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日前，衢州市科學(xué)技術(shù)局發(fā)布《衢州市科學(xué)技術(shù)局關(guān)于下達2025年度市競爭性科技攻關(guān)項目的通知》（衢市科發(fā)規(guī)〔2025〕18號），浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“公司”）憑借“高性能硅基復(fù)合襯底研發(fā)”項目，成功入選2025年度衢州市重大科技攻關(guān)（揭榜掛帥）項目，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新能力、產(chǎn)業(yè)化潛力獲得市級主管部門的權(quán)威認可。

作為衢州市科技創(chuàng)新的核心牽引項目，競爭性科技攻關(guān)項目以《“大科創(chuàng)”專項政策操作細則（2024年版）》為指導(dǎo)，聚焦地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)鍵需求，其中“揭榜掛帥”類重大科技攻關(guān)項目更是瞄準(zhǔn)產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)瓶頸，遴選具備強勁研發(fā)實力與產(chǎn)業(yè)化能力的企業(yè)牽頭突破，全市僅10個項目入選該類別，是推動區(qū)域產(chǎn)業(yè)升級與技術(shù)革新的核心力量。

此次公司入選的“高性能硅基復(fù)合襯底研發(fā)”項目，緊扣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對高性能襯底材料的迫切需求，該類襯底是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要研究方向，尤其在功率電子、高頻器件和高溫應(yīng)用場景中優(yōu)勢顯著。通過材料復(fù)合與結(jié)構(gòu)設(shè)計可有效融合不同材料特性，在提升器件性能的同時降低成本；其技術(shù)門檻與性能水平不僅直接決定高端芯片、功率器件的極限性能，更是衡量國家半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料自主能力的關(guān)鍵指標(biāo)之一。項目聚焦硅基復(fù)合襯底核心技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用突破，其成功入選，是衢州市科技局對公司技術(shù)創(chuàng)新實力、研發(fā)團隊專業(yè)水平及產(chǎn)業(yè)化落地能力的高度認可。

未來，復(fù)合襯底材料將成為公司深耕半導(dǎo)體核心材料領(lǐng)域的關(guān)鍵突破口。公司將以該項目為核心抓手，嚴格遵循衢州市科技項目管理規(guī)定高效推進實施；持續(xù)加大研發(fā)投入、強化核心團隊建設(shè)，深化與地方科研機構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同創(chuàng)新，加速技術(shù)成果產(chǎn)業(yè)化，為衢州半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展賦能，助力我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主可控！