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150℃高溫儲能破7.35J/cm3!西交大提出聚合物基電介質(zhì)儲能創(chuàng)新思路

Simon觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:黃山明 ? 2025-10-11 09:02 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道
在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)與日常應(yīng)用中,靜電電容器憑借其獨特優(yōu)勢,如高功率密度、快速充放電特性、出色的機(jī)械柔韌性及可靠的失效機(jī)制等,成為先進(jìn)電氣電子系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵儲能元件。而聚合物電介質(zhì)作為靜電電容器的核心構(gòu)成部分,因其具備高耐壓能力、低介電損耗以及良好的運(yùn)行穩(wěn)定性,在該領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。

不過,隨著科技的飛速發(fā)展,工業(yè)生產(chǎn)和日常應(yīng)用對聚合物薄膜電容器提出了更為嚴(yán)苛的要求,期望其能夠在高溫、高電壓等極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

但現(xiàn)實情況是,大多數(shù)商用聚合物在面對高溫時表現(xiàn)欠佳。當(dāng)溫度攀升,其內(nèi)部電荷的注入、激發(fā)和傳輸過程變得異常活躍,導(dǎo)致漏電流呈指數(shù)級增長。這一現(xiàn)象直接引發(fā)了能量密度的降低以及充放電效率的下滑,嚴(yán)重制約了聚合物電介質(zhì)在高溫高功率電氣領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展。

西安交通大學(xué)周迪教授團(tuán)隊在聚合物基電介質(zhì)儲能領(lǐng)域取得的一系列突破性進(jìn)展,為解決高溫高電壓環(huán)境下電容器性能衰減的世界性難題提供了創(chuàng)新思路。

在電極/電介質(zhì)界面調(diào)控方面,團(tuán)隊創(chuàng)造性地開發(fā)了自組裝無機(jī)納米層涂覆技術(shù)。該技術(shù)通過在商用PET薄膜表面沉積含SiO?薄層,并利用P(VDF-HFP)作為分散介質(zhì)和粘結(jié)層增強(qiáng)界面結(jié)合,顯著提升了肖特基勢壘高度。實驗表明,這種簡便的表面工程使載流子注入效率降低兩個數(shù)量級,在150℃高溫下仍能保持優(yōu)異的絕緣性能。這種界面工程不僅解決了高溫下電極限制傳導(dǎo)的痛點,更為工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)提供了可能路徑。

針對聚合物體相內(nèi)跳躍傳導(dǎo)導(dǎo)致的漏電難題,團(tuán)隊另辟蹊徑提出“電子-空穴對”策略。將P型半導(dǎo)體分子并五苯(PT)引入聚醚酰亞胺(PEI)基體后,PT與PEI分子鏈在異質(zhì)結(jié)界面上形成穩(wěn)定的電子-空穴對。

這種獨特的電荷束縛機(jī)制有效抑制了載流子遷移,使復(fù)合薄膜在150℃下的擊穿強(qiáng)度從純PEI的472.8 MV·m?1躍升至683.6 MV·m?1,同時實現(xiàn)7.35 J·cm?3的放電能量密度和90%以上的充放電效率。該成果不僅突破了高溫介質(zhì)材料的設(shè)計瓶頸,更開創(chuàng)了利用半導(dǎo)體分子調(diào)控介電性能的新范式。

進(jìn)一步地,團(tuán)隊通過跨尺度協(xié)同調(diào)控策略,實現(xiàn)了分子尺度與介觀尺度的雙重優(yōu)化。將聚酰亞胺與聚醚酰亞胺共混形成互穿網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),并引入n型有機(jī)半導(dǎo)體1,4,5,8-萘四甲酸二酐作為電荷陷阱中心,同步解決了自由體積塌陷和空間電荷積累兩大頑疾。這種“分子鏈修飾-微觀結(jié)構(gòu)調(diào)控”的協(xié)同作用,使復(fù)合材料在熱-電耦合應(yīng)力下仍保持穩(wěn)定的儲能特性,為開發(fā)全有機(jī)高溫介電材料指明了方向。

在有機(jī)-無機(jī)復(fù)合體系研究中,團(tuán)隊基于前期開發(fā)的弛豫鐵電材料Bi?Ti?WO??,創(chuàng)新性地構(gòu)建了核殼結(jié)構(gòu)BTWO@MgO納米填料。通過化學(xué)沉淀法精確控制MgO殼層包覆厚度,使BTWO核提供的高極化能力與MgO殼的界面電荷抑制功能完美結(jié)合。

這種核極化-殼絕緣的協(xié)同效應(yīng),使PEI基復(fù)合材料在150℃下放電能量密度達(dá)到6.24 J·cm?3(較純PEI提升197%),在400 MV·m?1場強(qiáng)下仍保持87.51%的效率,循環(huán)壽命超過10?次。該設(shè)計為極端環(huán)境電介質(zhì)提供了可擴(kuò)展的制備方案。

特別值得關(guān)注的是,這些突破均建立在嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臋C(jī)理解析基礎(chǔ)上。團(tuán)隊通過第一性原理計算揭示了SiO?/PET界面的能帶重整化機(jī)制,利用開爾文探針力顯微鏡觀測到PT分子形成的深能級陷阱,采用正電子湮沒技術(shù)量化了自由體積尺寸分布。這種“理論模擬-原位表征-性能驗證”的研究范式,使各項創(chuàng)新成果兼具科學(xué)深度與應(yīng)用價值。
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