LZ-DZ200電能質(zhì)量在線監(jiān)測裝置

工業(yè)強干擾場景（如鋼鐵廠、變頻器集群、高壓設(shè)備附近）選擇信號調(diào)理設(shè)備接地方式，核心原則是“隔離地環(huán)路 + 屏蔽輻射 + 穩(wěn)定電位”—— 優(yōu)先采用 “浮地為核心 + 屏蔽層單端接地 + 內(nèi)部單點匯接” 的組合方案，徹底阻斷地電位差、電磁輻射、線纜耦合三類干擾，具體選擇方法如下：

一、核心接地組合方案：浮地 + 屏蔽層單端接地 + 內(nèi)部單點匯接

這是工業(yè)強干擾場景的最優(yōu)解，三者協(xié)同覆蓋 “地環(huán)路隔離、線纜屏蔽、內(nèi)部電位統(tǒng)一”，比單一接地方式抗干擾能力提升 80% 以上。

1. 基礎(chǔ)：浮地（阻斷地環(huán)路干擾）

選擇邏輯：工業(yè)強干擾場景中，信號源（如互感器）與調(diào)理設(shè)備可能異地安裝，地電位差可達數(shù)伏甚至數(shù)十伏，單點接地會形成強干擾地環(huán)路，浮地能徹底切斷這一通路。

實操要求：

信號調(diào)理設(shè)備的信號地（SGND）與系統(tǒng)地、大地保持電氣隔離（隔離電阻≥10MΩ），搭配隔離放大器（如 ADI ADUM1400） 和隔離電源（DC-DC 隔離模塊，隔離電壓≥2kV），避免電源端引入干擾。

加裝 100kΩ~1MΩ 泄放電阻，防止靜電積累擊穿器件；外殼地（FGND）單獨接地（接地電阻≤10Ω），與信號地物理隔離。

適配場景：互感器與調(diào)理設(shè)備距離＞5m、變頻器 / 高壓設(shè)備密集、地電位波動大的場景（如車間生產(chǎn)線、戶外箱變）。

2. 關(guān)鍵：屏蔽層單端接地（阻斷線纜輻射干擾）

選擇邏輯：強干擾場景中，互感器到調(diào)理設(shè)備的線纜會感應(yīng)電磁輻射（如變頻器的高頻噪聲、射頻干擾），屏蔽層單端接地能避免形成屏蔽環(huán)流，最大化屏蔽效果。

實操要求：

線纜選用雙絞屏蔽線，屏蔽層僅在信號源端（互感器側(cè)） 接地，調(diào)理設(shè)備側(cè)懸空；若線纜長度＞30m，可在中點加一個輔助接地點（仍保持單端主導(dǎo)）。

屏蔽層纏繞接地排≥3 圈，接地電阻≤10Ω，接頭處用熱縮管絕緣，避免與信號芯線短路。

避坑點：絕對禁止屏蔽層雙端接地（強干擾場景下，兩端地電位差大，會產(chǎn)生屏蔽環(huán)流，干擾信號）。

3. 補充：內(nèi)部單點匯接（穩(wěn)定設(shè)備內(nèi)部電位）

選擇邏輯：調(diào)理設(shè)備內(nèi)部有放大器、濾波器、PGA 等多個模塊，單點匯接能避免內(nèi)部電位紊亂，防止模塊間干擾。

實操要求：

設(shè)備內(nèi)部所有模塊的接地端匯總至一個 “內(nèi)部公共接地點”（如主板接地焊盤），該接地點不直接接地，僅作為內(nèi)部電位參考（浮地核心）。

信號地（SGND）與電源地（PGND）分開布線，最終在內(nèi)部公共接地點匯接，不交叉連接。

二、不同細分場景的微調(diào)方案（直接套用）

根據(jù)工業(yè)強干擾場景的具體差異（布線距離、干擾類型），對核心方案進行微調(diào)，確保適配性：

三、關(guān)鍵配套措施（強干擾場景必備）

僅靠接地不夠，需搭配以下措施，進一步提升抗干擾能力：

電源防護：調(diào)理設(shè)備電源輸入端加裝 EMI 濾波器（如 Schaffner FN 2090），過濾電網(wǎng)中的高頻干擾；選用線性穩(wěn)壓電源（如 LM317），確保 ADC 參考電壓穩(wěn)定。

器件選型：優(yōu)先選抗干擾能力強的調(diào)理器件（如 CMRR≥100dB 的放大器、寬溫型電容電阻），避免器件自身抗干擾不足。

接地電阻維護：每 3 個月測試一次接地電阻（信號源端、外殼地），確?！?0Ω，避免接地電阻增大導(dǎo)致抗干擾失效。

四、絕對禁止的接地方式（避坑核心）

禁止單一單點接地（無浮地）：強干擾場景下，地環(huán)路干擾無法阻斷，暫態(tài)信號會疊加工頻或高頻噪聲。

禁止屏蔽層雙端接地：形成屏蔽環(huán)流，干擾幅值可達 mV 級，16 位 ADC 的微弱信號會被完全淹沒。

禁止信號地與外殼地直接連通：外殼靜電或雷擊感應(yīng)會通過地線串入信號回路，損壞器件并破壞信號。

禁止多模塊共用接地線：不同模塊的干擾會通過共用接地線相互傳導(dǎo)，導(dǎo)致整體分辨率下降。

審核編輯 黃宇