GB-T 6219-1998 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 第一篇 1GHz、5W以下的單柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
分立器件
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
252瀏覽量
22226
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
半導(dǎo)體器件控制機(jī)理：MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通機(jī)制探析
在微電子系統(tǒng)中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管通過(guò)柵極電位的精確調(diào)控實(shí)現(xiàn)對(duì)主電流通路的智能管理，這種基于電位差的主控模式使其成為現(xiàn)代電路中的核心調(diào)控元件。實(shí)現(xiàn)這種精密控制的基礎(chǔ)源于器件內(nèi)部特殊的載流子遷移機(jī)制與電場(chǎng)調(diào)控特性。
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程
2010年，愛(ài)爾蘭 Tyndall 國(guó)家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此，半導(dǎo)體界興起了
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)解析
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor, JFET）是在同一塊 N型半導(dǎo)體上制作兩個(gè)高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極（
LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-26 16:00
?1次下載
TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-17 17:15
?0次下載
LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-07 11:33
?1次下載
LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-05 17:29
?0次下載
LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-04 18:05
?0次下載
LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-04 18:02
?0次下載
LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1725SI P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 03-04 16:32
?0次下載
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程
FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管
Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 02-13 15:23
?7次下載
互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞
一文解析現(xiàn)代場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)
菲爾德（Julius Edgar Lilienfeld）的一項(xiàng)專(zhuān)利中就已顯現(xiàn)。 盡管利利恩菲爾德從未制造出實(shí)物原型，但他在推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)突破方面發(fā)揮了決定性作用。他1925年申請(qǐng)的專(zhuān)利被廣泛認(rèn)為是世界上第一個(gè)
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論