(jié)點(diǎn)斜率控制?
模塊內(nèi)部集成100Ω柵極驅(qū)動電阻,通過RBOOT和CBOOT引腳可靈活調(diào)整開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓上升時間。開放引腳時EMI性能最優(yōu)但效率略低,短接引腳時效率最高但EMI略差,用戶可根據(jù)實際需求選擇合適配置。

?2. 雙電源路徑輸入設(shè)計?
VIN1和VIN2雙輸入引腳配合對稱布局的輸入電容,有效抵消高頻電流產(chǎn)生的磁場,顯著改善EMI性能。建議采用兩個10μF陶瓷電容(1206或1210封裝)就近連接。

?3. 智能功率管理?

  • 精密使能功能(1.263V典型閾值)支持可調(diào)輸入欠壓鎖定(UVLO)
  • 開漏PGOOD信號(94%-107%窗口)便于系統(tǒng)級電源時序管理
  • 支持外部時鐘同步(200kHz-2.2MHz),便于噪聲敏感應(yīng)用

三、典型應(yīng)用設(shè)計

3.1 工業(yè)用高效降壓轉(zhuǎn)換器

?設(shè)計參數(shù)?:

  • 輸入電壓:9V-36V
  • 輸出電壓:5V/4A
  • 開關(guān)頻率:1MHz(通過13kΩ RT電阻設(shè)置)

?關(guān)鍵元件選擇?:

  1. ?反饋電阻?:RFBT=40.2kΩ,RFBB=10kΩ(輸出電壓精度±1%)
  2. ?輸入電容?:2×10μF/50V X7R陶瓷電容(1210封裝)
  3. ?輸出電容?:2×47μF/6.3V陶瓷電容(有效容值約52μF@5V)
  4. ?前饋電容?:22pF(提升相位裕度)

?性能表現(xiàn)?:

  • 效率:24V輸入時典型效率93%
  • 負(fù)載調(diào)整率:0.1A至4A變化時輸出電壓波動僅1mV
  • 通過CISPR 32 Class B傳導(dǎo)和輻射EMI測試

3.2 負(fù)壓輸出的逆變Buck-Boost應(yīng)用

?設(shè)計參數(shù)?:

  • 輸入電壓:9V-24V
  • 輸出電壓:-12V/2A
  • 開關(guān)頻率:2MHz(通過6.34kΩ RT電阻設(shè)置)

?設(shè)計要點(diǎn)?:

  1. 反饋電阻選擇:RFBT=110kΩ,RFBB=10kΩ
  2. 輸入電容需考慮(VIN+|VOUT|)總電壓,推薦3×10μF/50V陶瓷電容
  3. 輸出電容選用2×22μF/25V陶瓷電容(有效容值約16μF@12V)
  4. VLDOIN連接至負(fù)壓輸出端以提高效率

四、PCB布局指南

  1. ?輸入電容布局?:
    • 盡可能靠近VIN1/VIN2引腳放置
    • 采用對稱布局,接地回路使用頂層局部銅皮連接至PGND
    • 底層使用大面積銅皮連接輸入引腳
  2. ?輸出電容布局?:
    • 就近布置在VOUT1/VOUT2引腳旁
    • 同樣采用對稱布局減小EMI
    • 通過多個過孔連接至底層地平面
  3. ?反饋網(wǎng)絡(luò)?:
    • 電阻分壓器盡量靠近FB引腳
    • 保持走線短捷,遠(yuǎn)離噪聲源
    • 上電阻走線應(yīng)連接至實際穩(wěn)壓點(diǎn)
  4. ?熱設(shè)計?:
    • 采用4層板設(shè)計,頂層和底層至少2oz銅厚
    • PGND焊盤下方布置陣列式散熱過孔(建議0.3mm直徑)
    • 內(nèi)層布置完整地平面輔助散熱

五、行業(yè)應(yīng)用場景

  1. ?工業(yè)自動化?:
  2. ?測試測量設(shè)備?:
    • 精密儀器模擬部分供電
    • 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)電源
    • 便攜式測試設(shè)備
  3. ?通信基礎(chǔ)設(shè)施?:
    • 小型基站電源
    • 光模塊供電
    • 分布式天線系統(tǒng)(DAS)
  4. ?特殊拓?fù)鋺?yīng)用?:
    • 逆變Buck-Boost負(fù)壓生成
    • 多路輸出電源系統(tǒng)
    • 電池供電設(shè)備
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