文章來源:學習那些事
原文作者:小陳婆婆
本文介紹了系統(tǒng)級立體封裝技術的技術發(fā)展與應用。
系統(tǒng)級立體封裝技術作為后摩爾時代集成電路產業(yè)的核心突破方向,正以三維集成理念重構電子系統(tǒng)的構建邏輯。
該技術通過垂直堆疊與異構集成,在有限物理空間內實現(xiàn)多芯片、無源器件及MEMS/光電器件的高度協(xié)同,突破傳統(tǒng)單片集成制程瓶頸。
本文分述如下:
系統(tǒng)級封裝進展簡述
系統(tǒng)級芯片SOC
系統(tǒng)級封裝SiP
晶粒軟膜構裝COF
MEMS封裝
板級立體組裝
系統(tǒng)級封裝進展簡述
2025年數(shù)據顯示,中國先進封裝市場規(guī)模已突破1100億元,占全球比例超25%,其中系統(tǒng)級封裝(SiP)與2.5D/3D封裝增速分別達23%與20.9%,成為驅動增長的雙引擎。
技術演進呈現(xiàn)三大特征:空間維度上,3D TSV技術實現(xiàn)芯片間微米級垂直互連,如華為海思通過多層堆疊使芯片體積縮小40%而性能提升30%;效率維度上,倒裝芯片與混合鍵合技術將信號傳輸延遲降低60%,能效比提升35%;系統(tǒng)維度上,Chiplet標準化推動異構集成成本下降30%,長電科技XDFOI平臺實現(xiàn)20μm間距微縮,通富微電VISionS技術攻克2.5D中介層量產難題。
產業(yè)生態(tài)呈現(xiàn)“設計-制造-封裝”三角重構特征,臺積電CoWoS平臺占據AI芯片封裝超60%市場份額,而中國產業(yè)鏈通過“長三角200公里封裝產業(yè)帶”形成材料-設備-制造的完整配套,封裝基板國產化率突破40%,關鍵材料如ABF載板本地供應比例達55%。
未來趨勢聚焦三大方向:智能封裝通過集成傳感器與自適應算法實現(xiàn)實時熱管理與性能調節(jié),如英特爾Foveros Direct技術實現(xiàn)10μm凸點間距;標準化進程加速,UCIe規(guī)范推動Chiplet全球互連,長電科技XDFOI方案已支持國產CPU芯粒集成;環(huán)保維度則聚焦玻璃基板替代,其10層RDL布線與80%熱膨脹系數(shù)匹配度提升,為3D封裝提供可持續(xù)解決方案。
此等技術革新不僅重塑半導體產業(yè)格局,更在6G通信、工業(yè)互聯(lián)網、可植入醫(yī)療設備等新興領域開辟萬億級市場空間,成為數(shù)字經濟時代硬件創(chuàng)新的基石。
系統(tǒng)級芯片SOC
系統(tǒng)級芯片(SOC)作為集成電路領域的技術巔峰,正以“單芯多能”的特性重塑電子系統(tǒng)架構。其核心價值在于將中央處理器(CPU)、數(shù)字信號處理器(DSP)、圖形處理器(GPU)、存儲控制器、高速接口及專用邏輯單元等核心功能模塊集成于單一硅片,通過片上系統(tǒng)(On-Chip)互連實現(xiàn)高帶寬、低延遲的協(xié)同運算,滿足網絡服務器千兆級數(shù)據處理、電信基站多模態(tài)信號轉換、5G/6G基站毫米波通信及高性能計算(HPC)的嚴苛需求。
技術實現(xiàn)層面,先進制程節(jié)點(如5nm及以下)與三維堆疊技術的融合,使SoC在10mm×10mm級晶圓上集成超200億晶體管,配合倒裝芯片(Flip Chip)BGA封裝及700+焊球陣列,實現(xiàn)信號傳輸密度提升40%而功耗降低30%。然而,工藝兼容性瓶頸仍存——SiGe、GaAs與CMOS工藝的互斥性,限制了異構射頻前端與數(shù)字基帶的單片集成,促使業(yè)界探索硅基異構集成方案。
未來趨勢聚焦三大方向:一是工藝協(xié)同創(chuàng)新,如三星2nm GAA工藝與背面供電(BSPD)技術結合,提升SOC能效比;二是標準化推進,UCIe 2.0規(guī)范支持Chiplet級SoC互連,實現(xiàn)跨工藝、跨節(jié)點的模塊化設計;三是可持續(xù)封裝,玻璃基板替代有機基板,其100μm級通孔與低熱膨脹系數(shù)(CTE)匹配,為高密度SoC提供更優(yōu)散熱與可靠性保障。此等技術演進不僅推動半導體產業(yè)向“更小、更快、更智能”方向發(fā)展,更在邊緣計算、工業(yè)物聯(lián)網、可穿戴醫(yī)療設備等新興領域催生萬億級市場機遇,成為數(shù)字經濟時代硬件創(chuàng)新的戰(zhàn)略支點。
系統(tǒng)級封裝SiP
系統(tǒng)級封裝(SiP)作為三維集成技術的核心載體,正以“異構協(xié)同”理念重構電子系統(tǒng)的構建范式,在無線通信、消費電子及新興智能終端領域展現(xiàn)出不可替代的戰(zhàn)略價值。其本質是通過晶圓級堆疊、基板嵌入式集成及混合互連技術,將CPU、DSP、存儲器、射頻前端、MEMS傳感器及無源器件等模塊整合于單一封裝體內,突破單片集成工藝壁壘,實現(xiàn)高頻高速、低功耗與高密度的系統(tǒng)級功能集成。
技術實現(xiàn)層面,SiP的靈活性體現(xiàn)在多維異構集成能力——通過晶片堆疊(如TSV垂直互連)可實現(xiàn)10μm級芯片間距,配合倒裝芯片(Flip Chip)與引線鍵合(Wire Bonding)的混合互連,既滿足GHz級高頻RF模塊(如GaAs功率放大器與CMOS基帶芯片的集成)的信號完整性要求,又適配低頻數(shù)字模塊的成本敏感需求;基板選擇則涵蓋高性能ABF載板(支持20μm線寬/間距)與常規(guī)CSP基片,前者在AI計算模塊中實現(xiàn)HBM內存與GPU的2.5D互連,后者則在消費級TWS耳機中完成藍牙SoC與電源管理芯片的緊湊集成。
在5G通信領域,村田制作所采用嵌入式基板技術的SiP模組,將PA、LNA、濾波器及雙工器集成于3.5mm×3.5mm封裝內,滿足Sub-6GHz頻段毫米波前端的小型化需求;在AIoT邊緣端,聯(lián)發(fā)科Filogic系列SiP通過異構集成CPU、NPU、Wi-Fi 6/6E基帶及電源管理單元,實現(xiàn)單芯片支持智能家居網關的復雜計算任務;醫(yī)療可穿戴設備中,美敦力采用生物兼容封裝與低功耗設計的SiP傳感器,集成ECG、PPG及溫度監(jiān)測功能,體積縮減至傳統(tǒng)方案60%而續(xù)航提升40%。
未來趨勢聚焦三大創(chuàng)新方向:一是工藝標準化,UCIe 2.0規(guī)范推動Chiplet級SiP互連,實現(xiàn)跨工藝、跨節(jié)點的模塊化設計;二是材料革新,玻璃基板替代有機基板,其100μm級通孔與低熱膨脹系數(shù)(CTE)匹配,為高密度SiP提供更優(yōu)散熱與可靠性保障;三是智能封裝,集成溫度傳感器與自適應算法,實現(xiàn)實時熱管理與性能調節(jié),如英特爾Foveros Direct技術在SiP中嵌入熱敏電阻,動態(tài)調整工作頻率以優(yōu)化能效比。此等技術演進不僅推動半導體產業(yè)向“更小、更快、更智能”方向發(fā)展,更在6G原型驗證、工業(yè)物聯(lián)網節(jié)點及植入式醫(yī)療設備等前沿領域開辟萬億級市場空間,成為數(shù)字經濟時代硬件創(chuàng)新的戰(zhàn)略支點。
晶粒軟膜構裝COF
晶粒軟膜構裝(COF)作為柔性電子封裝的標桿技術,正以“剛柔并濟”的集成理念重塑顯示與智能終端的物理邊界。該技術通過將芯片直接貼裝于柔性聚酰亞胺(PI)基材,實現(xiàn)高密度互連與三維立體布線,突破傳統(tǒng)玻璃基板(CoG)在面板邊緣走線密度與分辨率的限制——相同尺寸面板下,COF方案可擴展超30%的像素密度,支撐4K/8K超高清顯示及窄邊框設計,成為LED/OLED顯示模組、可折疊手機及車載HUD的核心封裝方案。
技術演進呈現(xiàn)三大創(chuàng)新維度:材料層面,新型低溫固化膠粘劑與高延伸率PI薄膜的應用,使COF在-40℃至125℃寬溫域下保持99.9%的連接可靠性,滿足汽車級AEC-Q100認證;工藝層面,激光微孔成型與電鍍銅柱技術實現(xiàn)15μm級線寬/間距,配合倒裝芯片(Flip Chip)鍵合,使單顆芯片引腳密度提升40%而厚度縮減至0.3mm以下;系統(tǒng)集成層面,COF與嵌入式無源器件(如薄膜電容、電阻)的一體化封裝,在TWS耳機、智能手表等緊湊空間內實現(xiàn)電源管理、觸控傳感及射頻前端的協(xié)同集成,如蘋果AirPods Pro 2即采用COF-SIP混合封裝,體積縮減20%而功能密度提升35%。
在顯示領域,京東方8.5代COF生產線支持Mini LED背光模組量產,實現(xiàn)2000分區(qū)局部調光;在車載電子中,天馬微電子采用COF封裝的曲面屏HUD,在150℃高溫環(huán)境下保持85%透光率與170°廣視角;醫(yī)療可穿戴方面,華米科技基于COF的ECG貼片,集成生物電極與信號處理芯片,實現(xiàn)心電信號采集精度達醫(yī)療級ECG-12標準。
未來趨勢聚焦三大方向:一是超薄化,通過玻璃基轉印技術與納米壓印工藝,實現(xiàn)50μm級超薄COF制造;二是智能化,集成溫度/壓力傳感器與自適應算法,動態(tài)調整封裝應力與信號傳輸;三是可持續(xù)化,采用可回收PI基材與無鉛焊料,滿足歐盟RoHS 3.0及REACH法規(guī)要求。此等技術革新不僅推動顯示產業(yè)向“更薄、更柔、更智能”演進,更在元宇宙終端、柔性機器人皮膚及生物醫(yī)療植入等前沿領域開辟增量市場,成為柔性電子時代硬件創(chuàng)新的基石。
MEMS封裝
微機電系統(tǒng)(MEMS)封裝技術作為連接微納器件與系統(tǒng)應用的橋梁,正以“高精度、高可靠、高集成”為核心演進方向,在醫(yī)療、汽車、工業(yè)等領域的精密感知需求驅動下實現(xiàn)多維突破。
技術革新層面,三維集成與材料創(chuàng)新成為雙引擎。多光子光刻技術實現(xiàn)納米級分辨率三維微結構直寫,如壓阻式加速度計通過飛秒激光三維直寫完成從設計到制造的2.5小時全流程,性能媲美傳統(tǒng)數(shù)月迭代方案;晶圓級真空鍵合技術通過低溫陽極鍵合(350℃/600V)與鈦吸氣劑活性保持,實現(xiàn)硅-玻璃鍵合腔體壓力穩(wěn)定在5mTorr以下,配合梯度退火工藝通過3000次,-40℃~125℃熱循環(huán)測試,解決傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂封裝的氣密性瓶頸。鍵合工藝方面,Au-Sn共晶鍵合通過瞬態(tài)液相擴散技術填補0.5μm級表面粗糙度,鍵合強度達50MPa以上,配合0.8mm鍵合環(huán)寬度實現(xiàn)10??atm·cc/s級漏率標準,適配陀螺儀、壓力傳感器等對真空環(huán)境的嚴苛需求;而引線鍵合通過反向拱絲工藝壓縮線弧高度至50μm,結合動態(tài)壓力反饋系統(tǒng)將鍵合定位誤差控制在±1μm,良率提升至99.2%,滿足5G通信器件0.5mm超薄封裝要求。
產業(yè)生態(tài)呈現(xiàn)“設計-制造-封裝”垂直整合趨勢。中國長三角地區(qū)形成完整產業(yè)鏈集群,封裝基板國產化率突破40%,關鍵材料如ABF載板本地供應比例達55%;行業(yè)聯(lián)盟推動MIPI傳感器接口規(guī)范統(tǒng)一,UCIe 2.0標準支持Chiplet級MEMS互連,實現(xiàn)跨工藝、跨節(jié)點模塊化設計;智能化封裝方面,集成溫度/壓力傳感器與自適應算法,動態(tài)調節(jié)封裝應力與信號傳輸,如英特爾Foveros Direct技術實現(xiàn)10μm凸點間距,配合嵌入式無源器件實現(xiàn)電源管理、觸控傳感一體化集成。未來,隨著玻璃基板替代有機基材(100μm級通孔與低熱膨脹系數(shù)匹配)、納米銀焊膏低溫鍵合(150℃以下避免生物蛋白損傷)等技術的突破,MEMS封裝將從“保護性封裝”向“功能增強型封裝”躍遷,在元宇宙光波導掃描、人形機器人柔性感知、綠色能源微流控等新興領域開辟萬億級增量市場,成為數(shù)字經濟時代精密感知的核心基礎設施。
板級立體組裝
板級立體組裝作為三維電子系統(tǒng)構建的關鍵技術路徑,正以“空間重構”理念突破傳統(tǒng)二維PCB布線局限,在高鐵控制模塊、5G基站陣列、數(shù)據中心冷板系統(tǒng)等高密度、高性能場景中展現(xiàn)核心價值。其本質是通過垂直互連、凸點連接及側向鍵合技術,實現(xiàn)多塊PCB模塊在三維空間中的精準堆疊與電氣-機械協(xié)同,在有限物理空間內實現(xiàn)信號傳輸密度提升30%—50%,同時降低系統(tǒng)熱阻與信號延遲。
技術演進呈現(xiàn)三大創(chuàng)新維度:材料層面,納米銀漿低溫燒結技術實現(xiàn)150℃以下互連,避免傳統(tǒng)焊料導致的熱應力損傷,配合石墨烯散熱涂層使模塊熱阻降低40%,適配高鐵IGBT模塊的高溫運行需求;工藝層面,3D打印PCB技術通過光固化成型實現(xiàn)50μm級線寬/間距,配合激光微孔成型與電鍍銅柱技術,實現(xiàn)垂直互連層間通孔的100%良率,如中興通訊5G基站模塊通過該技術實現(xiàn)6層PCB堆疊,信號傳輸延遲降低至2ps/cm;系統(tǒng)集成層面,嵌入式無源器件(如薄膜電容、電阻)與有源芯片的一體化封裝,在單模塊內集成電源管理、射頻前端及數(shù)字處理功能,如華為數(shù)據中心硅光引擎通過板級立體組裝實現(xiàn)光模塊與CPU的垂直互連,帶寬密度提升50%而功耗降低30%。
未來趨勢聚焦三大方向:一是智能化制造,通過數(shù)字孿生技術實現(xiàn)板級立體組裝的虛擬仿真與實時優(yōu)化,如西門子NX軟件支持3D PCB布線與熱管理協(xié)同設計;二是標準化推進,IPC-4101規(guī)范推動板級立體組裝材料與工藝的統(tǒng)一,UCIe 3.0標準支持跨模塊、跨節(jié)點的互連設計;三是可持續(xù)化,采用可回收PCB基材與無鉛焊料,滿足歐盟RoHS 3.0及REACH法規(guī)要求。此等技術革新不僅推動電子制造產業(yè)向“更密、更快、更綠”方向發(fā)展,更在6G原型驗證、工業(yè)物聯(lián)網節(jié)點及綠色能源微電網等前沿領域開辟萬億級增量市場,成為數(shù)字經濟時代硬件創(chuàng)新的戰(zhàn)略支點。
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原文標題:系統(tǒng)級立體封裝技術
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