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邁來芯硅基RC緩沖器助力碳化硅功率模塊設(shè)計(jì)

Melexis邁來芯 ? 來源:Melexis邁來芯 ? 2025-12-17 01:32 ? 次閱讀
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作者:葉常生,邁來芯產(chǎn)品線總監(jiān)

引言:高速功率面臨的挑戰(zhàn)

現(xiàn)代電動(dòng)汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)的蓬勃發(fā)展,源于對(duì)極致效率的不懈追求。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),功率組件,特別是像碳化硅(SiC)這類寬帶隙技術(shù),必須以前所未有的速度進(jìn)行開關(guān)操作。

然而,將高壓器件的性能推向極限,會(huì)引發(fā)物理層面的權(quán)衡難題。高開關(guān)速度(di/dt)不可避免地會(huì)引發(fā)破壞性噪聲,具體表現(xiàn)為巨大的電壓尖峰和高頻振蕩。這些瞬態(tài)現(xiàn)象會(huì)對(duì)主功率組件施加壓力,產(chǎn)生局部熱點(diǎn),進(jìn)而降低系統(tǒng)可靠性。

一體式緩沖器可以起到必要的減震器作用,保護(hù)精密的電力電子設(shè)備免受自激浪涌的沖擊,并推動(dòng)下一代功率模塊的演進(jìn)。

技術(shù)障礙:寄生效應(yīng)與振鈴功能

根本性的挑戰(zhàn)源于開關(guān)速度與雜散電感之間的相互作用。

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示意圖 - 緩沖器工作原理

1電壓尖峰 (Vpeak):快速開關(guān)的電流與模塊布局(如母線排、端子、直接銅鍵合DCB走線)中固有的寄生電感(Lstray)相互作用,依據(jù)以下公式會(huì)產(chǎn)生較大的電壓峰值:

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過高的伏峰值(Vpeak)迫使工程師設(shè)計(jì)具備更高擊穿電壓的MOSFET,以避免災(zāi)難性故障,而這往往要以犧牲性能或增加成本為代價(jià)。

2寄生振鈴:功率模塊電路通常采用半橋拓?fù)洌陂_關(guān)過程中會(huì)形成一個(gè)固有的RLC諧振電路。由于內(nèi)阻(R)和電容(C)極小,該電路處于高度欠阻尼狀態(tài)。這會(huì)導(dǎo)致高頻、持續(xù)的寄生振鈴,進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾(EMI)和功率損耗。

解決方案:一體式高壓硅RC緩沖器

邁來芯引入了一種單片集成的高電壓硅基RC緩沖器MLX91299 。與通常散熱不佳且可靠性欠佳的大型分立陶瓷組件不同,該解決方案將電阻和電容組件集成到一個(gè)緊湊的單晶硅裸片中。

工作原理:RC緩沖器通過在換相回路中引入尺寸合適的電阻(RS)和電容(CS)來解決RLC振鈴問題。

1電容功能:電容(CS)能夠存儲(chǔ)電感能量 (? L IM2),否則這些能量會(huì)以電壓過沖的形式被破壞性釋放。能量平衡要求:

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2電阻功能:電阻(RS)起到阻尼器的作用,將存儲(chǔ)的能量轉(zhuǎn)化為可控制的熱量。為實(shí)現(xiàn)有效阻尼 (ζ > 0.5),電阻值必須滿足:

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此外,緩沖器的設(shè)計(jì)要確保能為下一個(gè)開關(guān)周期快速?gòu)?fù)位:

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技術(shù)規(guī)格

結(jié)構(gòu):集成硅裸片(串聯(lián)R和C)。

電壓處理能力:專為高達(dá)1000 Vdc (工作電壓)的直流母線應(yīng)用設(shè)計(jì),峰值工作電壓為 1200 Vp。該器件的擊穿電壓(Vbr)高達(dá) >1500 V。

電氣特性:在電壓高于150 V時(shí)保持恒定電容,且漏電流極低(~ 10-8 A)。

配置:提供多種R和C組合,例如1.45 Ω時(shí)為4.3 nF或5.23 Ω時(shí)為1.1 nF

系統(tǒng)集成:無縫適配

MLX91299以矩形硅裸片形式提供,可使用標(biāo)準(zhǔn)功率模塊制造工藝進(jìn)行集成。與分立解決方案相比,這種“裸片組裝”方式通過減少電氣連接點(diǎn)的數(shù)量,提高了長(zhǎng)期可靠性。

組裝兼容性:背面金屬化工藝支持燒結(jié)和焊接兩種工藝。正面設(shè)計(jì)用于引線鍵合(如鋁鍵合)以實(shí)現(xiàn)電氣互連。

熱管理:由于緩沖器直接與SiC組件集成在一起,它可利用相同的散熱通道。這能最大限度減少熱點(diǎn),并確保即使在SiC結(jié)溫高達(dá)200°C時(shí)仍能保持穩(wěn)定性能。

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu):該緩沖器可作為輸出緩沖器(與MOSFET并聯(lián))或直流母線緩沖器(與直流母線電容并聯(lián))使用。

效益與性能

硅基RC緩沖器作為“功率模塊增強(qiáng)器”,能夠帶來一系列可量化的顯著效益:

技術(shù)效益 詳細(xì)影響與量化指標(biāo)
降低開關(guān)損耗 通過有效抑制振鈴現(xiàn)象,緩沖器能夠降低關(guān)斷能量(Eoff )與開通能量(Eon)。測(cè)試結(jié)果顯示,總開關(guān)損耗最多可降低50%(如91 mJ → 39 mJ),進(jìn)而支持實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率。
鉗位電壓過沖 該器件能夠高效鉗位體二極管的峰值電壓(Vpeak)。在測(cè)試的極端開關(guān)速度條件下,原本因過沖問題在500VDC下便會(huì)出現(xiàn)失效的系統(tǒng),在安裝緩沖器后,可在800VDC下穩(wěn)定運(yùn)行。
優(yōu)化電磁兼容性(EMC 抑制高頻振蕩能夠顯著改善逆變器的電磁特性,從而減少對(duì)濾波的需求。
降低系統(tǒng)成本 在某些設(shè)計(jì)場(chǎng)景中,可省去外部柵極電阻(Rg),并降低對(duì)超規(guī)格、高電壓功率開關(guān)的依賴。
熱性能與可靠性 作為硅裸片,它與周圍組件的熱膨脹系數(shù)匹配度優(yōu)于陶瓷分立元件,進(jìn)而能夠提升功率循環(huán)的可靠性。

結(jié)論:

一體式硅基RC緩沖器革新了高壓電力電子設(shè)備的設(shè)計(jì)模式。它將保護(hù)功能從外部復(fù)雜的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)閮?nèi)部集成的可靠特性。

“類比說明:如果將碳化硅(SiC)功率模塊比作高性能發(fā)動(dòng)機(jī),那么RC緩沖器就如同懸掛系統(tǒng)。它能夠吸收道路上的沖擊(電壓尖峰),讓發(fā)動(dòng)機(jī)在不損壞底盤的前提下,以最高速度穩(wěn)定運(yùn)行?!?/p>

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原文標(biāo)題:技術(shù)分享 | RC緩沖器是什么?

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