碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個常用的基本品種,都屬α-SiC。①黑碳化硅含SiC約95%,其韌性高于綠碳化硅,大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料,如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬等。②綠碳化硅含SiC約97%以上,自銳性好,大多用于加工硬質(zhì)合金、鈦合金和光學(xué)玻璃,也用于珩磨汽缸套和精磨高速鋼刀具。此外還有立方碳化硅,它是以特殊工藝制取的黃綠色晶體,用以制作的磨具適于軸承的超精加工,可使表面粗糙度從Ra32~0.16微米一次加工到Ra0.04~0.02微米。
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
149文章
10454瀏覽量
179579 -
氮化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
67文章
1915瀏覽量
120140 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3546瀏覽量
52664
發(fā)布評論請先 登錄
碳化硅 (SiC) MOSFET 雙脈沖實驗 (DPT) 數(shù)據(jù)處理與開關(guān)損耗精準(zhǔn)提取
技術(shù)突圍與市場破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級路徑
采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領(lǐng)功率半導(dǎo)體創(chuàng)新
碳化硅功率器件的基本特性和主要類型
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
簡述碳化硅功率器件的應(yīng)用領(lǐng)域
基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案
碳化硅功率器件在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動器
采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢介紹
評論