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汽車USB 2.0接口保護利器:TPD3S714-Q1深度解析

lhl545545 ? 2025-12-19 16:05 ? 次閱讀
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汽車USB 2.0接口保護利器:TPD3S714-Q1深度解析

汽車電子系統(tǒng)中,USB接口的應(yīng)用越來越廣泛,從音響主機、后座娛樂系統(tǒng)到遠程信息處理等設(shè)備,都離不開USB接口實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸和充電功能。然而,汽車環(huán)境復雜,USB接口面臨著電池短路、接地短路、過流、過壓以及靜電放電(ESD)等多種風險。為了保障汽車USB接口的穩(wěn)定運行,德州儀器TI)推出了TPD3S714-Q1汽車USB 2.0接口保護器件。今天,我們就來深入了解一下這款器件。

文件下載:tpd3s714-q1.pdf

一、TPD3S714-Q1的關(guān)鍵特性

1.1 高可靠性標準與寬溫工作范圍

TPD3S714-Q1符合AEC-Q100標準(1級),這意味著它經(jīng)過了嚴格的汽車級認證,能夠在-40°C至+125°C的寬工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,為汽車電子系統(tǒng)提供了可靠的保障。同時,它還提供功能安全相關(guān)文檔,有助于工程師進行功能安全系統(tǒng)設(shè)計。

1.2 全面的短路保護

  • 電池短路保護:在VBUS_CON、VD+和VD–引腳上均具備高達18V的電池短路保護能力。當這些引腳出現(xiàn)電池短路情況時,器件能夠迅速響應(yīng),隔離內(nèi)部系統(tǒng)電路,防止其受到過壓情況的影響。
  • 接地短路保護:VBUS_CON引腳還提供接地短路保護,過流保護會自動限制電流,防止上游電源軌發(fā)生壓降。

1.3 強大的ESD保護

在VBUS_CON、VD+和VD–引腳上,TPD3S714-Q1提供了IEC 61000-4-2和ISO 10605標準的ESD保護。具體來說,能夠承受±8kV的接觸放電和±15kV的氣隙放電,有效防止靜電對設(shè)備造成損害,無需使用高電壓、低容值的外部ESD二極管。

1.4 低導通電阻與高速數(shù)據(jù)開關(guān)

  • 低RON nFET VBUS開關(guān):典型導通電阻為63mΩ,能夠提供最小的電壓降,確保系統(tǒng)到連接器之間的電壓穩(wěn)定。
  • 高速數(shù)據(jù)開關(guān):-3dB時的帶寬為1GHz,能夠在USB發(fā)生電池短路時最大限度地減少信號衰減,利用汽車USB環(huán)境中常見的長系留線纜實現(xiàn)干凈的USB 2.0高速(480Mbps)眼圖。

1.5 其他特性

  • 斷續(xù)電流限制:具備550mA的過流限制(最小值),當電流超過該閾值時,器件進入過流保護狀態(tài),限制電流輸出。
  • 快速過壓響應(yīng)時間:VBUS開關(guān)的典型過壓響應(yīng)時間為2μs,數(shù)據(jù)開關(guān)的典型過壓響應(yīng)時間為200ns,能夠快速響應(yīng)過壓情況,保護上游收發(fā)器。
  • 集成輸入使能:適用于VBUS、VD+和VD–,通過EN引腳可以方便地開啟或關(guān)閉器件。
  • 故障輸出信號:FLT引腳能夠指示是否發(fā)生故障情況,如過壓、過流或短路等。
  • 熱關(guān)斷特性:當器件溫度超過最大允許結(jié)溫時,會自動關(guān)閉,防止自身損壞,并通過故障引腳發(fā)出信號。
  • 16引腳SSOP封裝:尺寸為4.9mm × 3.9mm,便于PCB布局和設(shè)計。

二、TPD3S714-Q1的應(yīng)用場景

TPD3S714-Q1適用于多種汽車終端設(shè)備和接口,包括但不限于:

  • 終端設(shè)備:音響主機、后座娛樂系統(tǒng)、遠程信息處理、USB集線器、導航模塊、媒體接口等。
  • 接口:USB 2.0接口,能夠為這些設(shè)備的USB連接器的VBUS和數(shù)據(jù)線路提供全面的保護。

三、TPD3S714-Q1的詳細規(guī)格

3.1 絕對最大額定值

參數(shù) 描述 最小值 最大值 單位
VBUS.CON 來自USB連接器的電源電壓 -0.3 18 V
VBUS_SYS PCB上的內(nèi)部直流電源電壓軌 -0.3 6 V
VD+、VD- 連接器側(cè)USB數(shù)據(jù)線的電壓范圍 -0.3 18 V
D+、D- 內(nèi)部USB數(shù)據(jù)線的電壓范圍 -0.3 VIN + 0.3 V
VIN Vin電源輸入的電壓范圍 -0.3 4 V
EN 使能引腳的電壓 - 7 V
TA 工作環(huán)境溫度 -40 125 °C
TSTG 存儲溫度 -65 150 °C

3.2 ESD額定值

  • AEC規(guī)范:人體模型(HBM)為+4000V,充電器件模型(CDM)為±1500V。
  • IEC規(guī)范:IEC 61000-4-2標準下,VBUS_CON、VD+和VD–引腳的接觸放電為+8000V,氣隙放電為+15000V。
  • ISO規(guī)范:ISO 10605(330 pF,330Ω)標準下,VBUS_CON、VD+和VD–引腳的接觸放電為+8000V,氣隙放電為±15000V。

3.3 推薦工作條件

參數(shù) 最小值 標稱值 最大值 單位
VBUS_CON - - 5.25 V
VBUS_SYS 4.75 - 5.25 V
VD+、VD- 0 - VIN + 0.3 V
D+、D- 0 - VIN + 0.3 V
VIN 3 - 3.6 V
IBUS - - 500 mA
EN 0 - 5.9 V
CSYS(VBUS_SYS引腳輸入電容 100 - - μF
CLOAD(VBUS_CON引腳輸出負載電容) 1 - - μF
CVIN(VIN引腳電容) 1 - - μF

3.4 熱信息

熱指標 DBQ(SSOP)16引腳 單位
θJA(結(jié)到環(huán)境的熱阻) 98.8 °C/W
θJCtop(結(jié)到外殼頂部的熱阻) 48 °C/W
θJB(結(jié)到電路板的熱阻) 41.6 °C/W
ψJT(結(jié)到頂部的特征參數(shù)) 8.5 °C/W
ψJB(結(jié)到電路板的特征參數(shù)) 41.2 °C/W
θJCbot(結(jié)到外殼底部的熱阻) N/A °C/W

3.5 電氣特性

TPD3S714-Q1的電氣特性涵蓋了多個方面,如電源電流消耗、欠壓鎖定、過流保護、過壓保護等。以下是一些關(guān)鍵參數(shù):

  • 電源電流消耗:VBUS睡眠電流消耗(IVBUS_SLEEP)典型值為150μA,VBUS工作電流消耗(IVBUS)典型值為380μA。
  • 過流保護:過流限制(ILM)最小值為550mA,典型值為700mA,最大值為850mA。
  • 過壓保護:VBUS_CON引腳的輸入過壓保護閾值(VOVP(RISING))典型值為5.6V,滯后(VHYS(OVP))為50mV。

3.6 時序要求

參數(shù) 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
toN(使能開啟時間) 使能設(shè)備到FLT引腳解除斷言的時間 - 13 - ms
tBLANK(過流消隱時間) 過流情況到FLT斷言和VBus FET關(guān)斷的時間 - - 2 ms
tRETRY(過流重試時間) 過流FET關(guān)斷到FET重新開啟的時間 - 100 - ms
tRECV(過流恢復時間) 過流重試時間結(jié)束到FLT引腳解除斷言的時間(如果過流情況已消除) - 8 - ms
tovP_response(OVP響應(yīng)時間 - VBus) 從OVP條件到FET關(guān)斷的時間 - 2 4 μs
tovP_response(OVP響應(yīng)時間 - 數(shù)據(jù)開關(guān)) 從OVP條件到FET關(guān)斷的時間 - 200 - ns
tSHRT(短路到地響應(yīng)時間) CLOAD = 0 uF,短路情況到電流降至ISHRT的120%以下的時間 - 2 4 μs

四、TPD3S714-Q1的工作原理與功能模式

4.1 工作原理概述

TPD3S714-Q1是一款單芯片解決方案,內(nèi)部電路控制內(nèi)部nFET開關(guān)的導通。內(nèi)部振蕩器控制定時器,使能開關(guān)并重置開漏FLT輸出。當VBUS_CON電壓低于過壓保護閾值(VOVP)時,開關(guān)開啟;經(jīng)過內(nèi)部延遲,電荷泵啟動,通過軟啟動開啟內(nèi)部nFET開關(guān)。一旦nFET完全導通,F(xiàn)LT引腳釋放為高電平。當任何外部引腳電壓超過VOVP時,F(xiàn)LT引腳拉低,nFET開關(guān)關(guān)閉。

4.2 功能模式

  • 正常操作模式:當器件使能,VBUS_SYS和VIN均高于各自的欠壓鎖定(UVLO)閾值,且器件未處于任何故障狀態(tài)時,TPD3S714-Q1正常工作,所有FET導通。
  • 過壓狀態(tài):當VD+、VD-或VBUS_CON引腳電壓超過其過壓保護閾值時,器件進入過壓狀態(tài),所有FET關(guān)閉,F(xiàn)LT引腳斷言。當受保護引腳電壓低于過壓保護閾值時,器件自動重啟。
  • 過流狀態(tài):當通過VBUS路徑的電流超過過流限制(ILIM)閾值時,器件進入過流狀態(tài)。TPD3S714-Q1通過在VBUS FET上降壓來限制電流到ILIM閾值,以維持恒定電流。如果持續(xù)檢測到過流情況達到消隱時間tBLANK,器件將關(guān)閉自身進行重試時間tRETRY,然后自動重試。如果電流低于過流閾值,器件解除故障并恢復正常操作。
  • 短路狀態(tài):當VBUS_CON側(cè)電壓在使能狀態(tài)下低于短路閾值(VSHRT)時,TPD3S714-Q1進入短路模式,源出恒定電流ISHRT。之后,器件自動重新進入正常操作并解除故障。

五、TPD3S714-Q1的設(shè)計與應(yīng)用

5.1 典型應(yīng)用配置

圖9-1展示了一個功能齊全的USB2.0高速端口的典型應(yīng)用配置,該端口在連接器側(cè)具有18V的短路到電池的要求。設(shè)計時需要考慮以下參數(shù):

  • 短路到電池耐受性:TPD3S714-Q1能夠處理VD+、VD–和VBUS_CON引腳高達18V的直流短路。在短路到電池事件中,由于類似熱插拔的特性,可能會出現(xiàn)顯著的振鈴。因此,在VBUS_CON引腳選擇電容器時要格外小心,應(yīng)選擇在施加電壓下降額百分比低的電容器,以防止過度振鈴。例如,可使用1μF、100V耐受的陶瓷X7R電容器。也可以考慮采用標準的R-C緩沖電路或小型外部TVS二極管。
  • VBUS最大電流:TPD3S714-Q1能夠在進入電流限制模式之前,最高處理5500mA的電流(最小值)。在本設(shè)計示例中,選擇了USB2.0的最大電流500mA。
  • USB數(shù)據(jù)速率:由于其高速數(shù)據(jù)開關(guān)帶寬典型值為1GHz,TPD3S714-Q1能夠以USB2.0的最高速度480Mbps運行。在設(shè)計示例中,選擇了最大數(shù)據(jù)速率480Mbps。

5.2 電源供應(yīng)建議

  • VBUS路徑:VBUS_SYS引腳為芯片供電,并通過負載開關(guān)向VBUS_CON提供電流。建議在VBUS_SYS上使用100μF的大容量電容器,以滿足USB端口的供電需求并保持合規(guī)性。在VBUS_CON引腳上建議使用具有足夠電壓額定值的1μF電容器,以耐受短路到電池的情況。為了使器件上電,必須為VBUS_SYS提供高于UVLO閾值的電源電壓。
  • VIN引腳:VIN引腳為數(shù)據(jù)開關(guān)的過壓保護(OVP)電平提供電壓參考,并作為ESD鉗位的旁路。必須在該引腳附近放置一個1μF的電容器,并且電源電壓必須設(shè)置為高于VIN的UVLO閾值。

5.3 布局指南

  • 電容放置:將旁路電容器盡可能靠近VIN、VBUS_SYS和VBUS_CON引腳放置,并將電容器連接到堅實的接地。這樣可以最大限度地減少在短路到電池、ESD或過流等瞬態(tài)事件期間的電壓干擾。
  • 高速走線:高速走線(數(shù)據(jù)開關(guān)路徑)應(yīng)盡可能直,盡量減少尖銳彎曲。
  • ESD保護:對于VD+、VD–和VBUS_CON引腳,應(yīng)遵循標準的ESD建議。將其盡可能靠近連接器放置,以減少ESD事件期間的電磁干擾(EMI)耦合PCB設(shè)計人員應(yīng)通過使未受保護的走線遠離TVS和連接器之間的受保護走線,來最小化EMI耦合的可能性。受保護走線應(yīng)盡量直,并使用盡可能大的圓角來消除尖銳角,因為電場容易在角上積聚,增加EMI耦合。

六、總結(jié)

TPD3S714-Q1作為一款專門為汽車USB 2.0接口設(shè)計的保護器件,具有全面的保護功能、良好的電氣性能和寬溫工作范圍,能夠有效保障汽車USB接口在復雜環(huán)境下的穩(wěn)定運行。在設(shè)計汽車USB接口電路時,工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的電容、電阻等元件,并遵循合理的布局指南,以充分發(fā)揮TPD3S714-Q1的性能優(yōu)勢。同時,對于器件的使用過程中遇到的問題,可參考相關(guān)的文檔和支持資源,或者在TI E2E?支持論壇上尋求幫助。希望本文能夠幫助工程師更好地了解和應(yīng)用TPD3S714-Q1,為汽車電子系統(tǒng)的設(shè)計提供有益的參考。你在實際設(shè)計中是否使用過類似的保護器件?遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)交流分享。

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