當(dāng)人工智能大模型的迭代速度以月為單位刷新紀(jì)錄，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來百年未有的變革浪潮。AI 對算力、存儲、互聯(lián)的極致需求，既重塑了全球半導(dǎo)體的競爭格局，也為中國產(chǎn)業(yè)的突圍提供了歷史性窗口。從臺積電 1.4nm 制程的加速落地到長江存儲的生態(tài)崛起，從可逆計(jì)算芯片的節(jié)能突破到光刻機(jī)的國產(chǎn)化破冰，一場圍繞 “AI 算力基建” 的全球競賽已全面展開，而中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正從 “跟跑者” 向 “規(guī)則參與者” 加速轉(zhuǎn)型。

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 AI 的催化下，正呈現(xiàn) “需求爆發(fā)、技術(shù)重構(gòu)、格局分化” 的鮮明特征。市場規(guī)模層面，2025 年全球半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)以 11% 的增速擴(kuò)張，其中 AI 相關(guān)的高性能計(jì)算（HPC）、數(shù)據(jù)中心芯片成為核心增長引擎，云服務(wù)提供商的資本支出預(yù)計(jì)突破 2500 億美元，先進(jìn)邏輯與存儲器投資占據(jù)設(shè)備總投資的半壁江山。技術(shù)路線上，傳統(tǒng)制程微縮的摩爾定律逼近極限，行業(yè)正轉(zhuǎn)向 “架構(gòu)創(chuàng)新 + 先進(jìn)封裝” 的雙線突破：臺積電推進(jìn) 2nm 及 1.4nm 先進(jìn)工藝，背面供電、深溝槽等技術(shù)成為關(guān)鍵；而多芯片互聯(lián)、以存提算則成為破解算力瓶頸的共識，英偉達(dá)推出支持 CPO（光電共封裝）的交換機(jī)，通過硅光與封裝融合實(shí)現(xiàn) 30% 的能耗降低，預(yù)計(jì) 2027 年將邁入硅光 CPO 時代。

競爭格局方面，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn) “頭部集中與細(xì)分突圍” 并存的態(tài)勢。在先進(jìn)制程領(lǐng)域，臺積電、三星占據(jù)絕對主導(dǎo)，臺積電 1.4nm 工廠 2025 年第四季度動工后，預(yù)計(jì) 2028 年量產(chǎn)時將掌控全球 35% 以上的先進(jìn)制程份額；存儲領(lǐng)域則由三星、SK 海力士、美光形成壟斷，但長江存儲通過晶棧 ?Xtacking? 架構(gòu)突破，已推動 2025 年國內(nèi)存儲芯片市場份額翻倍至 10%。值得注意的是，AI 驅(qū)動的技術(shù)分化正在創(chuàng)造新的機(jī)會窗口：華為推出昇騰 AI 芯片與靈衢互聯(lián)協(xié)議，通過超節(jié)點(diǎn)和集群技術(shù)規(guī)避制程限制；冰河芯片憑借可逆計(jì)算架構(gòu)實(shí)現(xiàn) 30% 節(jié)能，開辟了能效優(yōu)化新路徑，這些創(chuàng)新正動搖傳統(tǒng)競爭格局。

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在 AI 浪潮中，正走出一條 “政策護(hù)航、資本加碼、生態(tài)協(xié)同” 的特色突圍之路。政策端，《關(guān)于深入實(shí)施 “人工智能 +” 行動的意見》明確 2027 年智能終端普及率超 70% 的目標(biāo)，直接激發(fā)對 AI 芯片的海量需求，7 月份國內(nèi)集成電路制造、半導(dǎo)體設(shè)備制造行業(yè)利潤分別暴漲 176.1%、104.5%，印證政策紅利的落地見效。資本層面，市場化運(yùn)作與國有資本形成合力：長江存儲母公司完成股改，形成涵蓋國有資本、金融資本、員工持股的多元體系，1600 億元估值彰顯市場信心；凌光紅外通過 A++ 輪融資加碼紅外芯片研發(fā)，這種 “資金 + 資源” 的投資模式成為硬科技企業(yè)成長的典型路徑。

技術(shù)突破上，中國企業(yè)正從單點(diǎn)突破邁向產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。設(shè)備領(lǐng)域，穩(wěn)頂聚芯首臺國產(chǎn)高精度步進(jìn)式光刻機(jī)出廠，適配 2-8 英寸晶圓與多種襯底，為化合物半導(dǎo)體制造提供關(guān)鍵設(shè)備；存儲領(lǐng)域，長江存儲不僅實(shí)現(xiàn) 3D NAND 技術(shù)進(jìn)階，其工藝還支撐冰河芯片磁存儲單元量產(chǎn)，形成 “設(shè)備 - 材料 - 制造” 的聯(lián)動效應(yīng)；封裝測試領(lǐng)域，長電科技、通富微電在Chiplet（芯粒）技術(shù)上持續(xù)突破，適配多芯片互聯(lián)的行業(yè)需求。這種協(xié)同創(chuàng)新在 AI 存儲、車規(guī)級芯片等細(xì)分賽道尤為明顯，長江存儲與湖北長晟三期合資 207.2 億元建設(shè)新產(chǎn)能，瞄準(zhǔn) AI 服務(wù)器存儲需求，與長鑫科技形成國產(chǎn)存儲 “雙輪驅(qū)動”。

當(dāng)然，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍面臨 “高端突破不足、生態(tài)適配薄弱” 的挑戰(zhàn)。在 EUV 光刻機(jī)、高端 EDA 軟件等核心環(huán)節(jié)，國產(chǎn)替代率仍接近零；HBM（高帶寬存儲器）等高端存儲產(chǎn)品依賴進(jìn)口，華邦電、兆易創(chuàng)新的 3D 堆疊方案尚處追趕階段；軟件生態(tài)上，盡管冰河芯片構(gòu)建了傳統(tǒng)指令翻譯接口，但國產(chǎn)芯片與主流 AI 框架的深度適配仍需時間。不過，這些短板正在加速補(bǔ)齊：大基金三期重點(diǎn)投向設(shè)備與材料領(lǐng)域，穩(wěn)頂聚芯后續(xù)機(jī)型研發(fā)瞄準(zhǔn)更高分辨率；長存集團(tuán)與高校合作攻關(guān) 3D 混合鍵合技術(shù)，這種 “產(chǎn)學(xué)研用” 聯(lián)動正逐步縮小差距。

展望未來 3-5 年，AI 將驅(qū)動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入 “生態(tài)競爭” 的新階段，中國有望在三個方向?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。技術(shù)層面，先進(jìn)封裝與存算一體將成為主戰(zhàn)場：CPO 技術(shù)的國產(chǎn)化推進(jìn)將解決高速互聯(lián)瓶頸，長江存儲的 3D NAND 向 16 層堆疊演進(jìn)，與近存計(jì)算技術(shù)結(jié)合，有望在 AI 存儲領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) “換道超車”。產(chǎn)業(yè)生態(tài)層面，“算力 - 存儲 - 互聯(lián)” 的協(xié)同將深化：華為昇騰芯片與長江存儲顆粒的適配，穩(wěn)頂聚芯光刻機(jī)與下游晶圓廠的聯(lián)動，將形成自主可控的產(chǎn)業(yè)閉環(huán)，類似冰河芯片與長存工藝的協(xié)同案例會越來越多。市場布局上，中國企業(yè)將在 “高端突破 + 場景下沉” 中找到平衡：一方面沖擊 2nm 制程、HBM4 等高端領(lǐng)域，另一方面依托 AIoT、智能汽車等本土場景優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)中低端市場的規(guī)?；娲?/p>

AI 時代的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭，本質(zhì)是 “算力供給能力” 與 “生態(tài)構(gòu)建能力” 的競爭。全球范圍內(nèi)，臺積電的先進(jìn)制程、英偉達(dá)的互聯(lián)生態(tài)、三星的存儲霸權(quán)仍將主導(dǎo)短期格局，但中國產(chǎn)業(yè)正憑借政策韌性、資本活力與場景優(yōu)勢加速追趕。從長江存儲的股改突圍到冰河芯片的架構(gòu)創(chuàng)新，從穩(wěn)頂聚芯的設(shè)備破冰到華為的算力集群方案，一系列突破正在證明：中國半導(dǎo)體不僅能在 AI 驅(qū)動的產(chǎn)業(yè)變革中實(shí)現(xiàn) “量” 的增長，更能通過技術(shù)創(chuàng)新完成 “質(zhì)” 的跨越。未來，隨著 “人工智能 +” 行動的深入，中國有望在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)中占據(jù)關(guān)鍵席位，為數(shù)字經(jīng)濟(jì)的自主發(fā)展筑牢硬件根基。

來源：半導(dǎo)體芯科技

審核編輯 黃宇