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英飛凌固態(tài)斷路器參考設(shè)計(jì):助力高效電路保護(hù)與控制

h1654155282.3538 ? 2025-12-19 15:55 ? 次閱讀
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英飛凌固態(tài)斷路器參考設(shè)計(jì):助力高效電路保護(hù)與控制

一、引言

在當(dāng)今的電子系統(tǒng)中,電路保護(hù)至關(guān)重要。固態(tài)斷路器(SSCB)憑借其無機(jī)械觸點(diǎn)、快速精確的短路保護(hù)等優(yōu)勢(shì),成為了電路保護(hù)領(lǐng)域的熱門選擇。英飛凌推出的REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A和REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC SSCB參考設(shè)計(jì),為工程師們提供了一個(gè)優(yōu)秀的解決方案。本文將深入介紹這兩款參考設(shè)計(jì)的特點(diǎn)、使用方法以及性能測(cè)試結(jié)果。

文件下載:Infineon Technologies SSCB參考設(shè)計(jì).pdf

二、SSCB設(shè)備概述

2.1 基本原理與優(yōu)勢(shì)

固態(tài)斷路器(SSCB)與傳統(tǒng)斷路器不同,它沒有用于大電流切換/換向的機(jī)械觸點(diǎn)。這種無運(yùn)動(dòng)部件的設(shè)計(jì)使得SSCB具有無電弧切換的特性,減少了磨損,提高了可靠性。同時(shí),固態(tài)開關(guān)能夠提供快速、精確且可靠的短路保護(hù)。隨著數(shù)字化和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,SSCB還可以與智能電網(wǎng)技術(shù)集成,實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的監(jiān)測(cè)、控制和安全通信功能。

2.2 參考設(shè)計(jì)特點(diǎn)

英飛凌的這兩款參考設(shè)計(jì)適用于16A額定電流,支持AC(110/230V)或DC(350V)電網(wǎng)供電,通過軟件在GUI中即可進(jìn)行AC或DC模式的選擇。REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A采用CoolMOS? S7T超級(jí)結(jié)功率MOSFET,而REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC則采用CoolSiC?功率MOSFET。這兩款設(shè)計(jì)均采用雙板架構(gòu),包括功率板和邏輯板。功率板包含功率級(jí)、氣隙裝置和反激式電源,邏輯板則具備低功耗功能,如為XMC MCU供電、模擬信號(hào)處理、隔離背板總線和外部用戶總線基礎(chǔ)設(shè)施。

2.3 主要特性

  • 電氣特性
    • 雙向電流阻斷:采用背對(duì)背(B2B)MOSFET作為通道開關(guān),配合TVS二極管鉗位電感能量,實(shí)現(xiàn)雙向電流阻斷。
    • 被動(dòng)散熱:通過在MOSFET頂部焊接銅散熱片,實(shí)現(xiàn)被動(dòng)散熱。
    • 保護(hù)與監(jiān)測(cè):具備基于分流電阻的通道電流測(cè)量和過流檢測(cè)(OCD)、隔離通道輸入和輸出電壓測(cè)量、MOSFET結(jié)溫或靠近源極引腳溫度測(cè)量、過載(OVL)、過溫(OVT)、欠壓(UVP)和過壓保護(hù)(OVP)等功能。
  • 編程性與監(jiān)測(cè)
    • GUI控制:通過SSCB Demo GUI實(shí)現(xiàn)AC或DC操作選擇、正負(fù)OCD跳閘閾值設(shè)置、過溫關(guān)機(jī)和恢復(fù)閾值設(shè)置、UVP和OVP閾值設(shè)置、跳閘圖表參數(shù)設(shè)置等。
    • 數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)與導(dǎo)出:可監(jiān)測(cè)和導(dǎo)出模擬測(cè)量值,如Vin、Vo、I、f、P、功率因數(shù)、OCD閾值參考、Tj或Tntc等。
    • TFT顯示:通過TFT顯示屏實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)V、I、P、f、Tj或Tntc、SSCB狀態(tài)和診斷信息。
  • 數(shù)據(jù)記錄與自供電
    • F - RAM數(shù)據(jù)記錄:使用F - RAM進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄。
    • 自供電:通過反激式電源從電網(wǎng)獲取電力,無需外部電源。

2.4 設(shè)計(jì)差異

兩款參考設(shè)計(jì)在功率MOSFET技術(shù)、參數(shù)和過溫檢測(cè)方法上存在差異。具體如下表所示: 參數(shù) REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC
設(shè)計(jì)變體名稱 S7T變體 SiC變體
功率MOSFET技術(shù) CoolMOST S7T超級(jí)結(jié) CoolSiCTM
功率MOSFET IPDQ60T010S7:QDPAK TSC封裝 IMDQ75R008MD1H:QDPAK TSC封裝
MOSFET漏源擊穿電壓 600V 750V
MOSFET漏源導(dǎo)通電阻Ros(on) 0.010Ω at Vcs = 12V, b = 50.0A, T = 25 0.0106Ω at Vos = 18V, Io = 90.3A, T = 25°C
過溫檢測(cè)方法 功率MOSFET嵌入式溫度傳感器單獨(dú)Tj感應(yīng) 兩個(gè)功率MOSFET板載NTC進(jìn)行源極引腳溫度(Tntc)測(cè)量

2.5 關(guān)鍵參數(shù)

這兩款參考設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)如下: 參數(shù) 最小值 典型值 最大值 單位
絕對(duì)最大通道電源范圍 90(AC)
120(DC)
260(AC)
375(DC)
V
工作通道電源范圍 100(AC)
330(DC)
240(AC)
370(DC)
V
額定電流(Ta = 25°C) 16 A
靜態(tài)過驅(qū)動(dòng)因子(Ta = 25°C) 1.13
I2t限制值 100k A2s
100ms的RMS過電流(Ta = 25°C) 80 A
頻率模式 DC/50/60 Hz
正/負(fù)OCD跳閘電流限制(di/dt: 10 - 15A/μs) 145 A
最大di/dt(OCD) 100 A/μs
最大MOSFET關(guān)斷電流 見IPDQ60R010S7/IMDQ75R008MD1H數(shù)據(jù)手冊(cè)
污染程度 11
過壓類別 11
最大海拔 2000m
環(huán)境工作溫度(Ta) 25 40 °C

2.6 硬件概述

硬件方面,功率板和邏輯板通過跳線選擇可兼容不同的功率MOSFET。邏輯板上的連接器用于連接各種外部設(shè)備,如電網(wǎng)輸入、負(fù)載輸出、內(nèi)部背板總線、外部用戶接口總線、調(diào)試接口、TFT顯示屏和鍵盤等。在拆卸塑料外殼時(shí),需小心解鎖前面板,避免損壞鍵盤和顯示屏的連接電纜。

三、SSCB Demo GUI

3.1 主窗口功能

SSCB Demo GUI是與演示板進(jìn)行通信的重要工具,提供了豐富的監(jiān)測(cè)和可編程選項(xiàng)。主窗口包含連接/斷開、通道開關(guān)、數(shù)據(jù)讀取、圖形顯示、采集模式選擇、錯(cuò)誤復(fù)位、數(shù)據(jù)讀取回顯等功能按鈕,同時(shí)還顯示通道輸入和輸出電壓、電流、輸入功率、MOSFET結(jié)溫等信息,以及各種狀態(tài)和錯(cuò)誤指示燈。

3.2 配置/診斷窗口

配置/診斷窗口可用于保存和讀取SSCB的配置參數(shù),如OCD閾值、UVP/OVP閾值、溫度保護(hù)閾值、ADC校準(zhǔn)比例因子和跳閘圖表參數(shù)等。還可以進(jìn)行AC/DC模式選擇、Vin保護(hù)設(shè)置、過溫保護(hù)設(shè)置、模擬測(cè)量和應(yīng)用內(nèi)V&I校準(zhǔn)等操作。

3.3 跳閘圖表窗口

跳閘圖表窗口用于設(shè)置SSCB的跳閘圖表參數(shù),包括額定電流、RMS過電流因子、靜態(tài)過驅(qū)動(dòng)因子、跳閘積分等。通過該窗口可以直觀地了解SSCB的跳閘邊界和熱限制。

3.4 實(shí)時(shí)圖形窗口

實(shí)時(shí)圖形窗口以~200Hz或2Hz的更新速率顯示所有模擬測(cè)量值的實(shí)時(shí)圖形??梢赃x擇顯示模擬信號(hào)和狀態(tài)標(biāo)志,支持?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)出和連續(xù)記錄功能。

四、SSCB前面板

SSCB前面板配備了TFT顯示屏和鍵盤,顯示屏有五個(gè)頁(yè)面可供選擇,分別顯示功率、輸入電壓、通道電流、頻率、MOSFET溫度、邏輯板NTC溫度、MOSFET和繼電器狀態(tài)、錯(cuò)誤標(biāo)志以及硬件和軟件版本信息。每個(gè)頁(yè)面底部顯示SSCB狀態(tài)。

五、使用入門

5.1 基本設(shè)置

啟動(dòng)SSCB演示器的基本設(shè)置包括安裝USB2CAN分析儀的USB驅(qū)動(dòng)程序、開啟SSCB通道電源和24V適配器電源、打開SSCB Demo GUI應(yīng)用程序并選擇COM端口進(jìn)行連接。連接成功后,即可開始使用演示器。

5.2 開發(fā)靈活性

在開發(fā)階段,可以使用外部19V DC(+/-1V)電源在邏輯板或功率板上進(jìn)行測(cè)試,同時(shí)在GUI中禁用UVP/OVP保護(hù)。需要注意的是,安全繼電器僅適用于16A RMS電流,若需要超過該電流能力,需繞過繼電器觸點(diǎn)。

六、CAN通信

6.1 通信接口

SSCB演示器通過CAN接口與PC GUI進(jìn)行通信,采用隔離CAN接口,CAN版本為V2.0B active,標(biāo)識(shí)符為標(biāo)準(zhǔn)11位,RX和TX標(biāo)識(shí)符地址均為0x321,數(shù)據(jù)長(zhǎng)度為8字節(jié),波特率為500kbps。

6.2 CAN命令列表

CAN通信使用一系列命令進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,包括開關(guān)控制、數(shù)據(jù)讀取、配置設(shè)置、固件更新等。具體命令和數(shù)據(jù)格式在文檔中有詳細(xì)說明。

七、SSCB Demo性能測(cè)試

7.1 ZVS和ZCS

在AC模式下,通道在零電壓時(shí)開啟,在零電流時(shí)關(guān)閉,實(shí)現(xiàn)了零電壓開關(guān)(ZVS)和零電流開關(guān)(ZCS),減少了開關(guān)損耗。

7.2 過流檢測(cè)(OCD)性能

對(duì)正負(fù)極性的通道DC電流進(jìn)行過流檢測(cè)測(cè)試,觀察到CoolMOS?的總關(guān)斷傳播延遲約為880ns,CoolSiC?約為420ns。通過改變DC電源幅度,測(cè)試了不同di/dt下的OCD性能。

7.3 熱性能

SSCB采用被動(dòng)散熱方式,通過在MOSFET頂部焊接銅散熱片進(jìn)行散熱。在室溫下,對(duì)不同DC電流進(jìn)行熱測(cè)量,觀察到CoolMOS? S7T的過溫保護(hù)設(shè)置為Tj = 150°C,SiC變體在散熱片溫度超過140°C時(shí)關(guān)閉通道。由于MOSFET和NTC之間的熱電容和NTC響應(yīng)時(shí)間的影響,在高脈沖電流水平下,Tntc或TNT的測(cè)量值不如熱電偶準(zhǔn)確。

八、總結(jié)

英飛凌的REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A和REF_SSCB_AC_DC_1PH_SiC SSCB參考設(shè)計(jì)為工程師們提供了一個(gè)功能強(qiáng)大、性能可靠的固態(tài)斷路器解決方案。通過豐富的保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能、可編程的GUI界面以及良好的熱性能,這兩款參考設(shè)計(jì)適用于各種需要高效電路保護(hù)和控制的應(yīng)用場(chǎng)景。在使用過程中,工程師們需要注意安全事項(xiàng),合理設(shè)置參數(shù),以充分發(fā)揮其優(yōu)勢(shì)。你在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過類似的固態(tài)斷路器設(shè)計(jì)問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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