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Microchip SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板技術(shù)解析

科技觀察員 ? 2025-09-30 13:45 ? 次閱讀
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Microchip Technology SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板設(shè)計(jì)用于SP6LI低電感SiC模塊測(cè)試,采用頂部安裝數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該板簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程,降低了與大功率模塊集成相關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)。SP6LI mSiC? 模塊評(píng)估板提供了一個(gè)可擴(kuò)展平臺(tái),用于推動(dòng)節(jié)能和高性能電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新。

數(shù)據(jù)手冊(cè):*附件:Microchip Technology SP6LI MSC? MOSFET模塊評(píng)估板用戶(hù)指南.pdf

特性

  • 快速評(píng)估和優(yōu)化SP6LI碳化硅 (SiC) 模塊的開(kāi)關(guān)特性
  • 創(chuàng)建可擴(kuò)展的高功率密度設(shè)計(jì)
  • 最大限度地縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間,加快產(chǎn)品上市速度

電路板概述

1.png

Microchip SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板技術(shù)解析

評(píng)估板概述

Microchip Technology的SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板(MSCDR-SP6LIEVB-001)是一款專(zhuān)為SP6LI低電感SiC模塊測(cè)試而設(shè)計(jì)的一站式開(kāi)發(fā)平臺(tái),集成了頂部安裝的數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案。該評(píng)估板支持高達(dá)900VDC的母線(xiàn)電壓,為工程師提供了完整的功率模塊測(cè)試環(huán)境。

主要技術(shù)特性

硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)

  1. ?功率模塊支持?:設(shè)計(jì)用于SP6LI封裝的Microchip mSiC MOSFET模塊,如MSCSM120AM02CT6LING等型號(hào)
  2. ?電壓支持?:終端塊連接器支持+VBUS電壓高達(dá)900VDC(相對(duì)于-VBUS)
  3. ?電流測(cè)量?:提供Rogowski線(xiàn)圈接口用于漏極和源極側(cè)的電流測(cè)量
  4. ?測(cè)試點(diǎn)配置?:包括高/低側(cè)柵極信號(hào)(VGS)和VDS電壓的測(cè)試點(diǎn)
  5. ?電容網(wǎng)絡(luò)?:包含132μF薄膜電容和2mF等效總?cè)葜档?a target="_blank">電解電容

PCB設(shè)計(jì)參數(shù)

  • ?層數(shù)?:4層FR4板材
  • ?厚度?:2mm
  • ?工藝?:通孔(PTH)PCB結(jié)構(gòu)
  • ?尺寸?:詳細(xì)機(jī)械圖紙見(jiàn)用戶(hù)指南1.4節(jié)

應(yīng)用測(cè)試功能

雙脈沖測(cè)試配置

評(píng)估板特別優(yōu)化了雙脈沖測(cè)試(DPT)功能:

  • 專(zhuān)用端子塊用于連接電感負(fù)載
  • 高低側(cè)開(kāi)關(guān)均可獨(dú)立測(cè)試
  • 提供完整測(cè)試原理圖和PCB布局圖

動(dòng)態(tài)飽和(DSAT)測(cè)試

評(píng)估板支持過(guò)電流保護(hù)測(cè)試:

  • 可設(shè)置高達(dá)900A的過(guò)流條件
  • 高低側(cè)均可進(jìn)行DSAT測(cè)試
  • 提供標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試設(shè)置和結(jié)果參考

典型測(cè)試結(jié)果

基于600VDC母線(xiàn)電壓和400A負(fù)載電流的測(cè)試數(shù)據(jù):

  1. ?開(kāi)通特性?:
    • 高側(cè)開(kāi)關(guān)開(kāi)通損耗與電流過(guò)沖關(guān)系曲線(xiàn)
    • 低側(cè)開(kāi)關(guān)開(kāi)通瞬態(tài)波形特征
  2. ?關(guān)斷特性?:
    • 高側(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷電壓過(guò)沖與損耗關(guān)系
    • 低側(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬態(tài)波形特征
  3. ?DSAT性能?:
    • 高側(cè)在900A過(guò)流條件下的保護(hù)響應(yīng)
    • 低側(cè)過(guò)流保護(hù)觸發(fā)波形

設(shè)計(jì)資源

評(píng)估板配套提供完整的設(shè)計(jì)文件:

  • 詳細(xì)原理圖(章節(jié)1.2)
  • PCB各層布局圖(TOP/Inner1/Inner2/Bottom)
  • 機(jī)械安裝圖紙
  • 完整物料清單(BOM)

應(yīng)用建議

該評(píng)估板特別適用于:

  1. SiC功率模塊的開(kāi)關(guān)特性評(píng)估
  2. 柵極驅(qū)動(dòng)器性能驗(yàn)證
  3. 高頻功率電路原型開(kāi)發(fā)
  4. 新能源和電動(dòng)汽車(chē)相關(guān)電力電子研究
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