在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)中,工業(yè)網(wǎng)關(guān)作為銜接現(xiàn)場設(shè)備與云端的核心中轉(zhuǎn)站,需采集傳感器、PLC等設(shè)備數(shù)據(jù),完成協(xié)議轉(zhuǎn)換與邊緣計算后上傳云端,并本地緩存關(guān)鍵配置與臨時數(shù)據(jù),這對存儲器件的可靠性、環(huán)境適應(yīng)性和讀寫效率提出特殊要求,旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I2Gb Serial NAND Flash憑借工業(yè)級特性成為優(yōu)選,為IIoT鏈路筑牢存儲根基。工業(yè)網(wǎng)關(guān)多部署于車間、戶外等場景,需應(yīng)對-40°C~+85°C寬溫、振動、電磁干擾等惡劣環(huán)境,對存儲芯片具備強環(huán)境耐受性,其日均數(shù)百MB的寫入量及快速加載固件的需求,需存儲器件兼具高讀寫速度與高P/E循環(huán)耐受度;而關(guān)鍵數(shù)據(jù)安全與低功耗訴求,又要求存儲器件具備糾錯、長期留存能力及低能耗表現(xiàn),這些需求恰恰是MX35LF2GE4AD-Z4INAND Flash精準匹配。
旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I 串行 NAND Flash 憑借核心優(yōu)勢強勢出圈,2Gb 大容量加持,支持 x1/x2/x4 多模式隨機和連續(xù)讀取,x4 總線模式拉滿傳輸效率,2Gb 規(guī)格典型頁 / 塊擦除時間低至 360us/4ms,讀寫響應(yīng)迅速,工業(yè)級 -40°C~+85°C 寬溫適配,內(nèi)置 8 位 ECC 糾錯 + 10 年數(shù)據(jù)留存,搭配 BBM 自動壞塊替換,穩(wěn)定可靠無后顧之憂。并且兼容 SPI NOR 協(xié)議,支持接口模式切換,輕松適配SOC、MCU 等多種主控。8-WSON(8x6mm)常規(guī)封裝,待機電流最大110uA、工作電流最高 40mA,功耗控制超出色,更有 OTP 配置、安全 OTP 存儲、塊保護等豐富功能,簡化軟件管理,靈活匹配各類個性化需求!
參數(shù)列表如下
| 參數(shù) | MX35LF2GE4AD-Z4I(2Gb Serial NAND Flash) | ||
| 容量 | 2Gb(256MBx8)為SLC NAND架構(gòu) | ||
| 工作電壓(VCC) | 2.7V ~ 3.6V | 最高時鐘頻率 | 133MHz(非連續(xù)讀);80MHz(連續(xù)讀) |
| 工作電流(最大) | 40mA(讀寫/編程/擦除) | P/E 循環(huán)壽命(典型) | 60K 次 |
| 待機電流(最大) | 110μA | 數(shù)據(jù)留存周期 | 10 年 |
| 工作溫度范圍 | -40°C ~ +85°C | 內(nèi)置 ECC 能力 | 檢測 9 位錯誤,糾正8位錯誤 |
| 封裝類型 | 8-WSON(8x6x0.8mm) | 總線模式 | x4(Quad I/O) |
在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)加速滲透的背景下,工業(yè)網(wǎng)關(guān)作為數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn)站的作用愈發(fā)關(guān)鍵,而存儲芯片則是保障其穩(wěn)定運行的核心支撐。MX35LF2GE4AD-Z4I以工業(yè)級寬溫、高速讀寫、高可靠性、低功耗與靈活兼容性,精準匹配工業(yè)網(wǎng)關(guān)的存儲需求,為不同功能、不同部署場景的網(wǎng)關(guān)提供定制化解決方案。無論是車間級數(shù)據(jù)采集,還是邊緣計算,亦或是戶外分布式監(jiān)控,MX35LF2GE4AD-Z4I都能以穩(wěn)定、高效的存儲性能,為工業(yè)網(wǎng)關(guān)賦能,助力 IIoT 鏈路實現(xiàn) “數(shù)據(jù)不丟失、傳輸不中斷、運行不宕機” 的核心目標。
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