一、應(yīng)用場景背景
開關(guān)電源是電子設(shè)備的核心部件,其穩(wěn)定性與可靠性直接影響設(shè)備的整體性能。在開關(guān)電源的研發(fā)和調(diào)試過程中,MOS管作為關(guān)鍵的功率器件,其漏源電壓(Vds)和柵源電壓(Vgs)的動態(tài)特性是重要的測試指標(biāo)。Vds在開關(guān)過程中會產(chǎn)生高壓脈沖,通常在數(shù)百伏至1500V之間,而Vgs則是低壓驅(qū)動信號,約為10-20V。這兩種信號均為差分信號,且需要在浮地環(huán)境中進(jìn)行測量。傳統(tǒng)的單端探頭由于接地限制,無法滿足浮地測試需求,而低壓探頭又難以承受高壓沖擊。PKDV5151高壓差分探頭憑借其精確的高壓測量能力和浮地特性,成為這一應(yīng)用場景的理想選擇。
二、PKDV5151探頭適配優(yōu)勢v
1.量程與精度匹配
PKDV5151支持50X/500X雙量程切換。在500X量程下,最大輸入差分電壓可達(dá)±1500V,能夠覆蓋開關(guān)電源MOS管Vds的高壓范圍;50X量程則適用于Vgs的低壓測量。其±2%的精度能夠準(zhǔn)確捕捉電壓波形的細(xì)節(jié),如尖峰和振蕩。
2.高頻響應(yīng)能力
該探頭具有100MHz的帶寬和≤3.5ns的上升時間,能夠精確還原MOS管在開關(guān)瞬間(納秒級)的電壓變化,避免高頻信號失真,滿足開關(guān)電源高頻化(如600kHz以上)的測試需求。
3.浮地與抗干擾設(shè)計
PKDV5151具備浮地測量特性,無需與被測電路共地,解決了開關(guān)電源初級與次級隔離帶來的接地難題。其差分輸入阻抗為10MΩ/2pF,在100kHz時共模抑制比>60dB,能夠有效濾除電網(wǎng)、散熱風(fēng)扇等帶來的共模干擾。
三、具體測試流程
(一)測試準(zhǔn)備
設(shè)備連接
輸出端 :將探頭BNC線連接至示波器,確保BNC端子可靠接地。
輸入端 :根據(jù)測試點(diǎn)選擇合適的夾具。
電源 :使用標(biāo)配的USB 5V/2A適配器供電,確保綠色電源指示燈亮起。
參數(shù)預(yù)設(shè)
預(yù)估電壓 :Vds約為800V(選擇500X量程),Vgs約為15V(選擇50X量程)。
示波器設(shè)置 :衰減比與探頭一致(500X或50X),時基調(diào)整至100ns/div(用于捕捉開關(guān)瞬間波形),靈敏度設(shè)為100V/div(Vds)或1V/div(Vgs)。
(二)測試執(zhí)行
安全操作
在測量前關(guān)閉開關(guān)電源,待電容放電完成后連接探頭夾具。
開啟電源時,先接通探頭電源,再啟動開關(guān)電源,以避免瞬間高壓沖擊。
波形采集
記錄Vds波形 :觀察開關(guān)導(dǎo)通/關(guān)斷時的電壓尖峰(需≤1200V,以避免MOS管過壓損壞)、振蕩次數(shù)(需≤2次,以確保EMI達(dá)標(biāo))。
記錄Vgs波形 :檢查驅(qū)動電壓是否穩(wěn)定(如12V±0.5V),上升/下降時間是否符合MOS管手冊要求(如≤100ns)。
干擾控制
將輸入線雙絞處理,以減少電磁耦合。
探頭主體遠(yuǎn)離變壓器、電感等強(qiáng)磁部件,必要時開啟5MHz帶寬限制,以濾除>5MHz的噪聲。
(三)測試收尾
先關(guān)閉開關(guān)電源,等待10秒,確保電容放電后,斷開探頭與MOS管的連接。
關(guān)閉探頭電源,拔出BNC線與USB適配器,將探頭放入原配包裝存放。
四、安全與維護(hù)注意事項(xiàng)
嚴(yán)禁超量程使用(例如在Vds測試時不可誤切至50X量程)。
定期檢查探頭外皮是否破損,一旦發(fā)現(xiàn)破損應(yīng)立即停用。
測試環(huán)境濕度需≤85% RH,并遠(yuǎn)離易燃易爆設(shè)備。
每6個月進(jìn)行一次零點(diǎn)校準(zhǔn),以確保測量精度。
五、應(yīng)用效果評估
通過PKDV5151的精確測量,工程師可以快速定位開關(guān)電源的常見問題。例如,Vds尖峰過高可能源于吸收電路設(shè)計不合理,Vgs波動過大可能是驅(qū)動電路阻抗不匹配。與傳統(tǒng)測試方案相比,PKDV5151的優(yōu)勢體現(xiàn)在:
測量誤差≤2%,避免因數(shù)據(jù)失真導(dǎo)致的設(shè)計誤判。
100MHz帶寬能夠完整捕捉高頻細(xì)節(jié),助力優(yōu)化EMC性能。
浮地設(shè)計與抗干擾能力,使復(fù)雜工況下的測試效率提升40%。
審核編輯 黃宇
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