該13位至26位寄存器緩沖器設(shè)計(jì)用于2.3V至2.7V VCC操作。

除LVCMOS復(fù)位（RESET）輸入外，所有輸入均為SSTL_2。所有輸出均SSTL_2，II 類(lèi)兼容。

SN74SSTV16859采用差分時(shí)鐘（CLK和CLK）工作。數(shù)據(jù)在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉點(diǎn)處記錄。
*附件：sn74sstv16859.pdf

該器件支持低功耗待機(jī)作。當(dāng)RESET為低電平時(shí)，差分輸入接收器被禁用，未驅(qū)動(dòng)（浮動(dòng)）數(shù)據(jù)、時(shí)鐘和基準(zhǔn)電壓（V 裁判 ） 輸入。此外，當(dāng)RESET為低電平時(shí)，所有寄存器都復(fù)位，所有輸出都強(qiáng)制為低電平。LVCMOS RESET輸入必須始終保持在有效的邏輯高電平或低電平。

為確保在提供穩(wěn)定時(shí)鐘之前從寄存器獲得定義的輸出，RESET在上電期間必須保持低電平狀態(tài)。

特性

• 德州儀器 （TI） Widebus? 系列成員
• 1 對(duì) 2 輸出，支持堆疊式 DDR DIMM
• 支持SSTL_2數(shù)據(jù)輸入
• 輸出符合 SSTL_2 類(lèi) II 規(guī)范
• 差分時(shí)鐘（CLK和CLK）輸入
• 支持 RESET 輸入上的 LVCMOS 開(kāi)關(guān)電平
• RESET輸入禁用差分輸入接收器，復(fù)位所有寄存器，并強(qiáng)制所有輸出為低電平
• 引腳排列優(yōu)化了 DIMM PCB 布局
• 閂鎖性能超過(guò) 100 mA，符合 JESD 78，II 類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)
• ESD 保護(hù)超過(guò) JESD 22
  • 2000-V 人體模型 （A114-A）
  • 200V 機(jī)器型號(hào) （A115-A）

參數(shù)

?1. 產(chǎn)品概述?

• ?型號(hào)?：SN74SSTV16859，德州儀器（TI）Widebus?系列成員。
• ?功能?：13位至26位注冊(cè)緩沖器，支持堆疊DDR DIMMs的1-to-2輸出。
• ?關(guān)鍵特性?：
  • 支持SSTL_2數(shù)據(jù)輸入/輸出（Class II兼容）。
  • 差分時(shí)鐘輸入（CLK/CLK），LVCMOS復(fù)位（RESET）輸入。
  • RESET低電平時(shí)禁用差分接收器、復(fù)位寄存器并強(qiáng)制輸出低電平。
  • 工作電壓：2.3V至2.7V（VCC）。

?2. 電氣特性?

• ?輸入/輸出標(biāo)準(zhǔn)?：
  • 數(shù)據(jù)輸入：SSTL_2（VREF參考電壓）。
  • RESET輸入：LVCMOS電平（需保持有效邏輯高/低，禁止懸空）。
• ?性能參數(shù)?：
  • 最大時(shí)鐘頻率：200 MHz。
  • 傳播延遲（CLK→Q）：最大2.8 ns。
  • 靜態(tài)/動(dòng)態(tài)功耗：待機(jī)電流10 μA，動(dòng)態(tài)操作電流40 mA（全負(fù)載）。

?3. 封裝與訂購(gòu)信息?

• ?封裝選項(xiàng)?：
  • TSSOP（DGG，64引腳）和QFN（RGQ，56引腳）。
  • 環(huán)保選項(xiàng)：無(wú)鉛（Matte-Tin）或錫鉛（Tin-Pb）鍍層。
• ?訂購(gòu)型號(hào)示例?：
  • SN74SSTV16859DGGR（TSSOP封裝，卷帶包裝）。

?4. 應(yīng)用注意事項(xiàng)?

• ?復(fù)位要求?：上電期間RESET需保持低電平以確保輸出穩(wěn)定。
• ?布局優(yōu)化?：引腳排列針對(duì)DIMM PCB布局優(yōu)化。
• ?ESD保護(hù)?：符合JESD 22標(biāo)準(zhǔn)（2000V人體模型）。