三大存儲廠試產(chǎn) 打破內(nèi)存壟斷局面
據(jù)報道，今年下半年，國內(nèi)三大存儲廠商長江存儲、福建晉華、合肥長鑫將相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。國產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時難以撼動三星、美光、SK海力士等國際存儲巨頭的地位，但或?qū)θ虼鎯κ袌鰞r格走勢產(chǎn)生影響。
目前，中國存儲產(chǎn)業(yè)有投入NAND Flash市場的長江存儲，有專注于手機(jī)內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于DRAM內(nèi)存的福建晉華三大陣營。近期傳出合肥長鑫投產(chǎn)8Gb LPDDR4規(guī)格的DRAM芯片，被視為我國DRAM產(chǎn)業(yè)的里程碑事件，這款DRAM芯片或?qū)⒂诮衲昴甑浊巴瞥?GB DDR4工程樣品，2019年Q3正式推出8GB LPDDR4內(nèi)存。
紫光旗下的長江存儲已獲得首筆超過1萬顆的晶片訂單，但32層3D NAND Flash量產(chǎn)規(guī)模仍有限，單月僅約5000片，長江存儲的研發(fā)重點(diǎn)將集中于64層3D NAND Flash，2018年底前推出第一個產(chǎn)品樣本，預(yù)計2020年產(chǎn)能快速推進(jìn)至單月10萬片。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計，從2020～2021年起，中國存儲產(chǎn)業(yè)將開始取得全球產(chǎn)業(yè)話語權(quán)。
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原文標(biāo)題：內(nèi)存壟斷即將打破：國內(nèi)三大存儲廠將試產(chǎn)
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