功率半導(dǎo)體的N和P摻雜濃度技術(shù)探討
01
導(dǎo)率型號的符號上去的, 表示電導(dǎo)型號的符號上的, 用來表示摻雜水平。
- 和 P
表示具有比臨近區(qū)域更
摻雜水平的N和P層N+ 和 pr 表示具有比臨近區(qū)域更
摻雜水平的N和P層
02
N- 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3
P- 典型摻雜范圍 1012~1014/cm3
03
N 典型摻雜范圍 1015~1018/cm3
P 典型摻雜范圍 1015~1018/cm3
041
N+ 典型摻雜范圍 1019~1021/cm3
P+ 典型摻雜范圍 1019~1021/cm3
一個功率器件在其內(nèi)部包含有一個弱摻雜N-區(qū)域
重摻雜N++和P++層接近金屬化表面
審核編輯 黃宇
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功率半導(dǎo)體
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