UCC21737-Q1：汽車級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中，選擇一款性能卓越、功能豐富的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下德州儀器（TI）的 UCC21737-Q1 汽車級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，看看它是如何為 SiC MOSFET 和 IGBT 應(yīng)用提供強(qiáng)大支持的。

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一、器件概述

UCC21737-Q1 是一款專為 SiC MOSFET 和 IGBT 設(shè)計(jì)的單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于高達(dá) 2121V 的直流工作電壓。它具有先進(jìn)的保護(hù)功能、出色的動(dòng)態(tài)性能和強(qiáng)大的魯棒性，能夠滿足各種高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

1. 主要特性

• 高隔離性能：采用 (SiO{2}) 電容隔離技術(shù)，輸入側(cè)與輸出側(cè)有效隔離，支持高達(dá) (1.5kV{RMS}) 的工作電壓，具備 12.8kV 浪涌抗擾度，隔離屏障壽命超過 40 年。
• 寬溫度范圍：符合 AEC - Q100 標(biāo)準(zhǔn)，器件溫度等級(jí)為 1，環(huán)境工作溫度范圍為 -40°C 至 +125°C，工作結(jié)溫范圍為 -40°C 至 150°C。
• 強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力：具有 ±10A 的峰值源極和灌電流，可直接驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET 模塊和 IGBT 模塊，無需額外的緩沖級(jí)。
• 高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）：最小 CMTI 為 150V/ns，確保系統(tǒng)在快速開關(guān)速度下的可靠性。
• 快速過流保護(hù)：響應(yīng)時(shí)間僅 270ns，能夠迅速檢測(cè)并處理過流和短路故障。
• 外部有源米勒鉗位：可有效防止米勒電容引起的誤開啟，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
• 軟關(guān)斷功能：故障發(fā)生時(shí)，提供 900mA 的軟關(guān)斷電流，減少短路能量，降低開關(guān)上的過沖電壓。

2. 應(yīng)用領(lǐng)域

UCC21737-Q1 的多功能性使其適用于多種應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車（EV）的牽引逆變器、車載充電器和充電樁、混合動(dòng)力汽車（HEV）/EV 的 DC - DC 轉(zhuǎn)換器等。

二、詳細(xì)特性分析

1. 電源供應(yīng)

• 輸入側(cè)電源：VCC 支持 3V 至 5.5V 的寬電壓范圍，通過一個(gè) >1μF 的電容旁路到 GND，以減少電源噪聲。
• 輸出側(cè)電源：采用雙極性電源，VDD - VEE 范圍為 13V 至 33V，最大輸出驅(qū)動(dòng)電壓為 33V。VDD 和 VEE 分別通過一個(gè) >10μF 的電容旁路到 COM，以支持指定的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力。

2. 驅(qū)動(dòng)級(jí)

• 高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度：±10A 的峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度使其能夠直接驅(qū)動(dòng)高功率模塊，無需額外的緩沖級(jí)。當(dāng)輸入引腳浮空時(shí)，OUTH/OUTL 保持低電平，確保系統(tǒng)的安全性。
• 分裂輸出結(jié)構(gòu)：采用混合上拉結(jié)構(gòu)，由 P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET 并聯(lián)組成，下拉由 N 溝道 MOSFET 實(shí)現(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)在功率半導(dǎo)體開啟瞬態(tài)的米勒平臺(tái)區(qū)域提供最高的峰值源電流，縮短充電時(shí)間，降低開關(guān)損耗。

3. 欠壓鎖定（UVLO）

• VCC UVLO：當(dāng) VCC 低于閾值電壓時(shí)，驅(qū)動(dòng)器輸出保持低電平，防止在低電源電壓下工作，降低功耗。
• VDD UVLO：閾值電壓為 12V，具有 800mV 的滯后，確保在合適的電壓下開啟功率半導(dǎo)體，減少導(dǎo)通損耗。
• VEE UVLO：閾值電壓為 -3V，具有 400mV 的滯后，有助于避免誤開啟。

4. 有源下拉

當(dāng) VDD 開路時(shí)，有源下拉功能可將 OUTH/OUTL 引腳鉗位到 VEE，防止輸出在設(shè)備恢復(fù)控制之前誤開啟。

5. 短路鉗位

在短路情況下，該功能可將 OUTH/OUTL 引腳電壓鉗位到略高于 VDD 的水平，保護(hù)功率半導(dǎo)體免受柵源和柵極 - 發(fā)射極過壓擊穿。

6. 外部有源米勒鉗位

通過驅(qū)動(dòng)外部 MOSFET，當(dāng)柵極電壓低于米勒鉗位閾值 (V_{CLMPTH}) 時(shí)，創(chuàng)建低阻抗路徑，防止誤開啟。

7. 過流和短路保護(hù)

• 檢測(cè)方式：支持 SenseFET、傳統(tǒng)去飽和電路和分流電阻等多種檢測(cè)方式，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。
• 故障處理：檢測(cè)到過流或短路故障時(shí)，啟動(dòng)軟關(guān)斷功能，并通過 FLT 引腳向 DSP/MCU 報(bào)告故障。故障信號(hào)可通過 RST/EN 引腳復(fù)位。

8. 軟關(guān)斷

當(dāng)觸發(fā)過流和短路保護(hù)或 RST/EN 引腳拉低超過 (t_{RSTPD}) 時(shí)，啟動(dòng)軟關(guān)斷功能，控制關(guān)斷能量，限制功率半導(dǎo)體的過沖。

9. 故障（FLT）、復(fù)位和使能（RST/EN）

• FLT 引腳：開漏輸出，檢測(cè)到過流或短路故障時(shí)拉低，向 DSP/MCU 報(bào)告故障。
• RST/EN 引腳：具有復(fù)位故障信號(hào)和使能/關(guān)閉設(shè)備的功能。故障發(fā)生后，需在故障靜音時(shí)間 (t_{FLTMUTE}) 后發(fā)送信號(hào)復(fù)位。

10. ASC 支持和 APWM 監(jiān)控

• ASC 功能：當(dāng) VCC 失電或 MCU 故障時(shí)，ASC 引腳接收到高電平信號(hào)可強(qiáng)制輸出高電平，創(chuàng)建有源短路回路，保護(hù)電池。
• APWM 監(jiān)控：可監(jiān)控 ASC 引腳狀態(tài)，輸出隔離的 PWM 信號(hào)。

三、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

1. 典型應(yīng)用

UCC21737-Q1 可用于多種功率電子應(yīng)用，如 HEV/EV 中的半橋電路。在半橋應(yīng)用中，它可以直接驅(qū)動(dòng)高功率 SiC MOSFET 模塊或 IGBT 模塊，無需外部緩沖驅(qū)動(dòng)電路，節(jié)省成本和空間。

2. 詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟

• 輸入濾波器：為提高噪聲抗擾度，可在 IN+、IN - 和 RST/EN 引腳添加外部低通濾波器。選擇濾波器電阻和電容時(shí)，需考慮噪聲抗擾效果和延遲時(shí)間。
• PWM 互鎖：IN+ 和 IN - 引腳具有 PWM 互鎖功能，可防止相臂直通問題。通過將另一個(gè)開關(guān)的 PWM 信號(hào)發(fā)送到相應(yīng)引腳，實(shí)現(xiàn)互鎖控制。
• FLT、RDY 和 RST/EN 引腳電路：這些引腳為開漏輸出，可使用 5kΩ 上拉電阻。為提高噪聲抗擾度，可在引腳與微控制器之間添加低通濾波器。
• RST/EN 引腳控制：該引腳具有使能/關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器和復(fù)位故障信號(hào)的功能。故障發(fā)生后，微控制器需在故障靜音時(shí)間后發(fā)送信號(hào)復(fù)位。也可將連續(xù)輸入信號(hào)應(yīng)用于該引腳，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)復(fù)位。
• 開啟和關(guān)斷柵極電阻：通過選擇合適的外部柵極電阻，可控制峰值源電流和灌電流，進(jìn)而影響開關(guān)速度和功率損耗。設(shè)計(jì)時(shí)需考慮功率半導(dǎo)體的參數(shù)和系統(tǒng)要求。
• 外部有源米勒鉗位：當(dāng)驅(qū)動(dòng)器與開關(guān)距離較遠(yuǎn)時(shí)，可使用外部有源米勒鉗位 MOSFET。為減少接地反彈，建議在外部鉗位 MOSFET 的柵極添加 2Ω 電阻。
• 過流和短路保護(hù)：支持多種保護(hù)方式，包括基于集成 SenseFET、去飽和電路和分流電阻的保護(hù)。不同方式各有優(yōu)缺點(diǎn)，需根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的方法。
• 增加驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度的電流緩沖器：對(duì)于需要更高驅(qū)動(dòng)電流的應(yīng)用，可使用非反相電流緩沖器。使用外部緩沖器時(shí)，需添加外部組件實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷功能。

四、電源供應(yīng)建議

為確保電源穩(wěn)定和可靠運(yùn)行，建議在 VDD 和 COM、VEE 和 COM 之間使用 10μF 的旁路電容，在 VCC 和 GND 之間使用 1μF 的旁路電容。同時(shí)，每個(gè)電源還應(yīng)使用 0.1μF 的去耦電容，以過濾高頻噪聲。

五、布局注意事項(xiàng)

• 靠近功率半導(dǎo)體：將驅(qū)動(dòng)器盡可能靠近功率半導(dǎo)體放置，減少柵極回路的寄生電感。
• 電源去耦：將輸入和輸出電源的去耦電容靠近電源引腳放置，減少 PCB 走線的寄生電感上的電壓尖峰。
• COM 引腳連接：將驅(qū)動(dòng)器的 COM 引腳連接到 SiC MOSFET 源極或 IGBT 發(fā)射極的 Kelvin 連接，分離柵極回路和高功率開關(guān)回路。
• 屏蔽設(shè)計(jì)：在輸入側(cè)使用接地平面屏蔽輸入信號(hào)，在輸出側(cè)根據(jù)具體情況選擇是否使用接地平面。
• 避免噪聲耦合：在驅(qū)動(dòng)器下方不允許有 PCB 走線或銅箔，建議使用 PCB 切口避免輸入和輸出側(cè)之間的噪聲耦合。

六、總結(jié)

UCC21737-Q1 作為一款高性能的汽車級(jí)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，憑借其卓越的隔離性能、強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力和豐富的保護(hù)功能，為 SiC MOSFET 和 IGBT 應(yīng)用提供了可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中，工程師需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景，合理選擇電源、布局和保護(hù)電路，以充分發(fā)揮其性能優(yōu)勢(shì)。大家在使用 UCC21737-Q1 過程中遇到過哪些挑戰(zhàn)呢？又是如何解決的？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。