RENESAS RH4Z2501 IO-Link收發(fā)器：硬件設(shè)計(jì)的新選擇

引言

在硬件設(shè)計(jì)領(lǐng)域，我們常常需要尋找性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定性高的器件。今天，我們就來(lái)深入了解一下RENESAS的RH4Z2501，一款集成保護(hù)功能的IO - Link收發(fā)器。

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一、RH4Z2501概覽

（一）基本特性

RH4Z2501是一款線(xiàn)驅(qū)動(dòng)器/電平轉(zhuǎn)換器IC，具有諸多吸引人的特性。它具備可調(diào)節(jié)的驅(qū)動(dòng)器壓擺率，能根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景靈活調(diào)整；集成了喚醒檢測(cè)功能，還能通過(guò)MCU輔助實(shí)現(xiàn)喚醒生成，典型電流可達(dá)700mA。此外，它擁有OWI數(shù)字通信和校準(zhǔn)接口，以及集成的3.3V和5V線(xiàn)性穩(wěn)壓器，工作的環(huán)境溫度范圍為 -40°C至125°C，還配備了接收器干擾濾波器。

（二）訂購(gòu)信息

（三）引腳配置與描述

（四）電氣參數(shù)與工作條件

器件的絕對(duì)最大額定值明確了其安全工作的邊界，例如，結(jié)溫范圍為 -40°C至175°C，存儲(chǔ)溫度范圍為 -40°C至150°C。建議的工作條件也給出了詳細(xì)的參數(shù)，如電源電壓L + 在9V至36V之間，環(huán)境溫度范圍為 -40°C至125°C。其電氣規(guī)格涵蓋了各種參數(shù)，如IC電源的欠壓關(guān)斷、欠壓警告、過(guò)壓警告等。

二、線(xiàn)性穩(wěn)壓器的多樣配置

（一）內(nèi)部5V線(xiàn)性穩(wěn)壓器

RH4Z2501內(nèi)部配備了兩個(gè)LDO，能夠生成5V和3.3V的電源軌。通過(guò)連接內(nèi)部穩(wěn)壓器輸出（VR引腳）和5V引腳，可使用內(nèi)部低壓差穩(wěn)壓器生成5V電源，最大能提供50mA的電流。當(dāng)需要更高的電流時(shí)，可以考慮使用外部NPN晶體管或外部轉(zhuǎn)換器。同時(shí)，為了實(shí)現(xiàn)最佳的熱性能，需要考慮LDO的功耗問(wèn)題。 在設(shè)計(jì)中，我們可以參考一些功耗優(yōu)化方法，例如在選擇外部元件時(shí)，要考慮其功耗特性。根據(jù)搜索到的信息，在一些便攜式電子設(shè)備、傳感器網(wǎng)絡(luò)、智能穿戴等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的微功耗低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器（LDO）設(shè)計(jì)中，會(huì)采用一些特殊的電路結(jié)構(gòu)和技術(shù)來(lái)降低功耗。這對(duì)于我們?cè)谑褂肦H4Z2501的內(nèi)部LDO時(shí)也有一定的借鑒意義，我們可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，合理選擇元件和配置參數(shù)，以?xún)?yōu)化LDO的功耗。

（二）使用外部NPN晶體管

使用外部NPN晶體管可以改善器件的熱性能，允許提供更高的電流。但要注意在NPN晶體管的集電極上放置一個(gè)二極管，以確保反向極性保護(hù)。

（三）使用外部降壓穩(wěn)壓器

外部降壓穩(wěn)壓器也是一種可行的選擇，它可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求提供合適的電源。

（四）3.3V穩(wěn)壓器

3.3V穩(wěn)壓器用于定義邏輯電平。若將V33引腳與V5引腳連接，則可以實(shí)現(xiàn)5V邏輯電平的操作。

（五）熱考慮

在使用PHY的內(nèi)部電源功能時(shí)，內(nèi)部LDO和驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的功率可能會(huì)超過(guò)器件封裝的安全散熱能力。因此，確保驅(qū)動(dòng)器和LDO的負(fù)載小于封裝的散熱能力非常重要。器件的總功耗可以通過(guò)表7中的公式進(jìn)行計(jì)算。

三、C/Q驅(qū)動(dòng)器的功能與保護(hù)機(jī)制

（一）驅(qū)動(dòng)器的啟用與禁用

C/Q驅(qū)動(dòng)器的啟用和禁用由TxEN引腳控制。當(dāng)TxEN設(shè)置為“高”時(shí)，驅(qū)動(dòng)器啟用；當(dāng)設(shè)置為“低”時(shí)，驅(qū)動(dòng)器禁用。

（二）過(guò)流保護(hù)

C/Q驅(qū)動(dòng)器能夠檢測(cè)過(guò)載情況。如果發(fā)生過(guò)載情況（高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)器）且持續(xù)時(shí)間超過(guò)消隱時(shí)間（“blankTim”），則會(huì)檢測(cè)到驅(qū)動(dòng)器故障，并設(shè)置過(guò)載（“overLoad”）和中斷（“overLoadInt”）狀態(tài)位。根據(jù)自動(dòng)重試位（“autoRetryEn”）的設(shè)置，驅(qū)動(dòng)器會(huì)有不同的響應(yīng)。如果啟用自動(dòng)重試位，驅(qū)動(dòng)器會(huì)在自動(dòng)重試關(guān)閉時(shí)間（“autoRetryTim”）內(nèi)禁用，然后自動(dòng)重新啟用；如果禁用自動(dòng)重試位，驅(qū)動(dòng)器將保持活動(dòng)狀態(tài)，直到發(fā)生熱關(guān)斷事件。

（三）低壓檢測(cè)

1. 欠壓警告

當(dāng)L + 引腳檢測(cè)到低電壓情況時(shí)，IC會(huì)發(fā)出警告。當(dāng)L + 電源電壓下降到警告電壓以下時(shí)，會(huì)設(shè)置欠壓警告中斷（“uvWarnInt”）和欠壓警告狀態(tài)位（“uvWarn”）。當(dāng)L + 電壓上升到警告釋放閾值電壓以上時(shí)，該狀態(tài)位會(huì)被清除。

2. 欠壓關(guān)斷

如果L + 電源下降到關(guān)斷電壓以下，C/Q驅(qū)動(dòng)器會(huì)自動(dòng)關(guān)閉。此時(shí)會(huì)設(shè)置關(guān)斷中斷（“uvShutInt”）和關(guān)斷狀態(tài)位（“cqShut”），驅(qū)動(dòng)器關(guān)閉。當(dāng)L + 電壓上升到關(guān)斷電壓以上時(shí)，驅(qū)動(dòng)器會(huì)重新啟用，狀態(tài)位也會(huì)被清除。

（四）熱保護(hù)

當(dāng)器件溫度超過(guò)140°C時(shí)，會(huì)產(chǎn)生熱警告。狀態(tài)寄存器中的“TempWarn”位在溫度下降到125°C以下時(shí)會(huì)被清除。器件在溫度達(dá)到165°C之前可以繼續(xù)工作，超過(guò)該溫度時(shí)，驅(qū)動(dòng)器會(huì)被禁用。當(dāng)溫度下降15°C時(shí)，驅(qū)動(dòng)器會(huì)重新啟用。

四、喚醒檢測(cè)與生成

（一）喚醒檢測(cè)

在發(fā)射模式（TxEN = 1）下，IC可以檢測(cè)IO - Link主設(shè)備的特定喚醒請(qǐng)求（WURQ）。WURQ檢測(cè)可以通過(guò)電流過(guò)載或TxD和RxD線(xiàn)的矛盾兩種方式實(shí)現(xiàn)。IC配置寄存器（“wuMode”）可以選擇使用哪種事件進(jìn)行WURQ檢測(cè)。如果配置的事件在特定時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)，/WU引腳會(huì)被拉低，直到TxEN釋放。同時(shí)，喚醒預(yù)防邏輯可以避免因/CQ引腳連接較大電容而產(chǎn)生的誤喚醒警報(bào)。

（二）喚醒生成

1. 主模式

在主模式下，外部MCU通過(guò)將/WU引腳拉低（選擇高功率模式）并激活TxEN 80μs，同時(shí)TxD與RxD方向相反，來(lái)生成喚醒脈沖。當(dāng)“masterMode”位設(shè)置為1時(shí)，/WU引腳成為一個(gè)帶有上拉電阻的輸入引腳，拉低該引腳會(huì)將驅(qū)動(dòng)器切換到高功率模式和最快壓擺率，當(dāng)TxEN啟用時(shí)，會(huì)施加大于600mA的電流。

2. 設(shè)備模式

在設(shè)備模式下，RH4Z2501會(huì)生成脈沖，將外部MCU從睡眠模式中喚醒。

3. 使用引腳

/WU和OWI/DIAG引腳都可以被外部MCU用于傳輸或接收喚醒信號(hào)。如果需要節(jié)省外部MCU的一個(gè)GPIO引腳，可以使用OWI/DIAG引腳。

五、保護(hù)機(jī)制

（一）浪涌保護(hù)

器件內(nèi)置了集成浪涌保護(hù)電路，能夠承受IEC 61000 - 4 - 5標(biāo)準(zhǔn)下±1.25kV（500Ω）的浪涌事件。該電路可以保護(hù)L +、C/Q和L - 引腳免受正負(fù)極性浪涌電壓脈沖的影響。

（二）反向極性保護(hù)

反向極性保護(hù)電路可以防止L +、C/Q和L - 引腳意外連接反極性。任何引腳之間的最大電壓不得超過(guò)±60V DC。

（三）芯片損壞檢測(cè)

芯片管芯周?chē)幸桓饘倬€(xiàn)，用于在生產(chǎn)測(cè)試期間檢測(cè)封裝或管芯的裂紋。通過(guò)專(zhuān)用電路的診斷功能，可以檢查該金屬線(xiàn)的導(dǎo)電性。

六、OWI接口

（一）OWI協(xié)議

OWI協(xié)議具有明確的定義。空閑狀態(tài)下，OWI線(xiàn)通過(guò)內(nèi)部電阻上拉到IO電源電壓Vio。啟動(dòng)條件是在OWI線(xiàn)處于空閑模式時(shí)，一個(gè)最小寬度為tOWI_START ≥ 4μs的“低”脈沖后接一個(gè)“高”脈沖。數(shù)據(jù)以字節(jié)（8位）形式傳輸，從最高有效位（MSB）開(kāi)始。傳輸?shù)奈辉趩?dòng)條件后，在OWI線(xiàn)從“低”到“高”的每個(gè)轉(zhuǎn)換時(shí)被識(shí)別。位的值取決于高相位與“高”/“低”周期（位周期，tOWI_BIT）的占空比。

（二）OWI命令結(jié)構(gòu)

RH4Z2501被視為OWI從設(shè)備，外部MCU為OWI主設(shè)備。7位的OWI從設(shè)備地址設(shè)置為0x55。OWI通信不進(jìn)行CRC檢查，并且地址指針可以自動(dòng)遞增，以便在短時(shí)間內(nèi)寫(xiě)入多個(gè)寄存器。

1. OWI寫(xiě)命令

執(zhí)行寫(xiě)命令有特定的位序列和命令結(jié)構(gòu)。

2. OWI讀命令

執(zhí)行讀命令也有相應(yīng)的位序列和命令結(jié)構(gòu)。

七、寄存器映射

器件的寄存器映射涵蓋了多個(gè)寄存器，每個(gè)寄存器的不同位具有不同的功能。例如，IRQ_Status寄存器的位由中斷事件設(shè)置，內(nèi)容在寄存器被讀取之前保持不變；Status寄存器顯示設(shè)備的當(dāng)前狀態(tài)，是只讀寄存器；IRQ_Enable寄存器用于啟用或屏蔽中斷事件；comParam寄存器用于配置驅(qū)動(dòng)器參數(shù)；comCtrl1和comCtrl2寄存器用于配置收發(fā)器參數(shù)；alarm寄存器用于配置收發(fā)器參數(shù)；Master寄存器用于為主模式操作配置發(fā)射器。

八、總結(jié)

RENESAS的RH4Z2501 IO - Link收發(fā)器憑借其豐富的功能、強(qiáng)大的保護(hù)機(jī)制和靈活的配置選項(xiàng)，為硬件設(shè)計(jì)工程師提供了一個(gè)優(yōu)秀的選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要根據(jù)具體的需求合理選擇器件的配置和工作模式，同時(shí)要注意熱管理和保護(hù)機(jī)制的應(yīng)用，以確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。大家在使用過(guò)程中有沒(méi)有遇到過(guò)類(lèi)似器件的一些特殊問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。