DRV8329-Q1 系列器件是用于三相應用的集成柵極驅動器。這些器件提供三個半橋柵極驅動器,每個驅動器都能夠驅動高側和低側N溝道功率MOSFET。該器件使用內部電荷泵產生正確的柵極驅動電壓,并使用自舉電路增強高側MOSFET。包括一個涓流電荷泵,以支持 100% 占空比。柵極驅動架構支持高達 1A 源極和 2A 灌電流的峰值柵極驅動電流。DRV8329-Q1 可以使用單個電源供電,并支持 4.5 至 60V 的寬輸入電源范圍。
*附件:drv8329-q1.pdf
6x 和 3x PWM 模式允許與控制器電路進行簡單的接口。該器件集成了精確的3.3V LDO,可用于為外部控制器供電,并可用作CSA的參考。設備的配置設置可通過硬件 (H/W) 引腳進行配置。
DRV8329-Q1器件集成了低側電流檢測放大器,允許對驅動級所有三相的電流總和進行電流檢測。
提供低功耗睡眠模式,通過關閉大部分內部電路來實現(xiàn)低靜態(tài)電流。提供欠壓鎖定、GVDD 故障、MOSFET 過流、MOSFET 短路和過熱的內部保護功能。故障情況在nFAULT引腳上指示。
特性
- 65V 三相半橋柵極驅動器
- 驅動 3 個高側和 3 個低側 N 溝道 MOSFET (NMOS)
- 4.5 至 60V 工作電壓范圍
- 支持100% PWM占空比,帶涓流電荷泵
- 基于 Bootstrap 的柵極驅動器架構
- 1000mA 最大峰值源電流
- 2000mA 最大峰值灌電流
- 集成電流檢測放大器,具有低輸入失調(針對 1 個分流器進行了優(yōu)化)
- 可調增益(5、10、20、40V/V)
- 硬件接口提供簡單的配置
- 超低功耗睡眠模式 <1uA,25 ?C
- 相位間4ns(典型值)傳播延遲匹配
- 獨立驅動器關斷路徑 (DRVOFF)
- 65V 容差喚醒引腳 (nSLEEP)
- 在SHx上支持高達-10V的負瞬變
- 6x 和 3x PWM 模式
- 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入
- 精確的LDO(AVDD),3.3V ±3%,80mA
- 緊湊的QFN封裝和封裝
- 通過VDSLVL引腳可調節(jié)VDS過流閾值
- 通過 DT 引腳可調節(jié)死區(qū)時間
- 帶電源塊的高效系統(tǒng)設計
- 集成保護功能
- PVDD 欠壓鎖定 (PVDDUV)
- GVDD 欠壓 (GVDDUV)
- Bootstrap 欠壓 (BST_UV)
- 過流保護(VDS_OCP、SEN_OCP)
- 熱關斷 (OTSD)
- 故障狀態(tài)指示器 (nFAULT)
參數(shù)
方框圖
?1. 核心特性?
- ?寬電壓范圍?
- 支持4.5V至60V輸入電壓,峰值驅動電流1A(源)/2A(吸),適用于汽車級應用(AEC-Q100認證)。
- 集成電荷泵和自舉電路,支持100%占空比運行。
- ?驅動能力?
- 3個半橋柵極驅動器,可驅動6個N溝道MOSFET(高邊+低邊)。
- 低邊電流檢測放大器,增益可調(5/10/20/40 V/V),支持單分流電阻配置。
- ?保護功能?
- 過流保護(VDS_OCP、SEN_OCP)、欠壓鎖定(PVDD/GVDD/BST_UV)、熱關斷(OTSD)。
- 故障指示通過nFAULT引腳輸出。
- ?低功耗模式?
- 睡眠模式電流<1μA,適合電池供電場景。
?2. 關鍵功能?
- ?PWM控制模式?
- ?6x PWM模式?:獨立控制高邊和低邊MOSFET,支持高、低、高阻態(tài)。
- ?3x PWM模式?:簡化控制邏輯,通過INLx引腳實現(xiàn)高阻態(tài)。
- ?硬件配置接口?
- 通過DT引腳電阻調節(jié)死區(qū)時間(100ns~2000ns)。
- VDSLVL引腳設置MOSFET過流閾值(0.1V~2.5V)。
- ?電流檢測?
?3. 典型應用?
?4. 設計要點?
- ?自舉電容?:推薦1μF/25V(BSTx-SHx),需靠近引腳布局。
- ?柵極電阻?:根據(jù)MOSFET柵極電荷(Qg)調整,建議源極和吸極路徑分開以優(yōu)化開關速度。
- ?布局建議?:縮短高邊/低邊驅動回路,電源旁路電容需貼近PVDD引腳。
?5. 封裝與型號?
- ?封裝?:40引腳WQFN(7mm×5mm),帶散熱焊盤。
- ?型號差異?:
- DRV8329A-Q1:6x PWM模式,支持獨立高邊控制。
- DRV8329B-Q1:3x PWM模式,半橋控制簡化。
?6. 保護機制?
- ?VDS過流?:通過VDSLVL引腳電壓設定閾值,支持高/低邊MOSFET監(jiān)測。
- ?熱關斷?:結溫>170°C時觸發(fā),滯后20°C恢復。
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