由青銅劍技術(shù)和基本半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)聯(lián)合研發(fā)的驅(qū)動(dòng)板BSRD-2427，是一款專(zhuān)門(mén)針對(duì)34mm碳化硅MOSFET半橋模塊設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、強(qiáng)適應(yīng)性等特點(diǎn)，適用于碳化硅逆變弧焊機(jī)、碳化硅感應(yīng)加熱等應(yīng)用。

01產(chǎn)品特點(diǎn)

功率器件最高電壓1200V

單通道驅(qū)動(dòng)功率1W，峰值電流±10A

絕緣電壓高達(dá)4000Vac

集成隔離DC/DC電源

集成原邊/副邊電源欠壓保護(hù)

集成米勒鉗位

02配套零件

BSRD-2427所應(yīng)用到的雙通道隔離變壓器、單通道隔離驅(qū)動(dòng)芯片、正激DCDC電源芯片三款零件均為公司自主研發(fā)產(chǎn)品，客戶(hù)可分別采購(gòu)進(jìn)行整體方案的設(shè)計(jì)。

隔離驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用正激DC-DC芯片BTP1521x

//產(chǎn)品特點(diǎn)

輸出功率可達(dá)6W

適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電

正激電路（H橋逆變或推挽逆變）

軟啟動(dòng)時(shí)間1.5ms

工作頻率可編程，最高工作頻率可達(dá)1.3MHz

VCC供電電壓可達(dá)24V

VCC欠壓保護(hù)點(diǎn)4.7V

工作環(huán)境-40~125℃

芯片過(guò)溫保護(hù)點(diǎn)150℃，過(guò)溫恢復(fù)點(diǎn)120℃

體積封裝小

//應(yīng)用推薦電路圖

DC1和DC2接變壓器原邊線圈，副邊二極管橋式整流，組成開(kāi)環(huán)的全橋拓?fù)洌℉橋逆變），輸出功率可達(dá)6W，輸出經(jīng)過(guò)電阻和穩(wěn)壓管分壓后構(gòu)成正負(fù)壓，供碳化硅MOSFET使用，適用于給隔離驅(qū)動(dòng)芯片副邊電源供電。

BTP1521推薦電路（功率6W情況下）

當(dāng)副邊需求功率大于6W時(shí)，可以使用推挽逆變拓?fù)?，通過(guò)DC1和DC2端控制外接的MOSFET增加輸出功率。

BTP1521推薦電路（功率大于6W情況下）

雙通道隔離變壓器TR-P15DS23-EE13

//產(chǎn)品特點(diǎn)

TR-P15DS23-EE13是驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)用的隔離電源變壓器

采用EE13骨架（磁芯材質(zhì)鐵氧體）

可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)器隔離供電，傳輸功率可達(dá)4W（每通道2W）

//BTP1521F搭配隔離變壓器TR-P15DS23-EE13典型應(yīng)用介紹

全橋式拓?fù)洌边厓陕份敵觯瑔温份敵龉β士蛇_(dá)2W，總輸出功率4W

輸入電壓15V，副邊全橋整流輸出全電壓（VISO-COM=23V）

輸出全電壓通過(guò)4.7V的穩(wěn)壓管，將全電壓拆分成正電壓（VISO-VS=18V），負(fù)電壓（COM-VS=-4V）

BTP1521F的OSC管腳通過(guò)電阻R5=42.2kΩ接地，設(shè)置工作頻率為F=477kHz

工作頻率可以通過(guò)RF-set電阻設(shè)置，本公式提供了RF-set(kΩ)和F(kHz)之間的關(guān)系（典型值）：

隔離驅(qū)動(dòng)BTD5350MCWR

//典型應(yīng)用介紹

原方VCC供電電壓15V

BTD5350xx是電壓型輸入的電容隔離的驅(qū)動(dòng)芯片，輸入INx是高阻抗引腳，如果輸入信號(hào)PCB布線不合理，容易導(dǎo)致輸入信號(hào)受到干擾。為了使芯片的輸入端表現(xiàn)為電流源特征，建議在PWM輸入接電阻R1=3kΩ到地。如果PWM電平為15V，則PWM線上的電流約為5mA，目的是使得PWM信號(hào)的線路上能產(chǎn)生足夠的電流，可以避免芯片輸入IN腳受到干擾，同時(shí)靠近芯片IN腳接濾波電容C1=100pF到地

副方電源VISO接+18V，COM接-4V，G連接到主功率板上的門(mén)極電阻

驅(qū)動(dòng)芯片米勒鉗位Clamp連接到主功率板上碳化硅MOSFET門(mén)極

//典型半橋應(yīng)用介紹---防橋臂直通互鎖設(shè)計(jì)

PWM1信號(hào)經(jīng)過(guò)RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN1+和IN2-，PWM2信號(hào)經(jīng)過(guò)RC網(wǎng)絡(luò)連接到IN2+和IN1-，進(jìn)行PWM信號(hào)輸入互鎖，當(dāng)PWM1和PWM2同時(shí)為高電平時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片BTD5350MCWR副邊同時(shí)輸出低電平，防止橋臂直通。

03適配模塊推薦

BSRD-2427驅(qū)動(dòng)板可適配基本半導(dǎo)體34mm封裝全碳化硅MOSFET半橋模塊，該模塊采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

產(chǎn)品特點(diǎn)

采用基本半導(dǎo)體第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，性能顯著提升

低導(dǎo)通電阻，高溫下RDS(on)表現(xiàn)優(yōu)異，導(dǎo)通損耗更低，穩(wěn)定性強(qiáng)

低開(kāi)關(guān)損耗，支持高頻運(yùn)行，功率密度大幅提升

高工作結(jié)溫，Tvj=175℃