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芯導(dǎo)科技助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控加速

芯導(dǎo)科技Prisemi ? 來源:芯導(dǎo)科技Prisemi ? 2025-10-23 14:53 ? 次閱讀
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功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控

國產(chǎn)替代勢不可擋

在地緣政治的影響下,供應(yīng)鏈自主可控已成為長期議題,推動國產(chǎn)半導(dǎo)體替代、保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定,已成為國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界的共識與迫切需求。

作為國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)之一,芯導(dǎo)科技(688230.SH)憑借完善的產(chǎn)品線布局和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新,正為全球客戶提供功率半導(dǎo)體的可靠替代方案,展現(xiàn)出強(qiáng)勁的國產(chǎn)化支撐能力!

產(chǎn)品線全面覆蓋

國產(chǎn)替代能力突出

1防護(hù)器件

芯導(dǎo)科技靜電、浪涌防護(hù)產(chǎn)品,主要應(yīng)用于高速信號線、數(shù)據(jù)線、Vbus、Vbat以及各種接口的保護(hù)應(yīng)用。工作電壓涵蓋1V~440V,采用單路、多路、單向、雙向等多種結(jié)構(gòu)設(shè)計。產(chǎn)品陣容齊整,性能突出,性價比高,可滿足各類應(yīng)用的設(shè)計需求。

2MOSFET

芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品,包括12~200V中低壓產(chǎn)品,以及500~700V高壓MOS產(chǎn)品,采用平面、溝槽、屏蔽柵、超結(jié)等工藝技術(shù),產(chǎn)品參數(shù)齊全,性能優(yōu)異,廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、智能穿戴、電機(jī)、電源、網(wǎng)絡(luò)通訊、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、光伏儲能等眾多領(lǐng)域。

3GaN HEMT

采用P-GaN技術(shù)開發(fā)的GaN HEMT系列產(chǎn)品具有Qg小、開關(guān)速度快等特點(diǎn);雙向GaN技術(shù),可以實現(xiàn)1顆GaN替代兩顆Si MOS,節(jié)省占板面積50%;Cascode系列產(chǎn)品具有高閾值電壓高可靠性的特點(diǎn),兼容12V硅MOS驅(qū)動設(shè)計,更容易實現(xiàn)替代方案。

4SiC MOS&SiC SBD

采用第三代平面技術(shù)開發(fā)的SiC MOSFET系列產(chǎn)品,具有更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)速度和更好的導(dǎo)熱性能,適用于更高溫、高壓的工作環(huán)境。

采用第三代MPS(Merged PiN Schottky Diode)技術(shù)開發(fā)的SiC SBD系列產(chǎn)品,具有Vf較低,開通損耗低,浪涌能力高,反向恢復(fù)時間快等特點(diǎn),適用于高頻開關(guān)電源的設(shè)計中。

5整流器件及小信號器件

芯導(dǎo)科技能夠提供20V-200V肖特基二極管SBD、50V-1000V快恢復(fù)二極管FRD、50V-1000V整流橋Bridge、50-1000V整流二極管 Rectifier Diode、三極管Transistor、數(shù)字三極管 Digital Transistor 等產(chǎn)品,滿足客戶電路設(shè)計需求。廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、泛工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。

6功率IC

芯導(dǎo)科技IC產(chǎn)品經(jīng)過多年發(fā)展,形成了以電源管理芯片產(chǎn)品工藝為基礎(chǔ)的技術(shù)平臺,涵蓋鋰電池充電芯片(開關(guān)充電 芯片、線性充電芯片)、鋰電池保護(hù)芯片、OVP過壓保護(hù)芯片、負(fù)載開關(guān)、音頻功率放大器、DC/DC電源芯片等多種類型的成熟量產(chǎn)產(chǎn)品系列,緊密貼合客戶需要,持續(xù)更新技術(shù)、迭代產(chǎn)品。

立足車規(guī),自主可控

通過積極的產(chǎn)業(yè)整合,芯導(dǎo)科技構(gòu)建了安全、穩(wěn)定的車規(guī)級產(chǎn)品供應(yīng)鏈體系,全面強(qiáng)化質(zhì)量管理,旨在為客戶提供高性能、高可靠性的“一站式”國產(chǎn)化替代選擇,助力客戶提升供應(yīng)鏈韌性。

工藝布局優(yōu)勢

源于三大核心能力

卓越的技術(shù)廣度:

橫跨微米(0.6μm, 0.35μm)到納米(90nm, 55nm)的多元制程節(jié)點(diǎn),并掌握CMOS、BCD、MOSFET、IGBT、TVS乃至第三代半導(dǎo)體(GaN, SiC)等核心技術(shù),滿足從基礎(chǔ)到尖端的全方位需求。

全產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略協(xié)同:

芯導(dǎo)科技與國內(nèi)知名Fab廠、封測廠商深度綁定,確保從晶圓制造封裝測試(如WLCSP、Flip-Chip、FOPLP、DFN/QFN)的每一環(huán)都具備領(lǐng)先的工藝制程與穩(wěn)定的產(chǎn)能支持;滿足消費(fèi)級、工業(yè)級、汽車級各類客戶的應(yīng)用需求。

領(lǐng)先的規(guī)?;圃欤?/p>

依托成熟的6吋、8吋及12吋晶圓制造平臺,我們具備強(qiáng)大的規(guī)?;慨a(chǎn)能力,能夠為客戶提供兼具性能、成本與交付優(yōu)勢的最佳解決方案。

積極響應(yīng)國家戰(zhàn)略

助力產(chǎn)業(yè)鏈安全可控

在當(dāng)前國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速調(diào)整的背景下,芯導(dǎo)科技積極響應(yīng)國家關(guān)于科技自立自強(qiáng)、產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的號召,持續(xù)加大研發(fā)投入,擴(kuò)充產(chǎn)能,優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。公司致力于為國內(nèi)客戶提供高性能、高可靠性的半導(dǎo)體產(chǎn)品,助力降低對國外供應(yīng)商的依賴,增強(qiáng)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球競爭中的話語權(quán)。

企業(yè)介紹

芯導(dǎo)科技(Prisemi)專注于高品質(zhì)、高性能的模擬集成電路和功率器件的開發(fā)及銷售,總部位于上海市張江科學(xué)城。

公司于2009年成立,至今已獲國家級專精特新“小巨人”企業(yè)、“上市公司金牛獎”、“上市公司金質(zhì)量獎”、“功率半導(dǎo)體領(lǐng)軍企業(yè)”、“上海市規(guī)劃布局內(nèi)重點(diǎn)集成電路企業(yè)”、“高新技術(shù)企業(yè)”、“上海市科技小巨人企業(yè)”等榮譽(yù)資質(zhì),并已擁有百余項知識產(chǎn)權(quán)。公司已在上海證券交易所科創(chuàng)板上市,股票簡稱"芯導(dǎo)科技",股票代碼為688230.SH。

芯導(dǎo)科技專注于功率IC(鋰電池充電管理 IC、OVP過壓保護(hù) IC、音頻功率放大器、GaN 驅(qū)動與控制IC、DC/DC電源IC等)以及功率器件(ESD、EOS/TVS、MOSFET、GaN HEMT、SiC MOS、SiC SBD、IGBT等)的開發(fā)及應(yīng)用。公司在深耕國內(nèi)市場的同時,積極拓展海外市場,目前產(chǎn)品已遠(yuǎn)銷歐美日韓及東南亞等國家與地區(qū),可應(yīng)用于移動終端、網(wǎng)絡(luò)通信、安防工控、電源、儲能、汽車電子、光伏逆變器等領(lǐng)域。

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原文標(biāo)題:打造自主可控供應(yīng)鏈!芯導(dǎo)科技功率半導(dǎo)體產(chǎn)品強(qiáng)力支撐

文章出處:【微信號:Prisemi,微信公眾號:芯導(dǎo)科技Prisemi】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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