SC2溶液通常不建議重復(fù)使用，主要原因如下：

污染物累積導(dǎo)致效率下降

SC2溶液（典型配方為HCl:H?O?:H?O）在清洗過(guò)程中會(huì)逐漸溶解金屬離子、顆粒物及其他雜質(zhì)。隨著使用次數(shù)增加，溶液中的污染物濃度升高，不僅降低對(duì)新硅片的清洗效果，還可能因飽和而析出沉淀，造成二次污染。例如，溶解的銅離子若達(dá)到一定濃度后，反而可能重新附著在晶圓表面形成缺陷。

過(guò)氧化氫分解產(chǎn)物會(huì)影響反應(yīng)動(dòng)力學(xué)特性，多次使用后有效成分減少，導(dǎo)致氧化能力衰減，無(wú)法徹底去除頑固殘留物。

化學(xué)組分失衡破壞工藝窗口

鹽酸作為強(qiáng)酸參與蝕刻和絡(luò)合反應(yīng)，其濃度隨消耗動(dòng)態(tài)變化。重復(fù)使用時(shí)，若未及時(shí)補(bǔ)充新鮮試劑，會(huì)導(dǎo)致pH值漂移，影響各向異性蝕刻精度。對(duì)于精密結(jié)構(gòu)（如FinFET晶體管溝槽），這種波動(dòng)可能造成側(cè)壁過(guò)度腐蝕或形貌失控。

雙氧水的自催化分解特性使其在不同批次間的穩(wěn)定性難以保證，尤其在光照或高溫環(huán)境下加速失效，進(jìn)一步加劇組分比例失調(diào)。

交叉污染風(fēng)險(xiǎn)與缺陷引入

不同批次晶圓攜帶的污染物類型存在差異（如有機(jī)物、無(wú)機(jī)鹽混合污染），舊溶液中殘留的前序工藝化學(xué)物質(zhì)可能發(fā)生不可預(yù)見(jiàn)的副反應(yīng)。例如，光刻膠碎片與金屬離子結(jié)合形成的復(fù)合污染物更難被清除。

懸浮顆粒物的磨蝕作用隨循環(huán)次數(shù)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，這些微米級(jí)粒子在機(jī)械力作用下容易劃傷低介電常數(shù)材料層，造成介電擊穿隱患。

工藝控制難度驟增

實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)參數(shù)（如ORP氧化還原電位、電導(dǎo)率）的準(zhǔn)確性依賴于溶液初始狀態(tài)的穩(wěn)定性。使用過(guò)的溶液因成分復(fù)雜化導(dǎo)致傳感器校準(zhǔn)失效，閉環(huán)控制系統(tǒng)難以維持設(shè)定的工藝曲線。

兆聲波輔助清洗時(shí)，氣泡空化效應(yīng)會(huì)被已污染的溶液抑制，聲能傳遞效率下降，削弱對(duì)深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND孔洞）的清洗能力。

經(jīng)濟(jì)性與良率權(quán)衡

雖然單次使用成本較高，但考慮到清洗失敗導(dǎo)致的返工損失及設(shè)備維護(hù)費(fèi)用，新鮮溶液的綜合成本反而更低。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，重復(fù)使用超過(guò)兩次后，晶圓表面粗糙度（Ra值）增加，接觸角變小，直接影響后續(xù)薄膜沉積質(zhì)量。

對(duì)于先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)（如7nm以下），即使微量的鈉鉀離子殘留也會(huì)導(dǎo)致閾值電壓偏移，此時(shí)必須采用一次性高純度溶液以確保器件可靠性。

環(huán)保合規(guī)性挑戰(zhàn)

廢液回收系統(tǒng)需要處理多種螯合態(tài)金屬配合物，成分復(fù)雜的老化溶液增加了廢水處理的難度和成本。環(huán)保法規(guī)對(duì)重金屬排放的限制使得多級(jí)中和沉淀成為必需步驟，間接推高了運(yùn)營(yíng)成本。

因此，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，SC2溶液一般作為一次性試劑使用。實(shí)際生產(chǎn)中可通過(guò)優(yōu)化清洗時(shí)間、溫度及流量等參數(shù)來(lái)提高單次利用率，同時(shí)建立嚴(yán)格的廢液分類收集體系實(shí)現(xiàn)資源回收。對(duì)于研究型實(shí)驗(yàn)或非關(guān)鍵工序，經(jīng)嚴(yán)格檢測(cè)確認(rèn)性能達(dá)標(biāo)的剩余溶液可謹(jǐn)慎用于預(yù)處理步驟，但需避免用于精密結(jié)構(gòu)清洗。