HBM3E反常漲價20%，AI算力競賽重塑存儲芯片市場格局
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）在半導(dǎo)體存儲行業(yè)的常規(guī)邏輯中，新一代產(chǎn)品面世前夕，前代產(chǎn)品降價清庫存是常規(guī)定律，但如今HBM（高帶寬內(nèi)存）將打破這一行業(yè)共識。據(jù)韓媒最新報道，三星電子和SK海力士已上調(diào)明年HBM3E價格，漲幅接近20%。
此次漲價背后，是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈瓶頸的共同作用。隨著英偉達H200、谷歌TPU、亞馬遜Trainium等AI芯片需求激增，HBM3E供需缺口持續(xù)擴大。與此同時，存儲廠商正將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進的HBM4，進一步擠壓了HBM3E的生產(chǎn)資源。
行業(yè)格局重塑：HBM市場進入新周期
HBM3E的逆勢漲價并非孤立事件，而是全球存儲行業(yè)進入“超級周期”的必然結(jié)果。自2025年第三季度起，存儲芯片行業(yè)開啟史無前例的上行周期。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%，達414億美元；NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元。 這一輪超級周期的核心驅(qū)動力，是供需失衡的結(jié)構(gòu)性矛盾。其中，DRAM的增長主要得益于一般型DRAM合約價格上漲、出貨量增加以及HBM出貨規(guī)模擴張。隨著存儲芯片從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎(chǔ)設(shè)施的“戰(zhàn)略物資”，單臺AI服務(wù)器的存儲配置達1.7TB，而傳統(tǒng)服務(wù)器僅需0.5TB。這種“吞噬式需求”徹底顛覆了存儲市場的傳統(tǒng)供需邏輯。三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產(chǎn)能向HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品傾斜，甚至完全停產(chǎn)DDR4、DDR3等前代產(chǎn)品。美光更是宣布退出消費級業(yè)務(wù)，將全部資源集中于數(shù)據(jù)中心等高利潤領(lǐng)域。 高端產(chǎn)能的爭奪已成為行業(yè)競爭的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市場的合計份額超94%，在HBM領(lǐng)域更是占據(jù)壟斷地位。此次HBM3E提價，本質(zhì)上是頭部廠商憑借產(chǎn)能優(yōu)勢掌握定價權(quán)的體現(xiàn)，且這一輪漲價潮已顯著提振三巨頭的業(yè)績?！斑@不僅是一次價格調(diào)整，更是HBM市場進入高速增長期的標志?！币晃淮鎯Ξa(chǎn)業(yè)分析師表示，“隨著AI芯片需求激增，HBM已成為AI服務(wù)器的核心組件，其重要性不亞于GPU?！?/span> HBM3E漲價的漣漪效應(yīng)正沿產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)擴散。對于下游AI芯片廠商、服務(wù)器廠商而言，存儲成本飆升將大幅擠壓利潤空間。目前，聯(lián)想、戴爾等終端廠商已開始上調(diào)產(chǎn)品價格，部分廠商甚至選擇降低配置以緩解成本壓力，最終可能抑制消費端需求，形成反向調(diào)節(jié)。 聯(lián)想集團董事長兼CEO楊元慶在聯(lián)想集團2025/2026財年第二季度業(yè)績發(fā)布會上表示，內(nèi)存、閃存、固態(tài)硬盤等零部件的短缺和價格上漲并非短期現(xiàn)象，未來一年都將維持這一態(tài)勢，但聯(lián)想相比競爭對手具備更強的應(yīng)對能力。 對于國產(chǎn)存儲廠商而言，這場行業(yè)變局卻孕育著重要機遇。海外巨頭向高端產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致中低端存儲市場出現(xiàn)供給缺口，為本土企業(yè)騰出了市場空間。
供需失衡：HBM3E漲價背后的市場邏輯
從當(dāng)前最新消息來看，2026年本該是HBM4的“主場”。報道顯示，本月10日，SK海力士已與英偉達（NVIDIA）就HBM4芯片的供貨量完成協(xié)商，并已投入量產(chǎn)。三星方面，其存儲業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁金在俊（Kim Jae-joon）此前表示，三星的HBM4開發(fā)工作正按計劃推進，將于2025年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)，并預(yù)計2026年啟動商業(yè)供應(yīng)。此外，公司正與多家客戶合作開發(fā)基于HBM4及增強型HBM4E的定制版本。 HBM4是JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2025年4月16日通過JESD270-4規(guī)范確立的第四代高帶寬內(nèi)存標準，主要面向人工智能、高性能計算及高端顯卡領(lǐng)域。該標準采用2048位接口，傳輸速率達8Gb/s，總帶寬2TB/s，支持4/8/12/16層DRAM堆棧，單堆棧最大容量64GB，通道數(shù)量增至32個，并引入0.7V-0.9V VDDQ電壓與1.0V-1.05V VDDC電壓選項。HBM4將實現(xiàn)架構(gòu)層面的革新：新標準引入的邏輯層集成設(shè)計，允許在內(nèi)存堆疊中嵌入可編程計算單元，使內(nèi)存具備基礎(chǔ)算力功能。這一變革將推動“內(nèi)存中心計算”架構(gòu)落地，在AI推理場景中可減少30%的數(shù)據(jù)搬運量，顯著降低系統(tǒng)能耗。 KB Securities數(shù)據(jù)顯示，以ASIC廠商為主要客戶的三星，2026年HBM總出貨量有望較2025年暴增3倍，預(yù)計將達到111億Gb。需求端呈現(xiàn)多點開花態(tài)勢：英偉達H200芯片每顆需搭載6顆HBM3E；谷歌第七代TPU每顆搭載8顆HBM3E；亞馬遜Trainium則搭載4顆HBM3E。 具體來看谷歌第七代TPU，該產(chǎn)品配備192GB HBM3E顯存，帶寬達7.37 TB/s，采用3D堆疊封裝技術(shù)集成雙計算核心與內(nèi)存模塊。出貨計劃方面，谷歌第七代TPU已于2025年發(fā)布并啟動商用，其AI推理性能顯著提升，單顆算力達4614 TFLOPS（FP8精度）。不出意外，2026年搭載該TPU的算力服務(wù)器將大規(guī)模出貨，進一步帶動HBM3E用量增長。 然而，供應(yīng)端正面臨產(chǎn)能調(diào)整的陣痛。三星與SK海力士正全力推進HBM4產(chǎn)能建設(shè)，預(yù)計2026年HBM4將占HBM市場營收的55%，而HBM3E占比將降至45%。KB Securities分析師指出：“從2026年第三季度開始，HBM4將快速承接HBM3E的需求，但在此之前，HBM3E的供應(yīng)將持續(xù)緊張。”在此背景下，兩大廠商難以大幅提升HBM3E產(chǎn)能，導(dǎo)致供應(yīng)無法匹配激增的需求，最終催生了近20%的漲價溢價。行業(yè)格局重塑：HBM市場進入新周期
HBM3E的逆勢漲價并非孤立事件，而是全球存儲行業(yè)進入“超級周期”的必然結(jié)果。自2025年第三季度起，存儲芯片行業(yè)開啟史無前例的上行周期。TrendForce數(shù)據(jù)顯示，2025年第三季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增30.9%，達414億美元；NAND品牌商合計營收季增16.5%，逼近171億美元。 這一輪超級周期的核心驅(qū)動力，是供需失衡的結(jié)構(gòu)性矛盾。其中，DRAM的增長主要得益于一般型DRAM合約價格上漲、出貨量增加以及HBM出貨規(guī)模擴張。隨著存儲芯片從消費電子的“成本部件”升級為AI基礎(chǔ)設(shè)施的“戰(zhàn)略物資”，單臺AI服務(wù)器的存儲配置達1.7TB，而傳統(tǒng)服務(wù)器僅需0.5TB。這種“吞噬式需求”徹底顛覆了存儲市場的傳統(tǒng)供需邏輯。三星、美光、SK海力士三大海外巨頭紛紛將產(chǎn)能向HBM、DDR5等高端存儲產(chǎn)品傾斜，甚至完全停產(chǎn)DDR4、DDR3等前代產(chǎn)品。美光更是宣布退出消費級業(yè)務(wù)，將全部資源集中于數(shù)據(jù)中心等高利潤領(lǐng)域。 高端產(chǎn)能的爭奪已成為行業(yè)競爭的核心。目前，三星、SK海力士和美光在DRAM市場的合計份額超94%，在HBM領(lǐng)域更是占據(jù)壟斷地位。此次HBM3E提價，本質(zhì)上是頭部廠商憑借產(chǎn)能優(yōu)勢掌握定價權(quán)的體現(xiàn)，且這一輪漲價潮已顯著提振三巨頭的業(yè)績?！斑@不僅是一次價格調(diào)整，更是HBM市場進入高速增長期的標志?！币晃淮鎯Ξa(chǎn)業(yè)分析師表示，“隨著AI芯片需求激增，HBM已成為AI服務(wù)器的核心組件，其重要性不亞于GPU?！?/span> HBM3E漲價的漣漪效應(yīng)正沿產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)擴散。對于下游AI芯片廠商、服務(wù)器廠商而言，存儲成本飆升將大幅擠壓利潤空間。目前，聯(lián)想、戴爾等終端廠商已開始上調(diào)產(chǎn)品價格，部分廠商甚至選擇降低配置以緩解成本壓力，最終可能抑制消費端需求，形成反向調(diào)節(jié)。 聯(lián)想集團董事長兼CEO楊元慶在聯(lián)想集團2025/2026財年第二季度業(yè)績發(fā)布會上表示，內(nèi)存、閃存、固態(tài)硬盤等零部件的短缺和價格上漲并非短期現(xiàn)象，未來一年都將維持這一態(tài)勢，但聯(lián)想相比競爭對手具備更強的應(yīng)對能力。 對于國產(chǎn)存儲廠商而言，這場行業(yè)變局卻孕育著重要機遇。海外巨頭向高端產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，導(dǎo)致中低端存儲市場出現(xiàn)供給缺口，為本土企業(yè)騰出了市場空間。
結(jié)語
HBM3E的逆勢漲價，既是AI算力需求爆發(fā)與供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性失衡共同作用的必然結(jié)果，更是存儲行業(yè)從消費電子配套向AI戰(zhàn)略核心轉(zhuǎn)型的鮮明注腳。當(dāng)前，全球存儲行業(yè)的“超級周期”已全面開啟，供需邏輯重構(gòu)與產(chǎn)能結(jié)構(gòu)升級正重塑市場格局：頭部廠商憑借技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢鞏固定價權(quán)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游則在成本壓力與需求紅利中尋求平衡。對于國產(chǎn)存儲企業(yè)而言，海外巨頭向高端產(chǎn)能傾斜帶來的中低端市場缺口，無疑是實現(xiàn)突圍的關(guān)鍵窗口期。?
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