隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）終端設(shè)備數(shù)量激增，無(wú)線Wi-Fi模組、BLE藍(lán)牙模組、NB-IoT模組作為設(shè)備聯(lián)網(wǎng)的核心設(shè)備，設(shè)備內(nèi)部的存儲(chǔ)方案有嚴(yán)苛的需求，在各種品牌的存儲(chǔ)芯片中，串行NOR Flash這種類型的產(chǎn)品因支持XIP接口模式、低延遲讀取和高可靠性，目前是大多數(shù)通信模組固件存儲(chǔ)的選擇。然而傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)芯片在功耗、擦寫壽命和接口速度上的局限，正成為制約終端智能化升級(jí)的瓶頸。

武漢新芯推出的 XM25QU128CHIQT08Q128Mbit大容量NOR FLASH存儲(chǔ)芯片可作為華邦 W25Q128JVSIQ 的兼容替代方案。

物聯(lián)網(wǎng)模組對(duì)NOR Flash的需求不同與消費(fèi)類手機(jī)或電腦，設(shè)備對(duì)于頻繁的OTA要求存儲(chǔ)器具備高擦寫耐久性，通常需超過(guò)10萬(wàn)次，大量電池供電設(shè)備比如傳感器、智能穿戴等產(chǎn)品對(duì)低功耗極為敏感，選型中會(huì)較為關(guān)注待機(jī)電流，另外為實(shí)現(xiàn)快速聯(lián)網(wǎng)，模組需在上電后迅速加載通信協(xié)議棧，就需要通過(guò)NOR Flash的高速讀取能力以避免連接延遲，存儲(chǔ)芯片還需滿足小封裝、高集成度和引腳兼容等設(shè)計(jì)要求。相比之下，部分傳統(tǒng)NOR Flash因僅支持低速SPI接口、擦寫壽命不足5萬(wàn)次以及待機(jī)功耗偏高等短板，已難以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)模組的綜合性能需求。

XM25QU128CHIQT08Q 關(guān)鍵參數(shù)

1. 高速接口支持，提升系統(tǒng)響應(yīng)效率

支持 Quad SPI 與 XPI模式，讀取帶寬可達(dá) 133 MHz，兼容 XIP 功能，允許MCU直接從Flash執(zhí)行代碼，省去SRAM緩存步驟，縮短啟動(dòng)時(shí)間；

實(shí)測(cè)表明，在Wi-Fi模組中加載輕量級(jí)RTOS+協(xié)議棧，冷啟動(dòng)時(shí)間可控制在200ms以內(nèi)，優(yōu)于部分僅支持Dual SPI的競(jìng)品。

注：XPI并非行業(yè)通用標(biāo)準(zhǔn)，需確認(rèn)主控芯片（如ESP32、nRF52840）是否支持該模式。

2. 耐久性與數(shù)據(jù)保持能力

標(biāo)稱 擦寫次數(shù)10萬(wàn)次以上，數(shù)據(jù)保持期大于20年。

對(duì)比華邦 W25Q128JVSIQ（同樣標(biāo)稱10萬(wàn)次），兩者在壽命指標(biāo)上基本持平；

內(nèi)置 ECC機(jī)制，可在輕微位翻轉(zhuǎn)時(shí)自動(dòng)修復(fù)，提升長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。

3. 低功耗設(shè)計(jì)適配電池場(chǎng)景

待機(jī)電流典型值低于10，讀取電流約 12 mA ；

支持深度掉電模式，可進(jìn)一步將電流降至1μA以下，適合間歇喚醒型設(shè)備比如溫濕度傳感器。

4. 封裝與兼容性

采用 8-pin SOIC（208mil）封裝，與W25Q128JVSIQ物理引腳兼容；

電壓范圍 2.7V–3.6V，；

提供 OTP一次性可編程，可用于存儲(chǔ)設(shè)備唯一ID或安全密鑰，增強(qiáng)固件防篡改能力。

XM25QU128CHIQT08Q與W25Q128JVSIQ的對(duì)比如下

在性能參數(shù)上，性能高度接近。XM25QU128CHIQT08Q 的主要優(yōu)勢(shì)在于國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈保障與本地技術(shù)支持響應(yīng)速度。

XM25QU128CHIQT08Q高度兼容華邦 W25Q128JVSIQ，在容量、引腳布局、電氣特性和指令集等關(guān)鍵維度實(shí)現(xiàn)無(wú)縫替換。這一特性顯著降低了模組廠商的切換門檻——無(wú)需修改硬件設(shè)計(jì)或大幅調(diào)整固件驅(qū)動(dòng)，即可快速導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)器件。