在當(dāng)今高速發(fā)展的3C領(lǐng)域（計算機(jī)外設(shè)、通信及消費(fèi)電子），對存儲器的性能與功耗提出了更高要求。DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器作為核心存儲部件，其性能表現(xiàn)直接影響設(shè)備整體效能。Etron憑借其活緩沖DRAM解決方案，在高帶寬與低功耗之間取得了良好平衡，并推出全系列符合RoHS指令的綠色DRAM產(chǎn)品，滿足新興市場需求。

Etron提供業(yè)內(nèi)規(guī)格全面的專業(yè)緩沖存儲器，覆蓋從SDR、DDR到DDR4，以及LPDDR2、LPDDR4/4X等多種類型，I/O位寬從4位至64位，容量范圍涵蓋16Mb至32Gb。憑借其在SDR/DDR領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，以及作為DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4產(chǎn)品的主要國際供應(yīng)商，Etron能夠?yàn)椴煌瑧?yīng)用場景提供高度適配的DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器解決方案。

SDRAM(同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)是一種同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，也稱為SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)速率SDRAM)。SDR SDRAM的內(nèi)核、I/O和有效時鐘都是一樣的。單一數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個周期內(nèi)只能讀/寫一次。除了標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)溫度，Etron還提供定制的溫度范圍，如-20°C至70°C。

Etron的DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器主要包括以下幾類，以適應(yīng)不同的性能與環(huán)境需求：
①持久SDR SDRAM：適用于傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)及工業(yè)控制場景，具有良好的穩(wěn)定性。
②寬帶DDR SDRAM：面向高帶寬應(yīng)用，如網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備和高端計算外設(shè)。
③低功耗DDR SDRAM：專為便攜設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)計，顯著提升續(xù)航能力。
④低壓SDR與DDR SDRAM：通過降低工作電壓，實(shí)現(xiàn)在能耗敏感設(shè)備中的高效運(yùn)行。

Etron DRAM解決方案的主要特點(diǎn)
①創(chuàng)新的電路設(shè)計：通過優(yōu)化內(nèi)部架構(gòu)，提高信號完整性并降低延遲。
②嚴(yán)格的質(zhì)量控制：實(shí)施晶圓級老化測試，確保每一片DRAM在長期使用中保持高可靠性。
③高性價比：在成本與性能之間取得最佳平衡，適合大規(guī)模商用部署。
④小型化封裝：DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器緊湊的外形設(shè)計適應(yīng)空間受限的3C產(chǎn)品。
⑤高集成度：支持多芯片整合與系統(tǒng)級封裝，提升整體性能并簡化電路設(shè)計。

DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器部分型號
①DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM638165TS
②DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM638165BM
③DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM638325TS
④DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM638325BK
⑤DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM639165TS
⑥D(zhuǎn)RAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM639165BM
⑦DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM639325TS
⑧DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM639325BK
⑨DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63A165TS
⑩DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63A165BM
?DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63A325TS
?DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63A325BK
?DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63A085TS
?DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63B165TS
?DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器EM63B165BM

作為Etron的一級代理商，英尚微電子提供豐富的DRAM產(chǎn)品，具備專業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，能夠?yàn)榭蛻籼峁倪x型到設(shè)計服務(wù)。致力于為客戶提供DRAM動態(tài)隨機(jī)存取存儲器解決方案。如果您有DRAM產(chǎn)品方面的任何疑問，可以搜索英尚微電子網(wǎng)頁咨詢。

審核編輯 黃宇