Vishay/Sfernice TSM3微調(diào)電阻器設(shè)計用于表面貼裝微型微調(diào)電位器,采用多圈金屬陶瓷密封,性能和穩(wěn)定性卓越。 此系列微調(diào)電阻器設(shè)計緊湊,可節(jié)省電路板空間,經(jīng)密封可耐受標準電路板沖洗處理。TSM3電阻器與自動PCB組件(拾取貼裝)兼容,并可耐受標準回流焊接工藝。此系列微調(diào)電位器的工作溫度范圍為-65°C至150°C。TSM3電阻器符合RoHS標準,采用3mm x 4mm x 4mm的小尺寸封裝,微調(diào)可提供容積效率。
數(shù)據(jù)手冊;*附件:Vishay , Sfernice TSM3微調(diào)電阻器數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 0.125W(70°C溫度時)
- 專業(yè)級和工業(yè)級
- 寬歐姆范圍: 10Ω至2MΩ
- 尺寸非常小,可實現(xiàn)最佳封裝密度
- 頂部和側(cè)面調(diào)節(jié)類型
電路圖

性能圖表

Vishay TSM3微調(diào)電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
一、產(chǎn)品概述與技術(shù)特性
核心設(shè)計特點
TSM3微調(diào)電阻器是Vishay Sfernice推出的表面貼裝微型多圈陶瓷微調(diào)電阻器,專為追求高封裝密度和穩(wěn)定性能的應(yīng)用場景設(shè)計。其最突出的優(yōu)勢在于?極小尺寸?(3 mm × 4 mm × 4 mm)與?高性能?的完美結(jié)合。
?關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)?:
- 功率等級:70°C環(huán)境下0.125 W
- 電阻范圍:10 Ω至2 MΩ(覆蓋絕大多數(shù)應(yīng)用需求)
- 調(diào)整圈數(shù):11圈±2,提供精確的微調(diào)能力
- 溫度系數(shù):±100 ppm/°C(-55°C至+125°C)
- 接觸電阻變化:典型值3%或3 Ω(取較大值)
機械結(jié)構(gòu)設(shè)計
產(chǎn)品提供三種調(diào)整方式:
- ?側(cè)調(diào)式?:TSM3ZJ、TSM3ZL型號
- ?頂調(diào)式?:TSM3YJ型號
?尺寸精度?:所有尺寸公差控制在±0.5 mm范圍內(nèi),確保批量生產(chǎn)的一致性。
二、電氣性能深度分析
功率特性曲線
功率降額曲線顯示明確的熱特性:
- 70°C環(huán)境溫度下維持0.125 W額定功率
- 隨著溫度升高,功率承載能力線性下降
- 150°C環(huán)境溫度時功率接近零
電阻-電壓-電流關(guān)系
通過標準電阻元件數(shù)據(jù)表可以發(fā)現(xiàn)重要規(guī)律:
?線性關(guān)系分析?:
- 低阻值段(10Ω-500Ω):最大工作電壓主導(dǎo)設(shè)計
- 高阻值段(500KΩ-2MΩ):功率限制成為主要約束
?典型工作區(qū)間?:
- 1KΩ電阻:最大工作電壓35.36 V,最大電流35.4 mA
- 10KΩ電阻:最大工作電壓111.80 V,最大電流11.2 mA
三、PCB設(shè)計與焊接工藝
推薦焊盤設(shè)計
焊盤設(shè)計遵循業(yè)界標準,確保焊接可靠性:
?關(guān)鍵尺寸要求?:
- 焊盤間距:精確匹配引腳布局
- 焊盤尺寸:優(yōu)化熱容量分布
- 接地設(shè)計:提供良好的熱管理
回流焊工藝控制
建議采用標準的回流焊溫度曲線:
- 參考Vishay應(yīng)用筆記www.vishay.com/doc?52029
- 適應(yīng)無鉛焊接工藝要求
- 兼容自動化PCB組裝流程
四、可靠性測試與環(huán)境適應(yīng)性
環(huán)境耐受性能
經(jīng)過嚴格的環(huán)境測試驗證:
?主要測試項目?:
- ?負載壽命?:1000小時@70°C額定功率,總電阻漂移±3%
- ?濕熱測試?:符合MIL-STD-202方法106
- ?熱沖擊?:5次循環(huán)測試,性能穩(wěn)定
- ?機械耐久?:200次旋轉(zhuǎn)循環(huán)測試
?密封性能?:
- 密封容器設(shè)計
- 耐受標準板清洗工藝
- 潮濕敏感等級:MSL 1級
五、選型指南與應(yīng)用建議
選型編碼解析
完整的型號編碼示例:TSM3 Y J 1 0 3MR 1 0
?各部分含義?:
- TSM3:產(chǎn)品系列
- Y/Z:調(diào)整樣式
- 數(shù)字編碼:電阻值(103 = 10 kΩ)
- 容差代碼:M = 20%
- 包裝代碼:R10 = 500只卷盤包裝
設(shè)計注意事項
?布局考慮?:
- 確保調(diào)整工具可達性
- 預(yù)留足夠的散熱空間
- 考慮與其他組件的安全間距
?電氣設(shè)計要點?:
- 不超過最大工作電壓限制
- 注意滑動接觸電流限制
- 充分考慮功率降額要求
六、典型應(yīng)用場景
精密儀器校準
利用11圈微調(diào)能力,在測試測量設(shè)備中實現(xiàn):
消費電子產(chǎn)品
在空間受限的應(yīng)用中:
七、質(zhì)量控制與版本管理
?重要提示?:
- 文檔版本:2024年7月11日修訂
- 文檔編號:51093
- 產(chǎn)品可能變更,請以最新版本為準
技術(shù)優(yōu)勢總結(jié)
TSM3微調(diào)電阻器成功在極小的封裝內(nèi)集成了:
- 寬范圍電阻選擇
- 精確的多圈調(diào)整
- 可靠的密封結(jié)構(gòu)
- 標準的自動化兼容性
-
電阻器
+關(guān)注
關(guān)注
22文章
4239瀏覽量
65422 -
電位器
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
1028瀏覽量
69258 -
表面貼裝
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
449瀏覽量
19658
發(fā)布評論請先 登錄
Vishay推出微型密封多匝SMD微調(diào)電位器TSM3
威世科技推出全新TSM3系列多匝微調(diào)電位器
Vishay RNC55系列金屬膜電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?基于Vishay TSM41微調(diào)電位器的精密電路設(shè)計與應(yīng)用解析
Vishay WSBR系列電流檢測電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?高頻薄膜MELF電阻器的技術(shù)特性與應(yīng)用解析
?Vishay FC系列薄膜高頻電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Power Metal Strip?電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?高壓SMD電阻器樣品套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Techno FHV系列徑向厚膜平面電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay Techno TR系列厚膜平面電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
?Vishay TNPW系列含鉛薄膜片式電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay RCS e3大功率厚膜片式電阻器套件技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay PEP功率增強型薄膜片式電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay TSM3微調(diào)電阻器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
評論