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薄/厚膜片式電阻器的未來(lái)發(fā)展方向

電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2018-08-31 08:57 ? 次閱讀
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就片式電阻器的發(fā)展方向來(lái)講,主要有以下幾個(gè):超小型化、綠色環(huán)?;?、高精度化、低溫度系數(shù)化以及賤金屬化。

表面安裝技術(shù)(SMT)是上世紀(jì)70年代末,在國(guó)際上發(fā)展起來(lái)的一種新型電子產(chǎn)品安裝技術(shù)。目前已在多類(lèi)電子產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用,并使電子產(chǎn)品安裝技術(shù)發(fā)生了革命性的變化。配合表面安裝技術(shù),片式元件的發(fā)展也是日新月異,而片式元件也是電子元件發(fā)展的主流和方向,目前各類(lèi)電子元件的片式化率已達(dá)70%以上。在各類(lèi)整機(jī)電路中,片式元件和半導(dǎo)體有源器件的數(shù)量比例通常在20∶1至50∶1,其中一些高端電子產(chǎn)品,如手機(jī)、筆記本電腦、PDA(掌上電腦)等當(dāng)中,片式元件的比例更高,有時(shí)可達(dá)到100∶1。

用于表面安裝技術(shù)的電子元器件包括片式電阻器、片式電容器、片式電感器、片式半導(dǎo)體器件,以及其他片式產(chǎn)品。其中片式電阻器的需求量最大,占整個(gè)片式元器件的45%以上。而全球片式電阻器的年需求量則超過(guò)了1萬(wàn)億只。

進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),電子信息技術(shù)的高速發(fā)展對(duì)元件技術(shù)不斷提出新的要求,尤其是片式電阻器的技術(shù)也得到了全新的發(fā)展,推動(dòng)著片式電阻器進(jìn)入到一個(gè)迅速升級(jí)換代的時(shí)期。就片式電阻器的發(fā)展方向來(lái)講,主要有以下幾個(gè)方向,超小型化、綠色環(huán)?;?、高精度化、低溫度系數(shù)化以及賤金屬化,為了幫助大家對(duì)片式電阻器的技術(shù)發(fā)展有所了解,現(xiàn)對(duì)厚膜片式電阻器和薄膜片式電阻器兩大類(lèi)片式電阻器作如下淺談,僅供相關(guān)人士參考。

厚膜片式電阻器向3方面發(fā)展

厚膜片式電阻器是相對(duì)金屬膜電阻器而言,電阻膜層比較厚,厚度一般為4μm~8μm,制造工藝與傳統(tǒng)的柱狀帶引線電阻器相比,采用了全新的制造工藝。片式電阻器通常是采用以96%Al2O3的陶瓷基板作為散熱基材、Ag-Pd作為導(dǎo)體材料、釕及釕的氧化物作為電阻體材料、玻璃釉作為包封材料、端頭電鍍鎳錫等。通過(guò)絲網(wǎng)印刷技術(shù)、燒結(jié)技術(shù)、激光調(diào)阻技術(shù)、裂片技術(shù)、端頭涂銀技術(shù)、折粒技術(shù)、電鍍技術(shù)等30多道生產(chǎn)和檢驗(yàn)工序精心制造而成。

厚膜片式電阻器的主要發(fā)展方向有:

超小型化。目前,0402和0603尺寸的片式電阻器已成為市場(chǎng)的主流,但隨著電子產(chǎn)品尤其是數(shù)碼產(chǎn)品的小型化、輕型化,0201、01005產(chǎn)品的需求日益增加,尤其是01005,該產(chǎn)品的體積只有0.4毫米(長(zhǎng))×0.2毫米(寬)×0.125毫米(高),重量只有0.04克,目前只有少數(shù)日企和我國(guó)***企業(yè)能夠生產(chǎn),為了解決如01005這種小尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn),就必須在傳統(tǒng)的制造工藝上進(jìn)行升級(jí)換代,如絲網(wǎng)印刷技術(shù)必須采用先進(jìn)的CCD(電耦合器件)自動(dòng)對(duì)位印刷技術(shù),端涂必須采用近幾年發(fā)展起來(lái)的濺射技術(shù)解決端面問(wèn)題,激光調(diào)阻、電鍍也都必須采用最新的專(zhuān)用設(shè)備才能保證0201、01005產(chǎn)品的批量生產(chǎn)供貨。

綠色環(huán)?;?。歐盟“電子電氣設(shè)備廢棄物法令”(WEEE)和“關(guān)于在電子電氣設(shè)備中禁止某些有害物質(zhì)”的規(guī)定(RoHS)已經(jīng)在2005年8月和2006年7月1日生效,其影響在全球性范圍內(nèi)顯現(xiàn)。雖然片式元件的玻璃釉膜屬于豁免范圍,但是盡量減少玻璃釉漿料的使用對(duì)企業(yè)來(lái)講是既能減少非環(huán)保材料的使用,也是節(jié)省開(kāi)支降低能耗的一個(gè)好辦法,端面濺射賤金屬、包封料采用聚合物樹(shù)脂等方法目前也已經(jīng)開(kāi)始逐步推廣使用。據(jù)統(tǒng)計(jì),端面濺射賤金屬能夠使產(chǎn)品端涂的原材料成本降低90%以上。而聚合物樹(shù)脂的使用不僅使原材料成本降低,同時(shí)還能大幅提高產(chǎn)品的阻值合格率。

超高阻化。超高阻值片式電阻器,主要應(yīng)用產(chǎn)品在高性能電子通信模塊,高精度精密電子儀器及特殊軍工產(chǎn)品上。阻值最高要求達(dá)1TΩ,工作電壓最高要求達(dá)10kV,這類(lèi)產(chǎn)品的主要技術(shù)指標(biāo)有阻值精度、工作電壓、溫度系數(shù)、電壓系數(shù)、穩(wěn)定性等,要保證這些指標(biāo)達(dá)到用戶要求,就必須在技術(shù)上有所突破,包括漿料的選用,調(diào)阻方式,包封料的印刷等等,只有這些技術(shù)形成突破后,才能保證超高阻值片式電阻器的批量生產(chǎn)、供貨。

薄膜片式電阻器前景最被看好

薄膜片式電阻器是近幾年來(lái)發(fā)展最迅速、應(yīng)用范圍最廣、前景最被看好的新一代片式電阻器,外資企業(yè)幾年前就已經(jīng)開(kāi)始批產(chǎn),我國(guó)***企業(yè)也是從前兩年開(kāi)始批產(chǎn),但大陸目前只有極個(gè)別的廠家能夠生產(chǎn)此類(lèi)產(chǎn)品。相比厚膜片式電阻器而言,薄膜片式電阻器的電阻膜層主要成分為鎳鉻合金,經(jīng)過(guò)精密加工和后期處理,阻值精度可達(dá)±0.05%,溫度系數(shù)可達(dá)到±5ppm/℃,穩(wěn)定度可達(dá)到0.02%,是替代低精度的厚膜片式電阻器以及傳統(tǒng)高精度、高穩(wěn)定柱狀帶引線電阻器的理想產(chǎn)品。薄膜片式電阻器的生產(chǎn)主要有以下幾方面的技術(shù)。

基片。薄膜電阻器的膜層要保持穩(wěn)定狀態(tài)一般需要工作在125℃以下,在此基礎(chǔ)上溫度每升高10℃,膜層的穩(wěn)定度會(huì)降低2個(gè)百分點(diǎn)(空氣中)。一般情況下,當(dāng)溫度在125℃時(shí),阻值的漂移是0.5%,而當(dāng)溫度升到135℃時(shí),這個(gè)漂移值將達(dá)到1%,這是因?yàn)榭諝庵械难鯕鈱㈦娮枘硬粩嘌趸.?dāng)然影響這個(gè)溫升的因素包括:電阻器外形尺寸、功率、周邊元件、陶瓷基板類(lèi)型以及散熱片的使用等等。同時(shí),由于薄膜電阻器的電阻膜層太薄,瓷片表面的光潔度和粗糙度也是影響電阻器性能的一個(gè)決定性因素。

因此必須選擇一種既能保證熱量迅速被耗散,又能保證表面光潔度高、粗糙度好的材料,經(jīng)過(guò)比較,只有Al2O3含量為99.6%的陶瓷基片能夠同時(shí)滿足以上要求。目前該類(lèi)型的陶瓷基片已經(jīng)量產(chǎn),主要是在一些日本和我國(guó)***的基片供應(yīng)廠家。

成膜。在電阻器生產(chǎn)中,鎳鉻(NiCr)和氮化鉭(TaN)是常用的電阻膜層材料,鎳鉻材料溫度系數(shù)比較小,相對(duì)方阻較大;氮化鉭材料方阻低,且溫度系數(shù)為負(fù)。因此在實(shí)際生產(chǎn)中,通常選擇的是鎳鉻為主要成分的合金復(fù)合膜。

激光調(diào)阻。片式電阻器用激光調(diào)阻機(jī)近年來(lái)的發(fā)展速度非???,第四代片式電阻器用激光調(diào)阻機(jī)已有生產(chǎn),而專(zhuān)用于薄膜片式電阻器的、激光波長(zhǎng)為532nm的綠激光調(diào)阻機(jī)已有多家公司量產(chǎn),阻值控制精度能達(dá)到±0.02%,調(diào)阻速度可達(dá)300mm/s,完全適合薄膜片式電阻器的大規(guī)模批量生產(chǎn)。

端面處理。端面處理技術(shù)也在近幾年進(jìn)行了升級(jí)換代,排條機(jī)和濺射機(jī)的使用,使得以前的端面涂銀技術(shù)升級(jí)為在端面濺射鎳鉻金屬,不僅降低了成本,提高了效率,也大大提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。

總之,從總體產(chǎn)業(yè)水平上看,我國(guó)大陸片式元件產(chǎn)業(yè)與美、日兩個(gè)元件生產(chǎn)強(qiáng)國(guó)甚至與我國(guó)***相比還存在一定的差距。電子元件生產(chǎn)企業(yè)所面臨的普遍問(wèn)題是核心競(jìng)爭(zhēng)力較差、產(chǎn)品檔次較低,且產(chǎn)品的技術(shù)含量較低,附加值低,擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品較少,在某些核心技術(shù)上還受制于人。但是片式元件升級(jí)換代速度加快、無(wú)源集成產(chǎn)業(yè)的興起以及世界范圍產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的調(diào)整又為我國(guó)片式元件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了較好的機(jī)遇。抓住這些機(jī)遇,投入力量,研究開(kāi)發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新一代片式元件,是我國(guó)從電子元件大國(guó)走向電子元件強(qiáng)國(guó)的必由之路。

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