chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

漲價(jià)潮起,MOSFET從雞肋變?yōu)閾屖重?/h1>

只要需要用到電的電子產(chǎn)品,就需要用到金氧半場(chǎng)效晶體管MOSFET)。過去10年當(dāng)中,MOSFET因?yàn)槭潜匾憬M件,而且供應(yīng)量充足,所以價(jià)格早已殺到見骨,供應(yīng)商很難光靠MOSFET賺到錢。

漲價(jià)潮起,MOSFET從雞肋變?yōu)閾屖重?/p>

不過,近幾年主導(dǎo)MOSFET市場(chǎng)的IDM廠陸續(xù)淡出市場(chǎng),或是轉(zhuǎn)進(jìn)毛利率高的車用、工控應(yīng)用,導(dǎo)致去年下半年以來供應(yīng)開始吃緊,今年以來則明顯缺貨。

隨著時(shí)序進(jìn)入半導(dǎo)體市場(chǎng)傳統(tǒng)旺季,MOSFET市場(chǎng)供給缺口持續(xù)擴(kuò)大,原先就因?yàn)榈谌緜鹘y(tǒng)消費(fèi)性電子旺季價(jià)格上漲1成,最新又傳出中興因獲美國(guó)解禁并重啟營(yíng)運(yùn),使得當(dāng)?shù)叵到y(tǒng)廠全面釋出MOSFET急單,部分客戶還愿意再加價(jià)2成大舉掃貨。

據(jù)***業(yè)者表示,今年以來加價(jià)搶料消息絡(luò)繹不絕,繼日前半導(dǎo)體廠加價(jià)搶硅晶圓貨源,以及加密貨幣挖礦機(jī)廠加價(jià)搶買DDR3之后,近期再度傳出加價(jià)搶買MOSFET消息。

由于國(guó)際IDM廠下半年MOSFET產(chǎn)能已被預(yù)訂一空,ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠大舉轉(zhuǎn)單***供應(yīng)商,加上大陸系統(tǒng)廠又愿意加價(jià)采購,法人看好富鼎、大中、杰力、尼克松下半年接單滿載到年底,營(yíng)收將見強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能,下半年獲利有機(jī)會(huì)挑戰(zhàn)較上半年成長(zhǎng)1倍。

新應(yīng)用增多,供不應(yīng)求催發(fā)漲勢(shì)

事實(shí)上,去年下半年以來,很多過去被視為雞肋的芯片或零組件,開始出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨問題,例如今年以來價(jià)格大漲的硅晶圓或被動(dòng)元件,還有價(jià)格已較去年大漲逾5成的DRAM及MOSFET等。之所以會(huì)出現(xiàn)缺貨問題,都是因?yàn)檫^去主導(dǎo)市場(chǎng)的大廠不想再擴(kuò)產(chǎn),所以在車用、工控、物聯(lián)網(wǎng)等新應(yīng)用浮現(xiàn),就出現(xiàn)供不應(yīng)求情況。

以MOSFET來說,過去10年因?yàn)槭袌?chǎng)需求集中在計(jì)算機(jī)或手機(jī)等3C產(chǎn)品,但I(xiàn)DM廠每年都有擴(kuò)增產(chǎn)能及制程微縮動(dòng)作,在市場(chǎng)供貨充足情況下,價(jià)格年年下殺,所以當(dāng)價(jià)格在2015年及2016年時(shí)跌到幾乎無法賺錢的時(shí)后,IDM廠開始淡出市場(chǎng),如日本瑞薩(Renesas)就在3年前宣布退出3C應(yīng)用MOSFET市場(chǎng),英飛凌、威世(Vishay)、意法、安森美(ON Semi)等國(guó)際IDM大廠近幾年來也并無擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

近幾年來許多新需求正在快速起飛,如電動(dòng)車及先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都要用到更多的MOSFET,或是基于MOSFET的絕緣閘雙極晶體管(IGBT),至于物聯(lián)網(wǎng)、云端運(yùn)算等新應(yīng)用在近2年成長(zhǎng)加速,大量消化MOSFET產(chǎn)能,導(dǎo)致應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及智能型手機(jī)等3C產(chǎn)品的MOSFET供貨不足,價(jià)格也已連續(xù)3季度調(diào)漲。

下半年進(jìn)入傳統(tǒng)旺季,但國(guó)際IDM廠再度延長(zhǎng)MOSFET交期,其中,低壓及高壓MOSFET交期已拉長(zhǎng)到30~40周,絕緣閘雙極晶體管(IGBT)交期則上看30周。在此情況下,IDM廠下半年幾乎沒有多余產(chǎn)能可以接單,也導(dǎo)致ODM/OEM廠及系統(tǒng)廠大舉轉(zhuǎn)單***MOSFET廠,而包括富鼎、大中、杰力、尼克松等***業(yè)者滿手訂單,而且訂單已滿載到年底。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9428

    瀏覽量

    229677
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29991

    瀏覽量

    258387

原文標(biāo)題:中興急單加價(jià)狂掃貨,臺(tái)MOSFET廠漲風(fēng)再起

文章出處:【微信號(hào):ameya360,微信公眾號(hào):皇華電子元器件IC供應(yīng)商】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    存儲(chǔ)明年漲不停,AI SoC、手機(jī)還將繼續(xù)漲價(jià)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)存儲(chǔ)漲價(jià)潮似乎仍沒有緩解的跡象,近期不少芯片廠商、終端廠商都公開談?wù)摿舜鎯?chǔ)漲價(jià)的影響。他們一方面感嘆存儲(chǔ)漲價(jià)漲太高,另一方面開始積極簽合約、保障供應(yīng),但也不可避免地要
    的頭像 發(fā)表于 12-01 09:18 ?2119次閱讀
    存儲(chǔ)明年漲不停,AI SoC、手機(jī)還將繼續(xù)<b class='flag-5'>漲價(jià)</b>

    為什么超級(jí)結(jié) GaN Sic能避免熱損耗? #MOS #MOS管 #mosfet #mosfet工作原理

    MOSFET
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:43:24

    功率MOSFET管的應(yīng)用問題分析

    電路、同步BUCK變換器下管以及隔離變換器次級(jí)同步整流MOSFET管,還要考慮內(nèi)部寄生體二極管的反向恢復(fù)性能。各種參數(shù)選取要結(jié)合具體應(yīng)用。 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中,VGS(th)到米勒平臺(tái)電壓VGP這一段
    發(fā)表于 11-19 06:35

    開關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

    一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通(開)和關(guān)斷(關(guān))狀態(tài)之間的切換速度,通常以上升時(shí)間(tr)、下降時(shí)間(tf)和開關(guān)時(shí)間(ts)來描述。開關(guān)速度越快,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 07-01 14:12 ?599次閱讀
    <b class='flag-5'>從</b>開關(guān)速度看<b class='flag-5'>MOSFET</b>在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

    MOSFET與IGBT的區(qū)別

    MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同. 1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng),IXYS有一款MOSFET
    發(fā)表于 03-25 13:43

    MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

    )與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來提高電源轉(zhuǎn)換效率之外,新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET 的特性
    發(fā)表于 03-24 15:03

    超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET,電源客戶
    的頭像 發(fā)表于 03-01 08:53 ?977次閱讀
    超結(jié)<b class='flag-5'>MOSFET</b>升級(jí)至650V碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>的根本驅(qū)動(dòng)力分析

    MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

    MOSFET輸入電容,Rg為MOSFET的柵極電阻。 VGS電壓0增加到開啟閾值電壓VTH前,漏極沒有電流流過,時(shí)間t1為: VGS電壓VTH增加到米勒平臺(tái)電壓VGP的時(shí)間t
    發(fā)表于 02-26 14:41

    SN74AC74將CLK和D端使用同一個(gè)信號(hào),Q輸出0變?yōu)?/b>高,請(qǐng)問大神是什么原因造成的呢?

    的過程中(下降沿),Q輸出0變?yōu)?/b>高,請(qǐng)問大神是什么原因造成的呢?規(guī)格書上顯示上升沿動(dòng)作,怎么會(huì)下降沿也動(dòng)作呢?謝謝
    發(fā)表于 01-07 06:36

    MOSFET在電子醫(yī)療的應(yīng)用 #半導(dǎo)體 #MOS管 #醫(yī)療 #電子 #應(yīng)用

    MOSFET
    微碧半導(dǎo)體VBsemi
    發(fā)布于 :2024年12月24日 11:15:41