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東芯半導(dǎo)體榮獲2025年度芯片技術(shù)突破獎(jiǎng)

東芯半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芯半導(dǎo)體 ? 2025-12-28 13:39 ? 次閱讀
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2025年12月19日,OFweek 2025(第十屆)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)大會(huì)將在金茂深圳JW萬(wàn)豪酒店隆重舉行,大會(huì)分享各企業(yè)在智能工廠、智慧交通、智慧城市等領(lǐng)域的標(biāo)桿實(shí)踐案例,共商物聯(lián)網(wǎng)終端安全可靠解決方案與標(biāo)準(zhǔn)互認(rèn)互通之道,東芯半導(dǎo)體股份有限公司也在現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行了展示與分享。

Part.01

喜獲嘉獎(jiǎng)|芯片技術(shù)突破獎(jiǎng)

SPI NOR Flash

該產(chǎn)品搭配

- 40℃-125℃寬溫設(shè)計(jì),攻克車(chē)規(guī)級(jí)高可靠性難題。契合物聯(lián)網(wǎng)大容量、小體積需求,覆蓋多場(chǎng)景,技術(shù)突破兼具創(chuàng)新性與實(shí)用性。

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Part.02

大會(huì)分享|干貨滿滿

《低功耗、高可靠存儲(chǔ)產(chǎn)品為物聯(lián)網(wǎng)終端保駕護(hù)航》

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東芯半導(dǎo)體股份有限公司市場(chǎng)經(jīng)理王竑蒝以《低功耗、高可靠存儲(chǔ)產(chǎn)品,為物聯(lián)網(wǎng)終端保駕護(hù)航》為題進(jìn)行主題演講,為我們深入分享在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域東芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品方面如何創(chuàng)新與適配終端應(yīng)用。

1存儲(chǔ)芯片如何在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中

扮演至關(guān)重要的角色

物聯(lián)網(wǎng)(IoT)是一個(gè)復(fù)雜的系統(tǒng),其核心技術(shù)可以分為三個(gè)主要層級(jí):感知層、傳輸層和應(yīng)用層。 每個(gè)層級(jí)都包含多種關(guān)鍵技術(shù),涉及傳感器、通信技術(shù)、云計(jì)算、邊緣計(jì)算、數(shù)據(jù)分析和應(yīng)用交互等多個(gè)方面的技術(shù)和組件。

隨著5G、邊緣計(jì)算、AIoT(人工智能+物聯(lián)網(wǎng))等技術(shù)的融合推進(jìn),物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的普及與發(fā)展正在深刻影響著家居、工業(yè)、醫(yī)療、交通等眾多應(yīng)用層領(lǐng)域,開(kāi)啟萬(wàn)物互聯(lián)新時(shí)代,并帶動(dòng)了物聯(lián)網(wǎng)芯片的需求,存儲(chǔ)芯片需求隨之增加。

感知層

負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)的臨時(shí)存儲(chǔ)、緩存和本地保存。

產(chǎn)生大量數(shù)據(jù),存儲(chǔ)芯片需要賦能應(yīng)用穩(wěn)定工作,安全長(zhǎng)久存儲(chǔ)數(shù)據(jù)且不丟失。

傳輸層

保障數(shù)據(jù)的可靠性、實(shí)時(shí)性和效率。

存儲(chǔ)芯片不僅是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的載體,更是提升傳輸效率、安全性和智能化水平的核心組件。

應(yīng)用層

分類(lèi)多樣化,覆蓋場(chǎng)景范圍持續(xù)擴(kuò)大。

存儲(chǔ)芯片與物聯(lián)網(wǎng)終端多樣性進(jìn)行適配,形成了面向不同行業(yè)應(yīng)用需求的差異化接入能力。

2提供低功耗、高可靠存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品

為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用保駕護(hù)航

東芯半導(dǎo)體股份有限公司作為Fabless芯片企業(yè),擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。

產(chǎn)品多樣

深耕存儲(chǔ)主業(yè),構(gòu)建了六大利基型產(chǎn)品結(jié)構(gòu),

滿足物聯(lián)網(wǎng)多樣化需求。

SPI NAND:單顆粒芯片設(shè)計(jì)

PPI NAND:高可靠性

NOR Flash:大容量&低功耗

DDR3(L):低電壓&高傳輸速率

LPDDR1/2/4X:低電壓

MCP:低電壓設(shè)計(jì),合二為一封裝

持續(xù)創(chuàng)新

以客戶需求為導(dǎo)向,建立了產(chǎn)品線短、中、長(zhǎng)期的多層次開(kāi)發(fā)計(jì)劃,持續(xù)完善研究開(kāi)發(fā)的系統(tǒng)化平臺(tái),為后續(xù)產(chǎn)品迅速迭代及平臺(tái)工藝演進(jìn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

產(chǎn)業(yè)協(xié)同

打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈體系,堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略積極拓展境內(nèi)外雙代工模式,可提供從設(shè)計(jì)到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案。

迭代升級(jí)

聚焦高附加值產(chǎn)品、向先進(jìn)制程持續(xù)推進(jìn),

SLC NAND Flash、NOR Flash 等產(chǎn)品

陸續(xù)有更多料號(hào)通過(guò)AEC-Q100 的驗(yàn)證,

適用于要求更為嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用環(huán)境。

Automotive Grade 2/1 -40°C~105°C/125°C

公司設(shè)計(jì)研發(fā)的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均為我國(guó)領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程,實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)閃存芯片的技術(shù)突破。

一起探索東芯半導(dǎo)體產(chǎn)品更多驚喜吧!

東芯,為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案!

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù),專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力,通過(guò)國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作,致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。

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原文標(biāo)題:高可靠、低功耗產(chǎn)品為物聯(lián)網(wǎng)終端保駕護(hù)航,東芯半導(dǎo)體榮獲芯片技術(shù)突破獎(jiǎng)!

文章出處:【微信號(hào):東芯半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):東芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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