onsemi BAV99W雙串列開關二極管技術解析與應用指南
onsemi BAV99W小信號開關二極管是雙二極管，包含兩個串聯(lián)封裝在SC-70/SOT-323表面貼裝封裝中的二極管。這些開關二極管專為高速開關應用而設計。BAV99W開關二極管采用小型封裝，符合AEC-Q101和PPAP要求。這些開關二極管是100V開關二極管，在215mADC 正向電流下工作。BAV99W二極管是ESD保護、極性反轉保護、數(shù)據(jù)線保護、電感負載保護和轉向邏輯的理想選擇。
數(shù)據(jù)手冊；*附件：onsemi BAV99W小信號開關二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- S和NSV前綴用于汽車和其他需要獨特場地和控制變更要求的應用領域
- 符合AEC-Q101標準并具有PPAP功能
- 100V
DC(VR) 反向電壓 - 215mA
DC(IF) 正向電流 - -65°C至150°C結點和存儲溫度范圍
- 500mA
DCIFM（浪涌）峰值正向浪涌電流 - 450mA (I
FRM) 重復峰值正向電流 - 封裝在SC-70/SOT-323表面貼裝封裝中
- 器件無鉛、無鹵素/溴化阻燃劑，并符合RoHS規(guī)范
機械制圖
?onsemi BAV99W雙串列開關二極管技術解析與應用指南?
一、產(chǎn)品概述與核心特性
BAV99W是安森美半導體推出的雙串列開關二極管，采用緊湊型SC-70封裝。其特殊型號BAV99WT1G在保持相同性能的前提下，實現(xiàn)了更小的封裝尺寸。
? 關鍵特性亮點： ?
- ?汽車級認證?：S和NSV前綴版本滿足AEC-Q101標準并支持PPAP
- ?環(huán)保合規(guī)?：無鉛、無鹵素/BFR且符合RoHS標準
- ?高溫穩(wěn)定性?：工作結溫范圍達-65℃至+150℃
- ?快速響應?：反向恢復時間僅6.0 ns（典型值）
? 目標應用領域： ?
- ESD靜電放電保護
- 電源極性反轉保護
- 數(shù)據(jù)線路保護
- 感性負載保護
- 邏輯控制導向
二、極限參數(shù)與安全工作區(qū)
? 絕對最大額定值（每只二極管）： ?
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|
| 反向電壓 | VR | 100 | Vdc | |
| 正向電流 | IF | 215 | mAdc | |
| 峰值正向浪涌電流 | IFM(surge) | 500 | mAdc | |
| 重復峰值反向電壓 | VRRM | 100 | V | |
| 平均整流正向電流 | IF(AV) | 715 | mA | 任意20ms周期平均值 |
| 重復峰值正向電流 | IFRM | 450 | mA | |
| 非重復峰值正向電流 | IFSM | 2.0/1.0/0.5 | A | 對應1ms/1ms/1s脈寬 |
? 重要提示： ? 超出極限參數(shù)可能導致器件永久損壞，此時不應假定器件功能正常，可靠性將受到影響。
三、熱管理與可靠性設計
? 熱特性參數(shù)： ?
| 條件 | 最大功耗 | 降額系數(shù) | 熱阻 | 溫度范圍 |
|---|---|---|---|---|
| FR-5基板 | 200 mW | 1.6 mW/℃ | 625 ℃/W | TA = 25℃ |
| 氧化鋁基板 | 300 mW | 2.4 mW/℃ | 417 ℃/W | TA = 25℃ |
? 散熱設計建議： ?
- 在FR-5基板上，環(huán)境溫度每升高1℃，最大允許功耗降低1.6 mW
- 采用高熱導率基板（如99.5%氧化鋁）可顯著提升散熱性能
- 結溫必須嚴格控制在150℃以內(nèi)確保長期可靠性
四、電氣性能深度分析
4.1 關斷特性
- ?反向擊穿電壓?：V(BR) = 100 Vdc @ I(BR) = 100 mA
- ?反向漏電流?：
- VR = 100 Vdc時：最大1.0 μA
- VR = 25 Vdc, TJ = 150℃時：最大30 μA
- VR = 70 Vdc, TJ = 150℃時：最大50 μA
4.2 動態(tài)性能指標
- ?二極管電容?：CD = 最大1.5 pF @ VR = 0, f = 1.0 MHz
- ?正向壓降?（隨電流變化）：
- IF = 1.0 mA時：最大715 mV
- IF = 10 mA時：最大855 mV
- IF = 50 mA時：最大1000 mV
- IF = 150 mA時：最大1250 mV
4.3 開關速度關鍵參數(shù)
- ?反向恢復時間?：trr = 最大6.0 ns
- 測試條件：IF = IR = 10 mA, iR(REC) = 1.0 mA, RL = 100 Ω
- ?正向恢復電壓?：VFR = 最大1.75 V
- 測試條件：IF = 10 mA, tr = 20 ns
五、封裝與引腳配置
? SC-70 (SOT-323) 封裝選項： ?
? BAV99WT1 (樣式9) 引腳定義： ?
- 引腳1：陽極1
- 引腳2：陰極1
- 引腳3：陰極/陽極（公共端）
? BAV99RWT1 (樣式10) 引腳定義： ?
- 引腳1：陰極1
- 引腳2：陽極1
- 引腳3：陽極/陰極（公共端）
? 標記識別系統(tǒng)： ?
- X7 = BAV99W
- F7 = BAV99RW
- M = 日期代碼
- G = 無鉛封裝標識
六、典型應用電路設計
6.1 ESD保護電路
在數(shù)據(jù)線接口處并聯(lián)BAV99W，利用其快速響應特性吸收靜電脈沖，保護后端敏感器件。
6.2 極性反轉保護
在電源輸入級串聯(lián)配置，防止因電源極性接反而損壞系統(tǒng)電路。
6.3 邏輯電平轉換
利用正向壓降特性實現(xiàn)不同邏輯電平之間的轉換接口。
6.4 測試電路配置
?反向恢復時間測試電路?（如圖1所示）：
- 負載電阻：820 Ω
- 限流電感：100 μH
- 隔直電容：0.1 μF
- 測試要點：確保輸入脈沖寬度tp遠大于反向恢復時間trr
七、選型與訂購指南
? 可用型號清單： ?
| 器件型號 | 封裝 | 包裝方式 | 數(shù)量 |
|---|---|---|---|
| BAV99WT1G | SC-70 | 卷帶 | 3,000 |
| SBAV99WT1G | SC-70 | 卷帶 | 3,000 |
| BAV99RWT1G | SC-70 | 卷帶 | 3,000 |
| SBAV99RWT1G | SC-70 | 卷帶 | 3,000 |
| BAV99WT3G | SC-70 | 卷帶 | 10,000 |
| NSVBAV99WT3G | SC-70 | 卷帶 | 10,000 |
八、設計注意事項
- ?布局優(yōu)化?：高頻應用時需最小化引線電感，避免影響開關性能
- ?熱設計驗證?：根據(jù)實際應用環(huán)境溫度重新計算允許功耗
- ?參數(shù)降額?：建議工作參數(shù)不超過額定值的80%以確保長期可靠性
- ?匹配驗證?：替換不同廠商的同類器件時需重新驗證驅動電路匹配性
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