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?德州儀器TPS7A13 LDO評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-09-22 10:50 ? 次閱讀
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Texas Instruments TPS7A13EVM-057穩(wěn)壓器評(píng)估模塊 (EVM) 幫助設(shè)計(jì)工程師評(píng)估TPS7A13線性穩(wěn)壓器在工程師的電路應(yīng)用中的運(yùn)行情況和性能。Texas Instruments TPS7A13EVM-057的配置包含一個(gè)低噪聲、小尺寸、線性穩(wěn)壓器,適用于各種應(yīng)用。該穩(wěn)壓器可提供高達(dá)300mA負(fù)載電流,具有低VIN至V OUT 壓差。為穩(wěn)定起見,使用1μF (或更大)最小降額輸出電容。增加了高性能負(fù)載瞬變電路,可改善低壓差 (LOD) 穩(wěn)壓器的測(cè)量能力。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Texas Instruments TPS7A13EVM-057穩(wěn)壓器評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf

特性

  • 超低輸入電壓范圍:0.6 V至2.2 V
  • 在整個(gè)負(fù)載、線路和溫度范圍內(nèi)的精度為1%
  • 高電源抑制比 (PSRR):80dB(1kHz時(shí))(VOUT =0.8V,IOUT =500mA)
  • 提供固定輸出電壓:0.5 V至2.05 V(每檔25 mV)
  • VBIAS 范圍:2.2V或VOUT +1.4 V(較大值)至5.5V
  • 有源輸出放電

板布局

1.png

?德州儀器TPS7A13 LDO評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南?


?一、產(chǎn)品概述?

德州儀器(TI)的?TPS7A13EVM-057評(píng)估模塊?是一款專為工程師設(shè)計(jì)的參考平臺(tái),用于快速驗(yàn)證? TPS7A13低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO) ?的性能。該模塊支持輸入電壓范圍至2.2V,輸出電流高達(dá)300mA,并集成可選負(fù)載瞬態(tài)電路,適用于電源管理、便攜式設(shè)備及低噪聲系統(tǒng)的開發(fā)評(píng)估。


?二、核心特性與優(yōu)勢(shì)?

  1. ?超低靜態(tài)電流與壓差?
    TPS7A13在滿載時(shí)壓差僅需數(shù)十毫伏,靜態(tài)電流低至微安級(jí),適合電池供電場(chǎng)景。
  2. ?快速瞬態(tài)響應(yīng)?
    模塊內(nèi)置負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試電路(支持1mA→300mA階躍),響應(yīng)時(shí)間<1ms,配合可調(diào)電阻(R8/R9)可自定義負(fù)載斜率(30ns~9.6μs)。
  3. ?高集成度設(shè)計(jì)?
    • 默認(rèn)配置2.2μF輸入/輸出電容,預(yù)留擴(kuò)展焊盤支持額外容值測(cè)試。
    • 提供EN使能引腳(支持0V~5.5V外部控制),可通過跳線(J7)或外部信號(hào)切換工作狀態(tài)。

?三、硬件設(shè)計(jì)詳解?

?1. 接口功能?

  • ?電源接口?
    • ?VIN/GND?:主輸入供電(最大2.2V)。
    • ?BIAS/GND?:偏置電壓輸入(支持5.5V)。
    • ?VOUT/GND?:穩(wěn)壓輸出(0.9V默認(rèn),最大2.05V)。
  • ?負(fù)載瞬態(tài)電路接口?
    • ?J18?:函數(shù)發(fā)生器輸入(50Ω匹配電阻R13)。
    • ?J19/J22?:高頻開爾文連接點(diǎn),精確測(cè)量MOSFET壓降。

?2. 關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)?

  • ?電流檢測(cè)路徑?
    通過J10或外部香蕉接口(J4/J12)接入電流探頭(如LeCroy? AP015),需注意探頭接地隔離(建議使用Kapton?膠帶)。
  • ?布局優(yōu)化?
    四層PCB設(shè)計(jì)(見圖4-1~4-6),頂層與底層覆銅降低寄生電感,敏感信號(hào)路徑采用開爾文走線。

?四、典型測(cè)試案例?

?案例1:?jiǎn)C(jī)時(shí)序測(cè)試?

  • ?步驟?:通過TP1(EN)施加使能信號(hào)(0V→5V),監(jiān)測(cè)VOUT上升時(shí)間(典型值見圖3-1)。
  • ?結(jié)果?:輸出無過沖,建立時(shí)間<100μs。

?案例2:負(fù)載瞬態(tài)測(cè)試?

  • ?配置?:R8=2.49kΩ、R9=2kΩ(1A/μs斜率),輸出電容1μF。
  • ?波形?(圖3-3/3-4):
    • 1mA→300mA階躍:跌落幅度≤50mV,恢復(fù)時(shí)間<200μs。
    • 反向階躍:無振蕩,穩(wěn)定性優(yōu)異。

?五、應(yīng)用建議?

  1. ?散熱管理?
    長(zhǎng)時(shí)間滿載運(yùn)行時(shí),需監(jiān)控LDO(U1)、MOSFET(Q1)及脈沖電阻(R2-R6)溫升。
  2. ?擴(kuò)展配置?
    • 增加輸入/輸出電容(通過預(yù)留焊盤)以優(yōu)化紋波。
    • 通過J15/J16外接阻尼電路或額外負(fù)載,測(cè)試復(fù)雜工況下的穩(wěn)定性。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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