Texas Instruments TPS7A13EVM-057穩(wěn)壓器評(píng)估模塊 (EVM) 幫助設(shè)計(jì)工程師評(píng)估TPS7A13線性穩(wěn)壓器在工程師的電路應(yīng)用中的運(yùn)行情況和性能。Texas Instruments TPS7A13EVM-057的配置包含一個(gè)低噪聲、小尺寸、線性穩(wěn)壓器，適用于各種應(yīng)用。該穩(wěn)壓器可提供高達(dá)300mA負(fù)載電流，具有低VIN至V OUT 壓差。為穩(wěn)定起見(jiàn)，使用1μF (或更大）最小降額輸出電容。增加了高性能負(fù)載瞬變電路，可改善低壓差 (LOD) 穩(wěn)壓器的測(cè)量能力。

數(shù)據(jù)手冊(cè)：*附件：Texas Instruments TPS7A13EVM-057穩(wěn)壓器評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

• 超低輸入電壓范圍：0.6 V至2.2 V
• 在整個(gè)負(fù)載、線路和溫度范圍內(nèi)的精度為1%
• 高電源抑制比 (PSRR)：80dB（1kHz時(shí)）（VOUT =0.8V，IOUT =500mA）
• 提供固定輸出電壓：0.5 V至2.05 V（每檔25 mV）
• VBIAS 范圍：2.2V或VOUT +1.4 V（較大值）至5.5V
• 有源輸出放電

板布局

?德州儀器TPS7A13 LDO評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?

?一、產(chǎn)品概述?

德州儀器（TI）的?TPS7A13EVM-057評(píng)估模塊?是一款專為工程師設(shè)計(jì)的參考平臺(tái)，用于快速驗(yàn)證? TPS7A13低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO） ?的性能。該模塊支持輸入電壓范圍至2.2V，輸出電流高達(dá)300mA，并集成可選負(fù)載瞬態(tài)電路，適用于電源管理、便攜式設(shè)備及低噪聲系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)評(píng)估。

?二、核心特性與優(yōu)勢(shì)?

1. ?超低靜態(tài)電流與壓差?
   TPS7A13在滿載時(shí)壓差僅需數(shù)十毫伏，靜態(tài)電流低至微安級(jí)，適合電池供電場(chǎng)景。
2. ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?
   模塊內(nèi)置負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試電路（支持1mA→300mA階躍），響應(yīng)時(shí)間＜1ms，配合可調(diào)電阻（R8/R9）可自定義負(fù)載斜率（30ns~9.6μs）。
3. ?高集成度設(shè)計(jì)?
   • 默認(rèn)配置2.2μF輸入/輸出電容，預(yù)留擴(kuò)展焊盤支持額外容值測(cè)試。
   • 提供EN使能引腳（支持0V~5.5V外部控制），可通過(guò)跳線（J7）或外部信號(hào)切換工作狀態(tài)。

?三、硬件設(shè)計(jì)詳解?

?1. 接口功能?

• ?電源接口?
  • ?VIN/GND?：主輸入供電（最大2.2V）。
  • ?BIAS/GND?：偏置電壓輸入（支持5.5V）。
  • ?VOUT/GND?：穩(wěn)壓輸出（0.9V默認(rèn)，最大2.05V）。
• ?負(fù)載瞬態(tài)電路接口?
  • ?J18?：函數(shù)發(fā)生器輸入（50Ω匹配電阻R13）。
  • ?J19/J22?：高頻開(kāi)爾文連接點(diǎn)，精確測(cè)量MOSFET壓降。

?2. 關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)?

• ?電流檢測(cè)路徑?
  通過(guò)J10或外部香蕉接口（J4/J12）接入電流探頭（如LeCroy? AP015），需注意探頭接地隔離（建議使用Kapton?膠帶）。
• ?布局優(yōu)化?
  四層PCB設(shè)計(jì)（見(jiàn)圖4-1~4-6），頂層與底層覆銅降低寄生電感，敏感信號(hào)路徑采用開(kāi)爾文走線。

?四、典型測(cè)試案例?

?案例1：?jiǎn)C(jī)時(shí)序測(cè)試?

• ?步驟?：通過(guò)TP1（EN）施加使能信號(hào)（0V→5V），監(jiān)測(cè)VOUT上升時(shí)間（典型值見(jiàn)圖3-1）。
• ?結(jié)果?：輸出無(wú)過(guò)沖，建立時(shí)間＜100μs。

?案例2：負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試?

• ?配置?：R8=2.49kΩ、R9=2kΩ（1A/μs斜率），輸出電容1μF。
• ?波形?（圖3-3/3-4）：
  • 1mA→300mA階躍：跌落幅度≤50mV，恢復(fù)時(shí)間＜200μs。
  • 反向階躍：無(wú)振蕩，穩(wěn)定性優(yōu)異。

?五、應(yīng)用建議?

1. ?散熱管理?
   長(zhǎng)時(shí)間滿載運(yùn)行時(shí)，需監(jiān)控LDO（U1）、MOSFET（Q1）及脈沖電阻（R2-R6）溫升。
2. ?擴(kuò)展配置?
   • 增加輸入/輸出電容（通過(guò)預(yù)留焊盤）以優(yōu)化紋波。
   • 通過(guò)J15/J16外接阻尼電路或額外負(fù)載，測(cè)試復(fù)雜工況下的穩(wěn)定性。