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PCB改元器件開關(guān)電源EMI整改實際案例!

0BFC_eet_china ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-07-22 09:55 ? 次閱讀
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這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ,輸出48V,273mA的電源,采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

注:在最初的設(shè)計中,預(yù)留電感L1、L2,CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測試元件,預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測試元件;

傳導(dǎo)測試:

1、短接L2,L1=4.7mH,C1=0.1uf,C2=0.1uf,

120V電壓輸入,L線傳導(dǎo)圖像:

277V電壓輸入,L線傳導(dǎo)圖像:

結(jié)果:輸入277V,將近150K的頻率讀點后余量少于3db

整改辦法:將C2加大到0.22uf,再次測試圖像如下:

結(jié)果:手動讀點,余量7.19db,驗證N線后,無壓力通過。

輻射測試:

1、在不加磁珠FB1、不加環(huán)路電容、變壓器不包銅皮的情況下,輻射數(shù)據(jù)嚴(yán)重超標(biāo);

2、整改方案:將如下整改位置加強,即:增加磁珠FB1(100M 60ohm),環(huán)路電容C9=1nf。

結(jié)果:水平測試,余量逼近限度線;垂直測試,31MHZ、41MHZ、53MHZ處輻射數(shù)據(jù)超標(biāo)5-10db;

3、整改方案:基于第二步,將變壓器使用銅皮進(jìn)行外部線圈包裹,同時將C9增加至2.2nf;

結(jié)果:情況無改善;

4、整改方案:基于第三步,在MOS管Q2的D、S極并接60pf電容;

結(jié)果:情況無改善;

圖像如下:

5、整改方案:重點關(guān)注高頻開關(guān)點(如下紅色圈處),調(diào)整Layout布線設(shè)計:

原有布線方案中,留意高頻開關(guān)部分(打“X”的黑線),發(fā)現(xiàn)高頻走線過長,環(huán)路面積太大:

重新布局、Layout后:

結(jié)果:

在變壓器不加銅皮、環(huán)路電容C9=2.2nf、磁珠FB1(100MHZ 60ohm)的設(shè)計參數(shù):

120V 水平、垂直測試圖像

277V 60HZ 水平、垂直測試圖像:

驗證傳導(dǎo)數(shù)據(jù):

120V 60HZ L、N線:

277V 60HZ L、N線:

結(jié)果:測試通過!

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原文標(biāo)題:PCB改元器件——開關(guān)電源EMI整改實際案例!

文章出處:【微信號:eet-china,微信公眾號:電子工程專輯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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