解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT：性能、參數(shù)與應(yīng)用優(yōu)勢
解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT：性能、參數(shù)與應(yīng)用優(yōu)勢
在電子工程領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）作為功率半導(dǎo)體器件，在眾多應(yīng)用場景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入剖析 onsemi 推出的 FGHL60T120RWD IGBT，看看它有哪些獨特之處。
文件下載：onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT.pdf
產(chǎn)品概述
FGHL60T120RWD 采用了新穎的第 7 代場截止 IGBT 技術(shù)以及 Gen7 二極管，并封裝于 TO - 247 3 引腳封裝中。這種組合使得該器件在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠?qū)崿F(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)可控性，從而達(dá)成高效運行。其典型應(yīng)用場景包括電機(jī)控制、UPS（不間斷電源）、數(shù)據(jù)中心以及高功率開關(guān)等領(lǐng)域。
關(guān)鍵特性
低傳導(dǎo)損耗與優(yōu)化開關(guān)性能
該 IGBT 具備低傳導(dǎo)損耗的特點，這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，它能夠減少能量的損耗，提高系統(tǒng)的效率。同時，其優(yōu)化的開關(guān)性能可以確保在開關(guān)過程中快速、穩(wěn)定地切換狀態(tài)，降低開關(guān)損耗。
高結(jié)溫承受能力
最大結(jié)溫 $T_{J}$ 可達(dá) $175^{\circ}C$，這使得器件能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，適應(yīng)一些對散熱要求較高或者工作環(huán)境較為惡劣的應(yīng)用場景。
正溫度系數(shù)與易于并聯(lián)操作
正溫度系數(shù)的特性使得多個 FGHL60T120RWD IGBT 可以方便地進(jìn)行并聯(lián)操作，以滿足更高功率的需求。在并聯(lián)使用時，各個器件能夠自動平衡電流，避免出現(xiàn)熱失控等問題。
高電流能力與動態(tài)測試
具備高電流能力，并且所有器件都經(jīng)過 100% 的動態(tài)測試，這保證了產(chǎn)品的一致性和可靠性。同時，它還具有短路額定能力，能夠在短路情況下保護(hù)自身和整個系統(tǒng)。
環(huán)保合規(guī)
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，這表明該產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中遵循了環(huán)保要求，減少了對環(huán)境的影響。
主要參數(shù)
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 條件 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | $V_{CES}$ | - | 1200 | V |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓 | $V_{GES}$ | - | +20 | V |
| 瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 | - | - | ±30 | V |
| 集電極電流（$T_{c}=25^{\circ}C$） | $I_{c}$ | 注 1 | 120 | A |
| 集電極電流（$T_{c}=100^{\circ}C$） | $I_{c}$ | - | 60 | A |
| 功率耗散（$T_{c}=25^{\circ}C$） | $P_{D}$ | - | 833 | W |
| 功率耗散（$T_{c}=100^{\circ}C$） | $P_{D}$ | - | 416 | W |
| 脈沖集電極電流（$T{c}=25^{\circ}C$，$t{p}=10\ \mu s$） | $I_{CM}$ | 注 2 | 180 | A |
| 二極管正向電流（$T_{c}=25^{\circ}C$） | $I_{F}$ | 注 1 | 120 | A |
| 二極管正向電流（$T_{c}=100^{\circ}C$） | $I_{F}$ | - | 60 | A |
| 脈沖二極管最大正向電流（$T{c}=25^{\circ}C$，$t{p}=10\ \mu s$） | $I_{FM}$ | - | 180 | A |
| 工作結(jié)溫和存儲溫度范圍 | $T{J}$，$T{stg}$ | - | -55 至 +175 | $^{\circ}C$ |
| 焊接用引腳溫度 | $T_{L}$ | - | 260 | $^{\circ}C$ |
熱特性
| 參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| IGBT 結(jié) - 殼熱阻 | $R_{\theta JC}$ | 0.18 | $^{\circ}C/W$ |
| 二極管結(jié) - 殼熱阻 | $R_{\theta JCD}$ | 0.33 | $^{\circ}C/W$ |
| 結(jié) - 環(huán)境熱阻 | $R_{\theta JA}$ | 40 | $^{\circ}C/W$ |
電氣特性
包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動態(tài)特性和開關(guān)特性等多個方面，這些特性詳細(xì)描述了 IGBT 在不同工作狀態(tài)下的性能表現(xiàn)。例如，在關(guān)斷特性中，集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 $B{VCE S}$ 在 $V{GE}=0V$，$I{c}=5mA$ 時為 1200V；在導(dǎo)通特性中，柵極閾值電壓 $V{GE(th)}$ 在特定條件下為 5.94 - 6.7V 等。
典型特性曲線
文檔中提供了一系列典型特性曲線，如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和特性、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線直觀地展示了 IGBT 在不同工作條件下的性能變化，對于工程師進(jìn)行電路設(shè)計和性能評估非常有幫助。例如，通過輸出特性曲線可以了解集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓之間的關(guān)系，從而確定器件的工作區(qū)域。
封裝尺寸
該器件采用 TO - 247 - 3LD CASE 340CX 封裝，文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息，包括各個維度的最小、標(biāo)稱和最大值。這對于 PCB 設(shè)計和散熱設(shè)計至關(guān)重要，工程師可以根據(jù)這些尺寸信息合理布局電路板，確保器件的安裝和散熱效果。
應(yīng)用建議
在使用 FGHL60T120RWD IGBT 時，需要注意以下幾點：
- 散熱設(shè)計：由于其最大結(jié)溫較高，但在實際應(yīng)用中仍需要良好的散熱措施來保證器件的性能和可靠性。可以根據(jù)熱特性參數(shù)選擇合適的散熱片或散熱方式。
- 并聯(lián)使用：雖然該器件具有正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)操作，但在并聯(lián)時仍需要注意均流問題，確保各個器件的電流分配均勻。
- 工作條件：要嚴(yán)格按照最大額定值和電氣特性參數(shù)來使用器件，避免超過其極限條件，否則可能會導(dǎo)致器件損壞或性能下降。
FGHL60T120RWD IGBT 憑借其先進(jìn)的技術(shù)、優(yōu)異的性能和豐富的特性，為電子工程師在電機(jī)控制、UPS 等領(lǐng)域的設(shè)計提供了一個可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要充分了解其參數(shù)和特性，合理進(jìn)行電路設(shè)計和散熱設(shè)計，以發(fā)揮其最大優(yōu)勢。你在使用 IGBT 過程中遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。
-
IGBT
+關(guān)注
關(guān)注
1291文章
4452瀏覽量
264403 -
絕緣柵
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
22瀏覽量
9097 -
雙極型晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
24瀏覽量
12369
發(fā)布評論請先 登錄
探索 onsemi FGHL40T120RWD IGBT：高效與可靠的完美融合
探索onsemi FGY100T120RWD IGBT：高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合
評論