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?ESDZX168B-1BF4 TVS二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

科技觀察員 ? 2025-10-17 14:56 ? 次閱讀
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STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4雙向單線TVS二極管設(shè)計用于保護數(shù)據(jù)線或使其他I/O端口免遭靜電放電瞬變的影響。該器件具有超低電容,可保護高速差分線路,而不會影響信號完整性。STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4還具有極低的鉗位電壓,可保護最敏感的亞微米技術(shù)電路。

數(shù)據(jù)手冊;*附件:STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4雙向單線TVS二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf

特性

  • 關(guān)斷電壓:16V
  • 超低鉗位電壓:32V(16A Ipp TLP時)
  • 雙向保護
  • 超低電容:0.12pF
  • 超高帶寬:>40GHz
  • 超低動態(tài)電阻:0.8?
  • 0201封裝
  • 符合ECOPACK^?^ 2的元件
  • 超過IEC 61000-4-2 4級標(biāo)準(zhǔn)
    • ±12kV(接觸放電)
    • ±30kV(空氣放電)

電路圖

1.png

?ESDZX168B-1BF4 TVS二極管技術(shù)解析與應(yīng)用指南?


一、核心特性與設(shè)計亮點

  1. ?超低電容與高頻性能?
    • 電容僅0.12 pF,帶寬>40 GHz,適用于USB4/HDMI 2.1等高速接口(如DisplayPort 1.4/2.0),可避免信號完整性劣化。
    • 動態(tài)電阻低至0.8 Ω,顯著降低ESD事件中的電壓過沖。
  2. ?雙向保護與強抗干擾能力?
    • 支持±16V反向工作電壓,通過IEC 61000-4-2 Level 4認(rèn)證(接觸放電±12kV/空氣放電±30kV)。
    • 典型鉗位電壓32V@16A(TLP測試),能保護納米級芯片免受瞬態(tài)損壞。
  3. ?微型化封裝?
    • 0201封裝(0.58×0.28mm)節(jié)省PCB空間,符合ECOPACK2環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),適合高密度設(shè)計。

二、關(guān)鍵參數(shù)深度解讀

參數(shù)測試條件典型值意義
?VCL?8/20μs波形, IPP=16A32V實際ESD防護時的電壓上限
?RD?TLP測試, 100ns脈沖0.8Ω決定瞬態(tài)響應(yīng)速度
?IRM?VRM=16V, Tj=25°C50nA靜態(tài)功耗指標(biāo)
?S21衰減?頻率≤40GHz<-3dB高頻信號傳輸損耗極低

圖3顯示電容隨頻率穩(wěn)定在0.1-0.17pF(1MHz-5GHz),證明其寬帶穩(wěn)定性。


三、典型應(yīng)用場景

  1. ?高速差分線保護?
    • 在USB 3.2 Gen 2×2(20Gbps)中,需配合PCB對稱布局(參見3.5節(jié))以抑制信號傾斜。
    • 以太網(wǎng)10G PHY接口推薦使用SMD焊盤設(shè)計(圖12),減少寄生電感。
  2. ?敏感電路防護?
    • 對CMOS傳感器等器件,其30ns鉗位電壓28V(圖4)可避免柵極擊穿。

四、PCB設(shè)計要點

  • ?焊接工藝?
    • 鋼網(wǎng)開口厚度75μm,錫膏顆粒20-38μm(3.3節(jié))
    • 回流曲線峰值240-245℃(圖14),斜率控制±3°C/s以內(nèi)
  • ?布局規(guī)范?
    • 避免非對稱通孔(3.5節(jié)),推薦封閉式過孔
    • 貼裝壓力1.0N(3.4節(jié)),光學(xué)對位精度±0.05mm

五、選型對比建議

與傳統(tǒng)TVS相比,ESDZX168B-1BF4在以下場景更具優(yōu)勢:

  • 需要保護28Gbps+ SerDes鏈路時(如PCIe 5.0)
  • 柔性PCB(FPC)組裝場景(需嚴(yán)格支撐板件,見3.6節(jié))

注:量產(chǎn)批次建議驗證TLP曲線(圖7)是否符合VCL≤32V@16A的承諾值。

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