關(guān)于半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)的介紹（一）
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
336文章
29564瀏覽量
252004 -
NXP
+關(guān)注
關(guān)注
61文章
1369瀏覽量
191934 -
RF
+關(guān)注
關(guān)注
65文章
3189瀏覽量
170340
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的
發(fā)表于 09-15 14:50
TGV技術(shù)：推動半導(dǎo)體封裝創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展，芯片制造技術(shù)不斷向著更高的集成度、更小的尺寸和更高的性能邁進(jìn)。在這一過程中，封裝技術(shù)的創(chuàng)新成為了推動芯片性能提升的關(guān)鍵
功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用
結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體器件的基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，建立起一系列不同層次的、復(fù)雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導(dǎo)體器件各級模
發(fā)表于 07-11 14:49
從原理到應(yīng)用，一文讀懂半導(dǎo)體溫控技術(shù)的奧秘
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場景中得到應(yīng)用。那么
發(fā)表于 06-25 14:44
半導(dǎo)體廠房設(shè)計(jì)建造流程、方案和技術(shù)要點(diǎn)
半導(dǎo)體廠房的設(shè)計(jì)建造是一項(xiàng)高度復(fù)雜、專業(yè)性極強(qiáng)的系統(tǒng)工程，涉及潔凈室、微振動控制、電磁屏蔽、特殊氣體/化學(xué)品管理等關(guān)鍵技術(shù)。
半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹
ICP（Inductively Coupled Plasma，電感耦合等離子體）刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝，廣泛應(yīng)用于先進(jìn)集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以
電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能關(guān)鍵技術(shù)及展望
節(jié)約能源既是我國經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展的一項(xiàng)長遠(yuǎn)戰(zhàn)略和基本國策,也是當(dāng)前的緊迫任務(wù)。論文在深入分析國內(nèi)外電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能現(xiàn)狀和介紹先進(jìn)的節(jié)能關(guān)鍵技術(shù)的基礎(chǔ)上,指出了現(xiàn)階段我國在電機(jī)系統(tǒng)節(jié)能方面存在的問題,并結(jié)合
發(fā)表于 04-30 00:43
半導(dǎo)體boe刻蝕技術(shù)介紹
泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點(diǎn)及發(fā)展趨勢的詳細(xì)介紹： 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸（HF）和氟化銨（NH?F）為基礎(chǔ)的
最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料，涵蓋晶圓工藝到后端封測
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)
發(fā)表于 04-15 13:52
揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)
功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電力電子、電動汽車、可再生能源等。功率半導(dǎo)體器件的封裝材料作為連接芯片與外部
SOA關(guān)鍵技術(shù)專利分析（一）
與 SOA 相關(guān)的研究都集中在技術(shù)討論或市場研究上，但未能指出關(guān)鍵的 SOA 技術(shù)和 SOA 技術(shù)的發(fā)展趨勢。因此，本研究對 SOA 專利進(jìn)行了分析，并構(gòu)建了 SOA 專利的
云計(jì)算HPC軟件關(guān)鍵技術(shù)
云計(jì)算HPC軟件關(guān)鍵技術(shù)涉及系統(tǒng)架構(gòu)、處理器技術(shù)、操作系統(tǒng)、計(jì)算加速、網(wǎng)絡(luò)技術(shù)以及軟件優(yōu)化等多個方面。下面，AI部落小編帶您探討云計(jì)算HPC軟件的關(guān)鍵技術(shù)。
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
非平穩(wěn)工況下的大量投用，可靠性問題日益突出，功率半導(dǎo)體器件的性能表征成為行業(yè)的研究熱點(diǎn)。一、功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借
功率半導(dǎo)體性能表征的關(guān)鍵技術(shù)研究與應(yīng)用分析
多重非平穩(wěn)工況下的大量投用，可靠性問題日益突出，功率半導(dǎo)體器件的性能表征成為行業(yè)的研究熱點(diǎn)。 ? 一、功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀 隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率
發(fā)表于 11-12 15:43
?695次閱讀
高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)研究
高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色，其關(guān)鍵技術(shù)的研究與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論