以下文章來源于車規(guī)芯片愛好者，作者小陳同學(xué)

最近機(jī)器人非常火，正好關(guān)節(jié)控制器和底盤執(zhí)行器例如轉(zhuǎn)向控制等比較類似，拆解了一款，簡單分析了一下。

果然非常類似，3相6橋驅(qū)BLDC Pre Driver，甚至用上了高端EPS用的5*6mm封裝的雙面散熱MOSFET，看起來關(guān)節(jié)也是散熱的重要部件。此前機(jī)器人馬拉松要散熱就說明了這一點(diǎn)。

驅(qū)動(dòng)部分采用了TI德州儀器的DRV8353預(yù)驅(qū)動(dòng)器，支持最高100V工作，適用于三相無刷直流 (BLDC) 電機(jī) 應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。這些 應(yīng)用 包括 BLDC 電機(jī)的場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制。該器件型號提供了可選的集成式分流放大器以支持不同的電機(jī)控制方案，還提供了降壓穩(wěn)壓器，以為柵極驅(qū)動(dòng)器或外部控制器供電。

DRV835x 通過采用智能柵極驅(qū)動(dòng) (SGD) 架構(gòu)減少了 MOSFET 壓擺率控制和保護(hù)電路通常所需要的外部組件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還可優(yōu)化死區(qū)時(shí)間以防止擊穿問題，在通過 MOSFET 壓擺率控制技術(shù)降低電磁干擾 (EMI) 方面帶來了靈活性，并可通過 VGS 監(jiān)控器防止柵極短路問題。強(qiáng)大的柵極下拉電路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生柵極開啟事件。

該系列器件支持各種 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和獨(dú)立模式)，可簡化與外部控制器的連接。這些模式可減少電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 PWM 控制信號所需的控制器輸出數(shù)量。該系列器件還包括 1x PWM 模式，因此可通過內(nèi)部阻塞換向表輕松對 BLDC 電機(jī)進(jìn)行傳感器式梯形控制。

MOSFET部分采用12個(gè)BSC030N10NS5SC，一種可能是2并管。該器件為100V，3mΩ最大阻抗的雙面散熱MOSFET，比較適合PCB面積緊湊，散熱要求較高的場景。

下面Toshiba馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的類似產(chǎn)品，同樣也非常適合機(jī)器人應(yīng)用

下面Toshiba的MOSFET產(chǎn)品類似，也是雙面散熱。TPW3R70APL;