chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

合科泰中低壓MOSFET在數(shù)據(jù)中心DC-DC的應(yīng)用

合科泰半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:合科泰半導(dǎo)體 ? 2025-09-15 15:35 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言

——數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu)的演進(jìn)與48V系統(tǒng)的核心地位

隨著數(shù)據(jù)中心算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng),高效電源架構(gòu)已成為提升整機(jī)柜能效的關(guān)鍵。傳統(tǒng)12V電源架構(gòu)在面對(duì)kW級(jí)服務(wù)器功耗時(shí),大電流傳輸導(dǎo)致的線路損耗和散熱壓力日益凸顯。48V系統(tǒng)通過(guò)"以壓減流"策略,在同等功率下將電流降至12V方案的25%,基于功耗關(guān)系,線路損耗可降低約94%,為高密度算力場(chǎng)景提供低損耗、長(zhǎng)距離的供電解決方案。

圖騰柱PFC+LLC拓?fù)?/p>

1.PFC與LLC電路的MOSFET特性要求

在圖騰柱PFC電路中,MOSFET需滿足三大核心要求:雪崩能量能力(應(yīng)對(duì)啟動(dòng)沖擊電流)、高頻開(kāi)關(guān)性能(降低切換損耗)和低導(dǎo)通電阻(減少持續(xù)導(dǎo)通損耗)。選型表中650V 70mΩ型號(hào)適合高功率場(chǎng)景,而99mΩ型號(hào)則在中低功率場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)成本優(yōu)化。

LLC諧振電路通過(guò)軟開(kāi)關(guān)機(jī)制降低損耗,對(duì)次級(jí)MOSFET的體內(nèi)二極管特性提出嚴(yán)苛要求:低反向恢復(fù)電荷(Qrr)減少開(kāi)關(guān)損耗,高di/dt能力提升電路可靠性。48V輸出場(chǎng)景中,同步整流MOSFET需同時(shí)滿足高頻開(kāi)關(guān)下的低導(dǎo)通電阻與快速恢復(fù)特性,形成"低損耗+高魯棒性"的雙重技術(shù)要求。

2752fb38-8fb7-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

2.48V次級(jí)全橋整流拓?fù)涞膬?yōu)勢(shì)

48V系統(tǒng)采用全橋同步整流拓?fù)洌ㄟ^(guò)四只MOSFET組成橋式結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙向電流整流,相較12V中心抽頭方案具有顯著優(yōu)勢(shì):?jiǎn)喂茈娏鲬?yīng)力降低50%,無(wú)需對(duì)稱次級(jí)繞組,功率密度提升30%以上。紅色框標(biāo)注的同步整流MOSFET工作于高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài),其性能直接決定系統(tǒng)能效。

27de27b2-8fb7-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

選型指南與SGT技術(shù)優(yōu)勢(shì)

1.150V系列產(chǎn)品選型參數(shù)

基于48V輸出需求,次級(jí)同步整流MOSFET需選擇150V耐壓等級(jí)(預(yù)留3倍以上安全余量)。選型表中采用TO-263封裝,提供-多檔導(dǎo)通電阻選擇:

289fc214-8fb7-11f0-8c8f-92fbcf53809c.png

2.SGT技術(shù)的能效突破

SGT(溝槽柵)MOSFET通過(guò)三維柵極結(jié)構(gòu)提升溝道密度,實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通電阻降低30%以上。以150V 3.8mΩ型號(hào)為例,較傳統(tǒng)平面柵MOSFET減少導(dǎo)通損耗24%,在48V/40A工況下年節(jié)電可達(dá)16.8度。其低柵極電荷特性支持2MHz以上開(kāi)關(guān)頻率,助力電源模塊功率密度突破100W/cm3。

SGT MOS核心優(yōu)勢(shì)

導(dǎo)通電阻低至3.8mΩ

柵極電荷減少,適應(yīng)高頻化設(shè)計(jì)趨勢(shì)

TO220/TO263封裝優(yōu)化散熱路徑,可靠性提升

應(yīng)用價(jià)值與技術(shù)趨勢(shì)

中低壓MOSFET通過(guò)三大維度支撐數(shù)據(jù)中心電源升級(jí):提升DC-DC轉(zhuǎn)換效率、減少散熱系統(tǒng)成本、提高功率密度。

結(jié)語(yǔ)

中低壓MOSFET作為48V隔離DC-DC次級(jí)的核心器件,通過(guò)低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性和高可靠性三大優(yōu)勢(shì),為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)提供"能效-密度-成本"的最優(yōu)解?;谶x型表的科學(xué)選型配合全橋同步整流拓?fù)洌蓪?shí)現(xiàn)電源模塊效率提升2-3%、體積縮小40%,成為支撐高密度算力場(chǎng)景的關(guān)鍵技術(shù)基石。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應(yīng)品類:覆蓋半導(dǎo)體封裝材料、電阻/電容/電感等被動(dòng)元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他,一站式配齊研發(fā)與生產(chǎn)所需。

兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬(wàn)㎡+南充3.5萬(wàn)㎡)配備共3000多臺(tái)先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。

提供封裝測(cè)試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9076

    瀏覽量

    225821
  • DC-DC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    30

    文章

    2405

    瀏覽量

    85443
  • 數(shù)據(jù)中心
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    5417

    瀏覽量

    74309

原文標(biāo)題:好禮相送 | 中低壓MOSFET在數(shù)據(jù)中心DC-DC次級(jí)應(yīng)用詳細(xì)解析方案

文章出處:【微信號(hào):合科泰半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):合科泰半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    DC-DC 和LDO 簡(jiǎn)單介紹

    限制了其只能實(shí)現(xiàn)降壓功能,因此它無(wú)法完成升壓操作。 DC-DC: BUCK/BOOST型DC-DC既可用于降壓,也可用于升壓. LDO參考設(shè)計(jì)電路: DC-DC,BUCK/BOOST型參考設(shè)計(jì)電路
    發(fā)表于 06-03 14:53

    DC-DC Boost電路外圍元器件如何選擇?

    升壓穩(wěn)壓器特點(diǎn): 為滿足低壓應(yīng)用中的某些特定的較高電壓需求,升壓DC-DC穩(wěn)壓器將低輸入電壓轉(zhuǎn)換為高輸出電壓,典型電路組成包括:電感器、功率MOSFET、整流二極管、控制IC、輸入和輸出電容器
    發(fā)表于 06-04 06:51

    全橋DC-DC開(kāi)關(guān)電源參考設(shè)計(jì)

    DC-DC開(kāi)關(guān)電源電路特性:· 輸入和輸出電壓感應(yīng)提供欠壓和過(guò)壓保護(hù),變壓器初級(jí)電流感應(yīng)提供過(guò)載和短路保護(hù)。· 全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)主全橋MOSFET,半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器
    發(fā)表于 05-23 15:09

    螺旋線圈輸出電感在低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

    `螺旋線圈輸出電感在低壓大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用`
    發(fā)表于 08-20 15:57

    SiC MOSFET DC-DC電源

    `請(qǐng)問(wèn):圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西?芯片屏蔽罩嗎?為什么加這個(gè)東西?抗干擾或散熱嗎?這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源,小弟新手。。`
    發(fā)表于 11-09 11:21

    【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器

    項(xiàng)目名稱:基于Sic MOSFET的直流微網(wǎng)雙向DC-DC變換器試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域(數(shù)字電源)有五年多的開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),熟悉BUCK、BOOST、移相全橋、LLC和全橋逆變等電路拓?fù)?。?/div>
    發(fā)表于 04-24 18:08

    LDO和DC-DC電路相關(guān)資料分享

    LDO和DC-DC電路LDO:Low Dropout Regulator,低壓差線性穩(wěn)壓器,用于將大的直流電壓轉(zhuǎn)換成小的直流電壓;DC-DC:可以將大電壓轉(zhuǎn)成小電壓,也可以將小電壓轉(zhuǎn)成大電壓。...
    發(fā)表于 11-17 07:06

    什么是DC-DC

    一、什么是DC-DC通常來(lái)講DC-DC轉(zhuǎn)換器包括升壓、降壓、升/降壓和反相等電路。其優(yōu)點(diǎn)是效率高、可以輸出大電流、靜態(tài)電流小。隨著集成度的提高,許多新型DC-DC轉(zhuǎn)換器僅需要幾只外接電感器和濾波
    發(fā)表于 11-17 06:42

    ADP1828低壓DC-DC開(kāi)關(guān)電源

    ADP1828低壓DC-DC開(kāi)關(guān)電源
    發(fā)表于 05-18 14:38 ?12次下載
    ADP1828<b class='flag-5'>低壓</b><b class='flag-5'>DC-DC</b>開(kāi)關(guān)電源

    半橋DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案降低數(shù)據(jù)中心功耗

    為了控制電源,數(shù)據(jù)中心已開(kāi)始廣泛采用基于48V總線電壓的新型機(jī)架架構(gòu)。學(xué)習(xí)如何設(shè)計(jì)半橋DC-DC轉(zhuǎn)換器以實(shí)現(xiàn)這種48V系統(tǒng)。
    發(fā)表于 04-08 10:14 ?1508次閱讀

    中低壓母線槽測(cè)溫系統(tǒng)在數(shù)據(jù)中心機(jī)房的應(yīng)用研究

    安科瑞徐赟杰18706165067 摘要: 基于大數(shù)據(jù)時(shí)代數(shù)據(jù)中心機(jī)房更新擴(kuò)建常態(tài)化,母線槽將逐漸代替電纜成為機(jī)柜配電的主流。 關(guān)鍵詞: 母線槽;電纜:大數(shù)據(jù);數(shù)據(jù)中心機(jī)房 1.
    的頭像 發(fā)表于 01-16 14:48 ?656次閱讀
    <b class='flag-5'>中低壓</b>母線槽測(cè)溫系統(tǒng)<b class='flag-5'>在數(shù)據(jù)中心</b>機(jī)房的應(yīng)用研究

    電源澄清:發(fā)電機(jī)組在數(shù)據(jù)中心為備用電源

    電源近日發(fā)布了股票交易異動(dòng)公告,對(duì)市場(chǎng)關(guān)于算力概念和數(shù)據(jù)中心電源板塊的關(guān)注度作出回應(yīng)。公告指出,電源的主營(yíng)業(yè)務(wù)一直是發(fā)電機(jī)組產(chǎn)品的生
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:22 ?746次閱讀

    MOS管在低功耗DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用

    隨著便攜電子設(shè)備、智能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端等設(shè)備的普及,對(duì)電源的需要也越來(lái)越普遍,而影響電源效率的低功耗DC轉(zhuǎn)換器成為了重點(diǎn)。生產(chǎn)的MOS管為高效電源提供了應(yīng)用方案,以此提升設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 06-18 13:44 ?515次閱讀

    MOSFET SI2301的核心優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景

    SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET,專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:06 ?699次閱讀

    高壓與中低壓MOSFET技術(shù)解析

    產(chǎn)品的生命周期。的高壓和中低壓 MOS 管產(chǎn)品矩陣,能夠精準(zhǔn)覆蓋不同的場(chǎng)景,本文可以為工程師提供器件的完整決策框架。
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:02 ?713次閱讀