chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT:性能、參數(shù)與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

h1654155282.3538 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:陳翠 ? 2025-12-03 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT:性能、參數(shù)與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為功率半導(dǎo)體器件,在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。今天,我們就來(lái)深入剖析 onsemi 推出的 FGHL60T120RWD IGBT,看看它有哪些獨(dú)特之處。

文件下載:onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT.pdf

產(chǎn)品概述

FGHL60T120RWD 采用了新穎的第 7 代場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)以及 Gen7 二極管,并封裝于 TO - 247 3 引腳封裝中。這種組合使得該器件在各種應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)低傳導(dǎo)損耗和良好的開關(guān)可控性,從而達(dá)成高效運(yùn)行。其典型應(yīng)用場(chǎng)景包括電機(jī)控制、UPS(不間斷電源)、數(shù)據(jù)中心以及高功率開關(guān)等領(lǐng)域。

關(guān)鍵特性

低傳導(dǎo)損耗與優(yōu)化開關(guān)性能

該 IGBT 具備低傳導(dǎo)損耗的特點(diǎn),這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它能夠減少能量的損耗,提高系統(tǒng)的效率。同時(shí),其優(yōu)化的開關(guān)性能可以確保在開關(guān)過(guò)程中快速、穩(wěn)定地切換狀態(tài),降低開關(guān)損耗。

高結(jié)溫承受能力

最大結(jié)溫 $T_{J}$ 可達(dá) $175^{\circ}C$,這使得器件能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作,適應(yīng)一些對(duì)散熱要求較高或者工作環(huán)境較為惡劣的應(yīng)用場(chǎng)景。

正溫度系數(shù)與易于并聯(lián)操作

正溫度系數(shù)的特性使得多個(gè) FGHL60T120RWD IGBT 可以方便地進(jìn)行并聯(lián)操作,以滿足更高功率的需求。在并聯(lián)使用時(shí),各個(gè)器件能夠自動(dòng)平衡電流,避免出現(xiàn)熱失控等問(wèn)題。

高電流能力與動(dòng)態(tài)測(cè)試

具備高電流能力,并且所有器件都經(jīng)過(guò) 100% 的動(dòng)態(tài)測(cè)試,這保證了產(chǎn)品的一致性和可靠性。同時(shí),它還具有短路額定能力,能夠在短路情況下保護(hù)自身和整個(gè)系統(tǒng)。

環(huán)保合規(guī)

符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),這表明該產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中遵循了環(huán)保要求,減少了對(duì)環(huán)境的影響。

主要參數(shù)

最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 條件 單位
集電極 - 發(fā)射極電壓 $V_{CES}$ - 1200 V
柵極 - 發(fā)射極電壓 $V_{GES}$ - +20 V
瞬態(tài)柵極 - 發(fā)射極電壓 - - ±30 V
集電極電流($T_{c}=25^{\circ}C$) $I_{c}$ 注 1 120 A
集電極電流($T_{c}=100^{\circ}C$) $I_{c}$ - 60 A
功率耗散($T_{c}=25^{\circ}C$) $P_{D}$ - 833 W
功率耗散($T_{c}=100^{\circ}C$) $P_{D}$ - 416 W
脈沖集電極電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) $I_{CM}$ 注 2 180 A
二極管正向電流($T_{c}=25^{\circ}C$) $I_{F}$ 注 1 120 A
二極管正向電流($T_{c}=100^{\circ}C$) $I_{F}$ - 60 A
脈沖二極管最大正向電流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) $I_{FM}$ - 180 A
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度范圍 $T{J}$,$T{stg}$ - -55 至 +175 $^{\circ}C$
焊接用引腳溫度 $T_{L}$ - 260 $^{\circ}C$

熱特性

參數(shù) 符號(hào) 單位
IGBT 結(jié) - 殼熱阻 $R_{\theta JC}$ 0.18 $^{\circ}C/W$
二極管結(jié) - 殼熱阻 $R_{\theta JCD}$ 0.33 $^{\circ}C/W$
結(jié) - 環(huán)境熱阻 $R_{\theta JA}$ 40 $^{\circ}C/W$

電氣特性

包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動(dòng)態(tài)特性和開關(guān)特性等多個(gè)方面,這些特性詳細(xì)描述了 IGBT 在不同工作狀態(tài)下的性能表現(xiàn)。例如,在關(guān)斷特性中,集電極 - 發(fā)射極擊穿電壓 $B{VCE S}$ 在 $V{GE}=0V$,$I{c}=5mA$ 時(shí)為 1200V;在導(dǎo)通特性中,柵極閾值電壓 $V{GE(th)}$ 在特定條件下為 5.94 - 6.7V 等。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,如輸出特性、轉(zhuǎn)移特性、飽和特性、電容特性、柵極電荷特性等。這些曲線直觀地展示了 IGBT 在不同工作條件下的性能變化,對(duì)于工程師進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和性能評(píng)估非常有幫助。例如,通過(guò)輸出特性曲線可以了解集電極電流與集電極 - 發(fā)射極電壓之間的關(guān)系,從而確定器件的工作區(qū)域。

封裝尺寸

該器件采用 TO - 247 - 3LD CASE 340CX 封裝,文檔詳細(xì)給出了封裝的尺寸信息,包括各個(gè)維度的最小、標(biāo)稱和最大值。這對(duì)于 PCB 設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要,工程師可以根據(jù)這些尺寸信息合理布局電路板,確保器件的安裝和散熱效果。

應(yīng)用建議

在使用 FGHL60T120RWD IGBT 時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):

  1. 散熱設(shè)計(jì):由于其最大結(jié)溫較高,但在實(shí)際應(yīng)用中仍需要良好的散熱措施來(lái)保證器件的性能和可靠性??梢愿鶕?jù)熱特性參數(shù)選擇合適的散熱片或散熱方式。
  2. 并聯(lián)使用:雖然該器件具有正溫度系數(shù),易于并聯(lián)操作,但在并聯(lián)時(shí)仍需要注意均流問(wèn)題,確保各個(gè)器件的電流分配均勻。
  3. 工作條件:要嚴(yán)格按照最大額定值和電氣特性參數(shù)來(lái)使用器件,避免超過(guò)其極限條件,否則可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞或性能下降。

FGHL60T120RWD IGBT 憑借其先進(jìn)的技術(shù)、優(yōu)異的性能和豐富的特性,為電子工程師電機(jī)控制、UPS 等領(lǐng)域的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)可靠的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要充分了解其參數(shù)和特性,合理進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和散熱設(shè)計(jì),以發(fā)揮其最大優(yōu)勢(shì)。你在使用 IGBT 過(guò)程中遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • IGBT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1286

    文章

    4260

    瀏覽量

    260477
  • 絕緣柵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    9024
  • 雙極型晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    24

    瀏覽量

    12338
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    閱讀 onsemi IGBT 數(shù)據(jù)表

    閱讀 onsemi IGBT 數(shù)據(jù)表
    發(fā)表于 11-14 21:08 ?0次下載
    閱讀 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>IGBT</b> 數(shù)據(jù)表

    FHA60T65A型號(hào)戶外儲(chǔ)能電源IGBT介紹

    IGBT選FHA60T65A型號(hào),代換FGH60N60SMD型號(hào)參數(shù)IGBT也是選FHA60T
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:21 ?2502次閱讀

    600V、20A型號(hào)參數(shù),樹墻修剪機(jī)電機(jī)IGBT型號(hào)推薦FHF20T60A型號(hào)代換!

    樹墻修剪機(jī)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路想在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),選擇優(yōu)質(zhì)的IGBT是非常重要的。市場(chǎng)中FHF20T60A的IGBT單管是優(yōu)質(zhì)代換NCE20TD60
    的頭像 發(fā)表于 05-30 17:06 ?1883次閱讀
    600V、20A型號(hào)<b class='flag-5'>參數(shù)</b>,樹墻修剪機(jī)電機(jī)<b class='flag-5'>IGBT</b>型號(hào)推薦FHF20<b class='flag-5'>T60</b>A型號(hào)代換!

    600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F參數(shù)

    供應(yīng)600v 30a igbt模塊直流充電機(jī)SGT30T60SD1FD代換IGP15T60F,提供SGT30T60SD1FD代換IGP15T60
    發(fā)表于 04-03 16:15 ?1次下載

    ZK60G120T:SGT+小型化封裝,60V/120A功率控制的破局者

    ZK60G120T60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底,融合屏蔽柵(SGT)核心技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝,構(gòu)建起“高性能
    的頭像 發(fā)表于 10-31 14:47 ?176次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>60G120T</b>:SGT+小型化封裝,<b class='flag-5'>60</b>V/<b class='flag-5'>120</b>A功率控制的破局者

    AFGB30T65RQDN IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)可為汽車應(yīng)用提供最佳性能。 該IGBT具有大電流能力、快
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:08 ?623次閱讀

    onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)

    安森美 (onsemi) AFGH4L60T120RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII IGBT采用新型第七代場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和第七代二極管,封裝形式為4引腳。該
    的頭像 發(fā)表于 11-21 15:44 ?590次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> AFGH4L<b class='flag-5'>60T120</b>RWx-STD N溝道場(chǎng)截止VII <b class='flag-5'>IGBT</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)

    探索 onsemi NXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊一直是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換的核心組件。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 NXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊,
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:29 ?265次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> NXH800H<b class='flag-5'>120</b>L7QDSG 半橋 <b class='flag-5'>IGBT</b> 模塊:高效與可靠的完美結(jié)合

    探索 onsemi SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊:高效與可靠的完美融合

    在電子工程師的設(shè)計(jì)世界里,選擇合適的功率模塊至關(guān)重要。今天,我們就來(lái)深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG 半橋 IGBT 模塊,看看它究竟有哪些獨(dú)特之處,能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)怎樣的
    的頭像 發(fā)表于 11-27 09:33 ?577次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> SNXH800H<b class='flag-5'>120</b>L7QDSG 半橋 <b class='flag-5'>IGBT</b> 模塊:高效與可靠的完美融合

    探索 onsemi EcoSPARK2 HV - HE IGBT FGB5065G2 - F085:特性、參數(shù)與應(yīng)用解析

    作為電子工程師,在選擇合適的功率器件時(shí),往往需要全面了解其特性、參數(shù)以及適用場(chǎng)景。今天,我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 EcoSPARK2 HV - HE IGBT FGB5065G2 - F085,看看它能為我們的設(shè)計(jì)帶來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 11-27 15:45 ?649次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> EcoSPARK2 HV - HE <b class='flag-5'>IGBT</b> FGB5065G2 - F085:特性、<b class='flag-5'>參數(shù)</b>與應(yīng)用<b class='flag-5'>解析</b>

    探索 onsemi FGHL40T120RWD IGBT:高效與可靠的完美融合

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 FGHL40T120RWD IGBT(絕緣柵雙極晶體管),它采用了新穎
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:08 ?282次閱讀
    探索 <b class='flag-5'>onsemi</b> <b class='flag-5'>FGHL40T120RWD</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>:高效與可靠的完美融合

    onsemi FGY140T120SWD IGBT:高性能功率器件解析

    的 FGY140T120SWD IGBT,它采用了新型場(chǎng)截止第 7 代 IGBT 技術(shù)和 Gen7 二極管,封裝為 TO - 247 3 - 引腳,在各類應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越性能。
    的頭像 發(fā)表于 12-03 14:31 ?277次閱讀
    <b class='flag-5'>onsemi</b> FGY140<b class='flag-5'>T120</b>SWD <b class='flag-5'>IGBT</b>:高<b class='flag-5'>性能</b>功率器件<b class='flag-5'>解析</b>

    探索onsemi FGH4L75T65MQDC50 IGBT:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計(jì)領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件,對(duì)于提升設(shè)備性能和效率起著至關(guān)重要的作用。今天,我們就來(lái)深入探討一下onsemi推出的FGH4L75T6
    的頭像 發(fā)表于 12-04 10:45 ?394次閱讀
    探索<b class='flag-5'>onsemi</b> FGH4L75<b class='flag-5'>T</b>65MQDC50 <b class='flag-5'>IGBT</b>:高效能與可靠性的完美結(jié)合

    探索onsemi FGY100T120RWD IGBT:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種重要的功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種高功率、高效率的電子設(shè)備中。今天,我們將深入探討 onsemi 公司推出的 FGY100T120RWD
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:11 ?423次閱讀
    探索<b class='flag-5'>onsemi</b> FGY100<b class='flag-5'>T120RWD</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>:高效<b class='flag-5'>性能</b>與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    深入解析onsemi FGY75T120SWD IGBT:高效性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的功率器件對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天,我們將深入探討 onsemi 推出的 FGY75T120SWD IGBT(絕緣柵雙極晶體管),這款器件憑借其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 12-04 11:40 ?481次閱讀
    深入<b class='flag-5'>解析</b><b class='flag-5'>onsemi</b> FGY75<b class='flag-5'>T120</b>SWD <b class='flag-5'>IGBT</b>:高效<b class='flag-5'>性能</b>與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合