穩(wěn)先微推出的E-fuse（電子保險(xiǎn)絲）WS2510AT/WS2520AT高度集成高邊驅(qū)動(dòng)、電流采樣、故障保護(hù)、狀態(tài)診斷四大功能，解決傳統(tǒng)繼電器加保險(xiǎn)絲方案的響應(yīng)慢，熔斷后需人工更換，導(dǎo)致系統(tǒng)狀態(tài)不可知的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)對(duì)傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲的智能化替代。

1主要產(chǎn)品特性

具備單、雙通道可選

工作電壓范圍為8~72V，瞬態(tài)耐壓高達(dá)120V

支持24V200A、48V100A等大電流應(yīng)用場(chǎng)景，輕松應(yīng)對(duì)啟停、負(fù)載突降等場(chǎng)景的電壓浪涌

支持雙路獨(dú)立驅(qū)動(dòng)，節(jié)省成本與空間

硬件級(jí)快速保護(hù)功能，過(guò)流、短路響應(yīng)快至微秒級(jí)，能在故障發(fā)生前瞬間關(guān)斷

實(shí)時(shí)故障診斷功能，區(qū)分短路、欠壓和CP保護(hù)，通過(guò)診斷引腳輸出明確信號(hào)

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WS2510AT的上電實(shí)測(cè)與驗(yàn)證結(jié)果

開(kāi)關(guān)性能測(cè)試：Demo板上的驅(qū)動(dòng)電阻的阻值可以控制兩路MOS的開(kāi)關(guān)速度，用不同的驅(qū)動(dòng)電阻，通過(guò)示波器觀察VGS上升下降沿，看看是否干凈利落，有無(wú)明顯振鈴。

測(cè)試目的：考察芯片的驅(qū)動(dòng)能力和對(duì)MOS的控制水平。

1.下降沿測(cè)試結(jié)果

① 當(dāng)電阻為1.1kΩ時(shí)，下降沿約40μs。

② 當(dāng)電阻為20Ω時(shí)，下降沿約4μs。

2.上升沿測(cè)試結(jié)果

① 當(dāng)驅(qū)動(dòng)電阻為2.2kΩ時(shí)，上升沿約60μs。

②當(dāng)驅(qū)動(dòng)電阻為20Ω時(shí)，上升沿約5μs。

短路響應(yīng)測(cè)試：Demo板正常帶載過(guò)程中，將輸出端突然短路，使用示波器觀察VGS關(guān)斷時(shí)間。

測(cè)試結(jié)果

VGS驅(qū)動(dòng)電壓12.73V，短路發(fā)生時(shí)，MOS迅速被關(guān)閉，輸出截止。

10Ω驅(qū)動(dòng)電阻下，VGS關(guān)斷時(shí)間約3μs。

電流檢測(cè)精度測(cè)試：當(dāng)該芯片COS1/COS2引腳的電壓和輸出電流成正比，進(jìn)行增益精密度測(cè)試。

測(cè)試結(jié)果

輸出電流2A時(shí)，檢測(cè)到COS1電壓為0.12V；3A時(shí)為0.18V；4A時(shí)為0.24V；5A時(shí)為0.30V；6A時(shí)0.36V。

滿壓運(yùn)行測(cè)試：Demo板輸入72V電壓，測(cè)試其額定最大電壓情況下工作是否正常。

測(cè)試結(jié)果

Demo輸入電壓72V，芯片輸出和關(guān)閉控制正常。

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