HMC1087:2 - 20 GHz 8 瓦 GaN MMIC 功率放大器的全面解析
在射頻與微波領(lǐng)域,功率放大器是至關(guān)重要的器件,它直接影響著系統(tǒng)的性能和效率。今天,我們將深入探討一款高性能的功率放大器——HMC1087,它由 Analog Devices 公司推出,是一款工作在 2 - 20 GHz 頻段的 8 瓦 GaN MMIC 功率放大器。
文件下載:HMC1087.pdf
典型應(yīng)用場景
HMC1087 的應(yīng)用范圍非常廣泛,主要包括以下幾個方面:
- 測試儀器:在測試儀器中,需要高精度、寬頻帶的功率放大,HMC1087 的高性能能夠滿足測試儀器對信號放大的嚴格要求。
- 通用通信:在各種通信系統(tǒng)中,如無線通信、衛(wèi)星通信等,HMC1087 可以提供穩(wěn)定的功率放大,確保信號的可靠傳輸。
- 雷達系統(tǒng):雷達系統(tǒng)對功率放大器的要求較高,HMC1087 的高功率、寬頻帶特性使其成為雷達系統(tǒng)中理想的功率放大器件。
特性亮點
HMC1087 具有一系列出色的特性,使其在同類產(chǎn)品中脫穎而出:
- 高飽和功率(Psat):達到 +39 dBm,能夠提供足夠的功率輸出,滿足大多數(shù)應(yīng)用的需求。
- 高功率增益:在飽和功率下,功率增益為 +5.5 dB,小信號增益可達 11 dB,能夠有效放大輸入信號。
- 高輸出三階交調(diào)截點(IP3):+44 dBm 的輸出 IP3 表明該放大器具有良好的線性度,能夠減少信號失真。
- 50 歐姆匹配輸入/輸出:方便與其他 50 歐姆系統(tǒng)集成,降低了設(shè)計難度和成本。
- 小尺寸:芯片尺寸僅為 2 x 4 x 0.1 mm,適合在小型化系統(tǒng)中使用。
詳細描述
工作原理與性能
HMC1087 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的單片微波集成電路(MMIC)功率放大器。在 2 - 20 GHz 的寬頻帶范圍內(nèi),它能夠提供穩(wěn)定的性能。典型情況下,小信號增益為 11 dB,飽和輸出功率為 +39 dBm,在 +29 dBm 輸出功率下,輸出 IP3 為 +44 dBm。該放大器從 +28V DC 電源吸取 850 mA 的靜態(tài)電流,其射頻輸入/輸出端口均匹配到 50 歐姆,便于集成到多芯片模塊(MCMs)中。
電氣規(guī)格
| 在不同的頻率范圍內(nèi),HMC1087 的電氣性能表現(xiàn)如下: | 參數(shù) | 頻率范圍(GHz) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 小信號增益 | 2 - 6 | 10 | 11 | 10 | dB | |
| 6 - 18 | 10 | 12 | 10 | dB | ||
| 18 - 20 | 10 | 12 | 10 | dB | ||
| 增益平坦度 | 2 - 6 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | dB | |
| 6 - 18 | ±1.0 | ±1.0 | ±1.0 | dB | ||
| 18 - 20 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | dB | ||
| 增益隨溫度變化 | - | 0.012 | 0.016 | 0.024 | dB/°C | |
| 輸入回波損耗 | - | 8 | 8 | 15 | dB | |
| 輸出回波損耗 | - | 10 | 12 | 12 | dB | |
| 3 dB 壓縮輸出功率(P3dB) | - | 38 | 38 | 38 | dBm | |
| 3 dB 壓縮功率增益(P3dB) | - | 8.5 | 8.5 | 8 | dB | |
| 飽和輸出功率(Psat) | - | 39 | 40 | 39 | dBm | |
| 輸出三階交調(diào)截點(IP3) | - | 44 | 44 | 43.5 | dBm | |
| 功率附加效率 | - | 24 | 22 | 20 | % | |
| 靜態(tài)電源電流(Idd @ Vdd = 28V) | - | 850 | 850 | 850 | mA |
這些參數(shù)展示了 HMC1087 在不同頻率和溫度條件下的穩(wěn)定性能,為工程師在設(shè)計系統(tǒng)時提供了可靠的參考。
安裝與鍵合技術(shù)
安裝建議
為了確保 HMC1087 的性能和可靠性,在安裝過程中需要注意以下幾點:
- 直接附著:芯片應(yīng)通過共晶工藝直接附著到接地平面上。推薦使用 0.127mm(5 密耳)厚的氧化鋁薄膜基板上的 50 歐姆微帶傳輸線來傳輸射頻信號。如果使用 0.254mm(10 密耳)厚的氧化鋁薄膜基板,則需要將芯片抬高 0.150mm(6 密耳),使芯片表面與基板表面共面。
- 間距控制:微帶基板應(yīng)盡可能靠近芯片,典型的芯片與基板間距為 0.076mm 至 0.152mm(3 至 6 密耳),以減少鍵合線長度,降低信號損耗。
鍵合注意事項
在鍵合過程中,也有一些關(guān)鍵要點需要關(guān)注:
- 互連技術(shù):熱超聲球焊或楔形鍵合是首選的互連技術(shù),應(yīng)使用直徑合適的金線進行鍵合,以確保鍵合強度和穩(wěn)定性。
- 參數(shù)優(yōu)化:鍵合過程中的力、時間和超聲等參數(shù)至關(guān)重要,需要進行優(yōu)化,以實現(xiàn)可重復(fù)的高鍵合拉力強度。同時,要將芯片鍵合焊盤表面溫度限制在最高 200°C。
處理與存儲注意事項
為了避免對芯片造成永久性損壞,在處理和存儲 HMC1087 時,需要遵循以下預(yù)防措施:
- 存儲環(huán)境:所有裸芯片應(yīng)放置在基于華夫或凝膠的靜電放電(ESD)保護容器中,并密封在 ESD 保護袋中進行運輸。一旦密封的 ESD 保護袋打開,所有芯片應(yīng)存儲在干燥的氮氣環(huán)境中。
- 清潔要求:應(yīng)在清潔的環(huán)境中處理芯片,切勿使用液體清潔系統(tǒng)清潔芯片。
- 靜電防護:遵循 ESD 預(yù)防措施,防止靜電放電對芯片造成損壞。
- 瞬態(tài)抑制:在施加偏置時,應(yīng)抑制儀器和偏置電源的瞬態(tài)信號,使用屏蔽信號和偏置電纜,以減少感應(yīng)拾取。
- 芯片放置:推薦使用加熱真空夾頭(180°C)拾取芯片,確保芯片上的真空接觸面積最小化,以防止在壓差下破裂。在放置過程中,應(yīng)避免接觸所有空氣橋(如果適用),并在自動放置過程中盡量減少對芯片施加的沖擊力。
總結(jié)
HMC1087 是一款性能卓越的 GaN MMIC 功率放大器,具有高功率、寬頻帶、良好的線性度等優(yōu)點,適用于多種應(yīng)用場景。在設(shè)計和使用過程中,工程師需要充分了解其特性和安裝要求,以確保其性能的充分發(fā)揮。同時,嚴格遵循處理和存儲注意事項,能夠有效延長芯片的使用壽命。你在使用類似功率放大器時遇到過哪些問題呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。
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