該13位至26位寄存器緩沖器設計用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS復位（RESET）輸入外，所有輸入均為SSTL_2。所有輸出均SSTL_2，II 類兼容。

SN74SSTV16859采用差分時鐘（CLK和CLK）工作。數據在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉點處記錄。
*附件：sn74sstv16859.pdf

該器件支持低功耗待機作。當RESET為低電平時，差分輸入接收器被禁用，未驅動（浮動）數據、時鐘和基準電壓（V 裁判 ） 輸入。此外，當RESET為低電平時，所有寄存器都復位，所有輸出都強制為低電平。LVCMOS RESET輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

為確保在提供穩(wěn)定時鐘之前從寄存器獲得定義的輸出，RESET在上電期間必須保持低電平狀態(tài)。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus? 系列成員
• 1 對 2 輸出，支持堆疊式 DDR DIMM
• 支持SSTL_2數據輸入
• 輸出符合 SSTL_2 類 II 規(guī)范
• 差分時鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持 RESET 輸入上的 LVCMOS 開關電平
• RESET輸入禁用差分輸入接收器，復位所有寄存器，并強制所有輸出為低電平
• 引腳排列優(yōu)化了 DIMM PCB 布局
• 閂鎖性能超過 100 mA，符合 JESD 78，II 類標準
• ESD 保護超過 JESD 22
  • 2000-V 人體模型 （A114-A）
  • 200V 機器型號 （A115-A）

參數

?1. 產品概述?

• ?型號?：SN74SSTV16859，德州儀器（TI）Widebus?系列成員。
• ?功能?：13位至26位注冊緩沖器，支持堆疊DDR DIMMs的1-to-2輸出。
• ?關鍵特性?：
  • 支持SSTL_2數據輸入/輸出（Class II兼容）。
  • 差分時鐘輸入（CLK/CLK），LVCMOS復位（RESET）輸入。
  • RESET低電平時禁用差分接收器、復位寄存器并強制輸出低電平。
  • 工作電壓：2.3V至2.7V（VCC）。

?2. 電氣特性?

• ?輸入/輸出標準?：
  • 數據輸入：SSTL_2（VREF參考電壓）。
  • RESET輸入：LVCMOS電平（需保持有效邏輯高/低，禁止懸空）。
• ?性能參數?：
  • 最大時鐘頻率：200 MHz。
  • 傳播延遲（CLK→Q）：最大2.8 ns。
  • 靜態(tài)/動態(tài)功耗：待機電流10 μA，動態(tài)操作電流40 mA（全負載）。

?3. 封裝與訂購信息?

• ?封裝選項?：
  • TSSOP（DGG，64引腳）和QFN（RGQ，56引腳）。
  • 環(huán)保選項：無鉛（Matte-Tin）或錫鉛（Tin-Pb）鍍層。
• ?訂購型號示例?：
  • SN74SSTV16859DGGR（TSSOP封裝，卷帶包裝）。

?4. 應用注意事項?

• ?復位要求?：上電期間RESET需保持低電平以確保輸出穩(wěn)定。
• ?布局優(yōu)化?：引腳排列針對DIMM PCB布局優(yōu)化。
• ?ESD保護?：符合JESD 22標準（2000V人體模型）。