傾佳電子楊茜SiC碳化硅MOSFET銷售團隊培訓(xùn)教程：電力電子變換核心拓撲與寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，代理并力推BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。?

傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭：

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管和大于650V的高壓硅MOSFET的必然趨勢！

傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管全面取代SJ超結(jié)MOSFET和高壓GaN 器件的必然趨勢！

1. 緒論：能源變革下的電力電子技術(shù)演進

在當(dāng)今全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化轉(zhuǎn)型的宏大背景下，電力電子技術(shù)作為電能高效轉(zhuǎn)換與控制的核心樞紐，正經(jīng)歷著前所未有的技術(shù)革新。從電動汽車（EV）的普及到可再生能源（光伏、風(fēng)能）的大規(guī)模并網(wǎng)，再到數(shù)據(jù)中心與儲能系統(tǒng)的高密度化，市場對功率變換器在效率、功率密度、可靠性及成本方面的要求日益嚴苛。傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導(dǎo)體器件，如IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和Si MOSFET，受限于其材料本身的物理極限，在高溫、高頻及高壓應(yīng)用場景下已逐漸觸及性能天花板。與此同時，以碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料的崛起，不僅重塑了器件層面的性能標(biāo)準，更深刻地推動了電路拓撲結(jié)構(gòu)的演進與優(yōu)化。

傾佳電子楊茜SiC碳化硅MOSFET銷售團隊培訓(xùn)教程系統(tǒng)性地涵蓋DC/DC、DC/AC及AC/DC三大變換領(lǐng)域的經(jīng)典與前沿拓撲。傾佳電子楊茜將剖析Buck-Boost、LLC諧振變換器、兩電平及多電平逆變器（特別是ANPC拓撲）、以及圖騰柱PFC（Totem-pole PFC）等關(guān)鍵電路的工作原理、控制策略及設(shè)計難點。尤為重要的是，傾佳電子楊茜將緊密結(jié)合最新的工業(yè)級SiC MOSFET模塊技術(shù)參數(shù)——以基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）的Pcore?2 ED3系列模塊（如BMF540R12MZA3）為例——來闡述器件特性如何反向定義拓撲設(shè)計的邊界，探討米勒效應(yīng)（Miller Effect）在高速開關(guān)下的危害機制及其抑制策略（如米勒鉗位），并量化分析先進封裝材料（如氮化硅Si3?N4? AMB）對系統(tǒng)熱可靠性的貢獻。

2. 功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)與寬禁帶技術(shù)特性

一切電力電子拓撲的基石皆在于開關(guān)器件。理解SiC MOSFET與傳統(tǒng)Si IGBT在靜態(tài)與動態(tài)特性上的本質(zhì)差異，是掌握現(xiàn)代變換器設(shè)計的前提。

2.1 硅（Si）與碳化硅（SiC）的物理屬性對比

硅基器件經(jīng)過數(shù)十年的優(yōu)化，工藝成熟且成本低廉，但在高壓高頻應(yīng)用中面臨巨大的損耗挑戰(zhàn)。IGBT作為雙極型器件，雖然具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)勢，但其關(guān)斷時的拖尾電流（Tail Current）導(dǎo)致了顯著的關(guān)斷損耗（Eoff?），限制了其開關(guān)頻率通常在20kHz以下 。

相比之下，碳化硅材料憑借其獨特的物理屬性，為功率器件帶來了革命性的提升：

• 寬禁帶寬度（Bandgap Energy）： SiC的禁帶寬度約為3.26 eV，是Si（1.12 eV）的3倍。這賦予了SiC器件極高的臨界擊穿電場（Si的10倍），使得在相同耐壓等級下，SiC芯片的漂移層厚度可大幅減薄，摻雜濃度提高，從而顯著降低導(dǎo)通電阻（RDS(on)?）。
• 高熱導(dǎo)率： SiC的熱導(dǎo)率幾乎是Si的3倍，優(yōu)于銅。這意味著SiC器件在相同損耗下具有更低的結(jié)溫升，或在相同結(jié)溫下能處理更高的功率密度 。
• 電子飽和漂移速度： SiC的電子飽和漂移速度是Si的2倍，結(jié)合其單極性導(dǎo)電特性（無少子積聚效應(yīng)），使得SiC MOSFET幾乎沒有拖尾電流，開關(guān)速度極快，開關(guān)損耗大幅降低。

2.2 工業(yè)級SiC MOSFET模塊特性分析：以BMF540R12MZA3為例

為了具體量化SiC的優(yōu)勢，我們深入分析基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）推出的Pcore?2 ED3系列半橋模塊BMF540R12MZA3。該模塊專為集中式大儲PCS、商用車電驅(qū)動、礦卡電驅(qū)動、儲能及光伏應(yīng)用設(shè)計，采用了第三代SiC芯片技術(shù)。

表 2-1 BMF540R12MZA3 關(guān)鍵靜態(tài)參數(shù)特性

深度解析：

1. 高溫導(dǎo)通性能： 從25°C到175°C，BMF540R12MZA3的RDS(on)?從2.60 mΩ上升至4.81 mΩ，增幅約1.85倍 。相比之下，硅基器件在同樣溫升下阻值增加更為劇烈，且受限于最高結(jié)溫（通常Si IGBT為150°C，而SiC可達175°C甚至更高）。這使得SiC在高溫重載工況下的效率優(yōu)勢更加明顯。
2. 閾值電壓的挑戰(zhàn)： VGS(th)?在175°C時降至僅1.85V [3]。這對于驅(qū)動電路設(shè)計提出了極高要求。在半橋拓撲中，當(dāng)對管高速開通時，極高的dv/dt會通過Crss?向關(guān)斷管的柵極注入電流。如果驅(qū)動回路阻抗不夠低，柵極電壓極易超過1.85V，引發(fā)災(zāi)難性的直通故障（Shoot-through）。這就是為何SiC驅(qū)動必須引入負壓關(guān)斷（如-5V）和米勒鉗位功能的根本物理原因。

2.3 封裝技術(shù)的演進：氮化硅（Si3?N4?）AMB基板

隨著芯片功率密度的提升，封裝材料的散熱能力和機械可靠性成為瓶頸。BMF540R12MZA3模塊采用了高性能的Si3?N4? AMB（活性金屬釬焊）陶瓷基板 。

表 2-2 陶瓷基板材料性能對比

這種材料的選擇不僅是為了散熱，更是為了匹配SiC芯片高溫工作的特性，防止因熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的焊層疲勞失效。

3. DC/DC 變換拓撲：從基礎(chǔ)到高階應(yīng)用

DC/DC變換器廣泛應(yīng)用于電壓調(diào)節(jié)、電池充放電及最大功率點跟蹤（MPPT）等場景。隨著SiC器件的引入，傳統(tǒng)的拓撲結(jié)構(gòu)在頻率和效率上獲得了新生。

3.1 經(jīng)典拓撲回顧與SiC賦能

3.1.1 Buck與Boost變換器

Buck（降壓）和Boost（升壓）是最基礎(chǔ)的非隔離型拓撲。

工作原理： 利用電感作為儲能元件，通過開關(guān)管的占空比D控制能量傳遞。

• Buck: Vout?=D×Vin?
• Boost: Vout?=1?DVin??

SiC的應(yīng)用優(yōu)勢： 在傳統(tǒng)的IGBT設(shè)計中，為了限制開關(guān)損耗，頻率通常限制在20kHz以內(nèi)，導(dǎo)致電感和電容體積龐大。采用BMF540R12MZA3 SiC模塊后，仿真顯示在800V輸入、300V輸出、350A負載的Buck電路中，即使頻率提升至20kHz甚至更高，SiC的總損耗（導(dǎo)通+開關(guān)）仍顯著低于IGBT 。

• 效率對比數(shù)據(jù)： 在20kHz下，SiC方案的效率可維持在**99%**以上，而IGBT方案因開關(guān)損耗激增，效率顯著下降，且結(jié)溫迅速逼近極限 。

3.1.2 Buck-Boost 變換器

Buck-Boost拓撲可實現(xiàn)升降壓功能，輸出電壓極性通常與輸入相反（反相Buck-Boost）。

• 電壓增益： Vin?Vout??=?1?DD? 4。
• 應(yīng)用局限： 開關(guān)管承受的電壓應(yīng)力為Vin?+∣Vout?∣，且輸入輸出電流均為脈沖形式，對EMI濾波器要求較高。

3.2 高階非隔離拓撲

3.2.1 雙向DC/DC（H-Bridge / Totem-pole Output）

在儲能系統(tǒng)（ESS）中，電池需要充電和放電，因此雙向DC/DC至關(guān)重要。一種常見的架構(gòu)是四開關(guān)Buck-Boost（FSBB） ，通過控制H橋的四個開關(guān)，可以平滑地在Buck和Boost模式間切換，且輸出電壓同相 6。

• 優(yōu)勢： 寬輸入電壓范圍，適合電池電壓波動大的場景；輸入輸出電流紋波較傳統(tǒng)Buck-Boost小。

3.2.2 SEPIC與?uk變換器

• SEPIC： 支持升降壓，輸出同相。利用耦合電感和中間電容傳輸能量，輸入電流連續(xù)，適合對EMI敏感的場合 。
• ?uk： 支持升降壓，輸出反相。其最大特點是輸入和輸出電流均為連續(xù)模式，極大地減小了電流紋波和EMI干擾，適合高精度電源應(yīng)用 。

3.3 隔離型DC/DC拓撲：LLC與DAB

在混合逆變器電池沖放棄和直流快充樁中，電氣隔離是安全法規(guī)的硬性要求。

3.3.1 LLC諧振變換器

LLC諧振變換器利用原邊的諧振電感（Lr?）、勵磁電感（Lm?）和諧振電容（Cr?）發(fā)生諧振。

• 軟開關(guān)特性： 原邊開關(guān)管實現(xiàn)零電壓開通（ZVS），副邊整流二極管實現(xiàn)零電流關(guān)斷（ZCS）。這使得開關(guān)損耗幾乎被消除，非常適合高頻化設(shè)計。
• SiC的價值： 雖然LLC本身實現(xiàn)了軟開關(guān)，但在關(guān)斷瞬間仍存在關(guān)斷損耗。SiC MOSFET極快的關(guān)斷速度進一步壓縮了這一損耗。此外，SiC的高耐壓使得LLC可以直接運行在800V甚至更高母線電壓下，簡化了多級結(jié)構(gòu) 。

3.3.2 雙有源橋（DAB）變換器

DAB（Dual Active Bridge）由原副邊兩個全橋和高頻變壓器組成，通過控制兩個全橋之間的移相角來控制功率流向和大小。

• 特點： 天然支持雙向功率流動，控制靈活，易于實現(xiàn)ZVS。是V2G（Vehicle-to-Grid）應(yīng)用的核心拓撲 。

4. DC/AC 逆變技術(shù)：邁向多電平的高效轉(zhuǎn)換

逆變器是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。隨著光伏系統(tǒng)電壓等級從1000V提升至1500V，以及對輸出波形質(zhì)量要求的提高，兩電平拓撲逐漸向多電平拓撲演進。

4.1 兩電平逆變器（2-Level VSI）

這是最經(jīng)典的逆變結(jié)構(gòu)，由三個半橋臂組成。

原理： 每個橋臂輸出只有Vdc?和0（或±Vdc?/2）兩種電平狀態(tài)。

SiC vs IGBT 仿真對比：

在800V母線、400A相電流的工況下，基于PLECS的仿真顯示：

• 損耗差異： 使用BMF540R12MZA3 SiC模塊的逆變器，在16kHz開關(guān)頻率下的總損耗遠低于使用IGBT的方案。SiC方案的效率可達99.38% ，而同等條件下IGBT僅為98.79% 。這0.6%左右的效率差意味著在300kW系統(tǒng)中，損耗減少了近1.8kW，大幅降低了散熱需求 。
• 結(jié)溫表現(xiàn)： 在相同散熱條件下（散熱器80°C），SiC芯片的結(jié)溫顯著低于IGBT，或者允許在更高環(huán)境溫度下運行而不降額 。

4.2 H橋逆變器（H-Bridge）

H橋是單相逆變的基礎(chǔ)，由四個開關(guān)組成。

• 應(yīng)用： 單相光伏逆變器、電機驅(qū)動。
• 級聯(lián)H橋（CHB）： 將多個H橋單元串聯(lián)，可直接輸出中高壓交流電（如6kV、10kV），常用于高壓大功率變頻器 。這種結(jié)構(gòu)避免了工頻變壓器，效率極高，但需要多個獨立的隔離直流電源。

4.3 有源中點鉗位（ANPC）拓撲：光伏與儲能的首選

隨著1500V光伏系統(tǒng)的普及，三電平拓撲成為主流。其中，ANPC（Active Neutral Point Clamped）因其獨特的損耗分布優(yōu)勢，正逐漸取代傳統(tǒng)的NPC和T型拓撲。

4.3.1 NPC與ANPC的演變

NPC（中點鉗位）： 使用二極管將輸出鉗位到直流母線的中點，輸出三種電平（+，0，-）。相比兩電平，它降低了開關(guān)管的電壓應(yīng)力（僅需耐受一半母線電壓）和輸出諧波。但其缺點是長換流回路導(dǎo)致的損耗分布不均，外管和內(nèi)管發(fā)熱差異大，限制了整體容量 。

ANPC（有源中點鉗位）： 將NPC中的鉗位二極管替換為有源開關(guān)（如IGBT或MOSFET）。

• 結(jié)構(gòu)： 單相包含6個有源開關(guān)（T1-T6）。T1-T4構(gòu)成主臂，T5-T6構(gòu)成有源鉗位支路 。

4.3.2 ANPC的核心優(yōu)勢與工作原理

1. 損耗平衡（Loss Balancing）： ANPC最核心的優(yōu)勢在于其控制的靈活性。在輸出“0”電平時，電流可以通過不同的路徑（如T2/T5或T3/T6）流通。通過智能調(diào)制策略（如PWM策略），控制器可以動態(tài)分配長換流回路和短換流回路的使用比例，從而在六個開關(guān)之間均衡導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。這徹底解決了NPC拓撲中部分器件過熱而其他器件“冷閑”的問題，極大提升了逆變器的功率密度和壽命 。
2. 高壓耐受： 允許使用1200V等級的器件構(gòu)建1500V系統(tǒng)，因為每個器件在關(guān)斷狀態(tài)下通常只承受一半的母線電壓 。

4.3.3 應(yīng)用場景

ANPC廣泛應(yīng)用于1500V集中式和組串式光伏逆變器、**大型儲能變流器（PCS）**以及中壓電機驅(qū)動系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中，效率每提升0.1%都意味著巨大的經(jīng)濟效益 。

5. AC/DC 變換技術(shù)：圖騰柱PFC的崛起

AC/DC變換的前端必須進行功率因數(shù)校正（PFC）以滿足電網(wǎng)諧波標(biāo)準（如IEC 61000-3-2）。

5.1 傳統(tǒng)Boost PFC的局限

傳統(tǒng)的有橋Boost PFC由一個整流橋（4個二極管）和一個Boost電路組成。無論何時，電流都要流經(jīng)整流橋中的兩個二極管，產(chǎn)生巨大的導(dǎo)通損耗。這使得其效率很難突破97% 。

5.2 圖騰柱無橋PFC（Totem-pole Bridgeless PFC）

為了消除整流橋的損耗，無橋PFC技術(shù)應(yīng)運而生。其中，圖騰柱PFC因其器件數(shù)量少、EMI特性好而成為焦點。

5.2.1 拓撲結(jié)構(gòu)

圖騰柱PFC由兩個橋臂構(gòu)成：

1. 快橋臂（Fast Leg）： 由兩個高頻開關(guān)管（S1, S2）組成，負責(zé)以PWM方式進行升壓斬波和電流整形。
2. 慢橋臂（Slow Leg）： 由兩個工頻開關(guān)管（SD1, SD2，通常是低導(dǎo)通電阻的超結(jié)MOSFET或SCR）組成，負責(zé)在工頻半周期進行極性切換 。

5.2.2 工作原理與SiC的關(guān)鍵作用

• 正半周： 慢橋臂下管導(dǎo)通，連接中性線N到地?？鞓虮巯鹿躍2作為主開關(guān)進行Boost升壓，上管S1作為同步整流管續(xù)流。
• 負半周： 慢橋臂上管導(dǎo)通?？鞓虮凵瞎躍1作為主開關(guān)，下管S2續(xù)流。
• CCM模式的挑戰(zhàn)： 在連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）下，作為續(xù)流管的MOSFET體二極管會經(jīng)歷硬關(guān)斷。如果是Si MOSFET，其體二極管的反向恢復(fù)電荷（Qrr?）非常大，反向恢復(fù)時間長，會導(dǎo)致巨大的反向恢復(fù)損耗和電流尖峰，甚至損壞器件。這曾長期限制了圖騰柱PFC的商業(yè)化 。
• SiC的破局： SiC MOSFET的體二極管Qrr?極?。˙MF540R12MZA3在25°C僅為1.46 uC，遠低于同級Si器件）。這使得圖騰柱PFC可以在CCM模式下高效運行，輕松實現(xiàn)**99%**以上的轉(zhuǎn)換效率（鈦金級電源標(biāo)準）。

5.3 應(yīng)用：電動汽車墻盒（Wallbox）充電器

在7kW/11kW/22kW的家用及商用交流充電樁（Wallbox）及戶用儲能系統(tǒng)中，圖騰柱PFC已成為標(biāo)配。

• 雙向流動（V2G）： 由于快慢橋臂均采用有源開關(guān)，圖騰柱PFC天生支持雙向能量流動，完美契合電動汽車V2G（Vehicle-to-Grid）的應(yīng)用需求，即不僅可以充電，還可以將電池能量回饋電網(wǎng) 。
• 高功率密度： 省去了散熱量巨大的整流橋，且SiC的高頻特性減小了電感尺寸，使得充電器可以做得更小、更輕 。

6. 驅(qū)動技術(shù)與保護：米勒效應(yīng)與鉗位設(shè)計

SiC MOSFET的高速開關(guān)特性是一把雙刃劍：它帶來了高效率，也引發(fā)了嚴重的電磁干擾（EMI）和驅(qū)動穩(wěn)定性問題，其中最突出的是米勒效應(yīng)（Miller Effect）。

6.1 米勒效應(yīng)的物理機制

米勒效應(yīng)源于MOSFET柵極與漏極之間的寄生電容Cgd?（即Crss?）。

1. 干擾產(chǎn)生： 在半橋電路中，當(dāng)一個橋臂的管子（例如上管）快速開通時，橋臂中點電壓VDS?會以極高的速率（dv/dt>50V/ns）上升。
2. 電流注入： 這個dv/dt會通過下管（處于關(guān)斷狀態(tài)）的Crss?產(chǎn)生一個位移電流 IMiller?=Crss?×dtdv? 28。
3. 誤導(dǎo)通風(fēng)險： 這個電流流經(jīng)柵極驅(qū)動電阻Rg?，在柵極產(chǎn)生感應(yīng)電壓 Vgs_induced?=IMiller?×Rg?。如果該電壓超過了器件的閾值電壓VGS(th)?，下管就會發(fā)生誤導(dǎo)通。由于此時上管正在導(dǎo)通，這將導(dǎo)致電源短路（直通），產(chǎn)生巨大的瞬態(tài)電流，可能瞬間燒毀器件 28。

6.2 為什么SiC MOSFET特別脆弱？

1. 極高的dv/dt： SiC的開關(guān)速度遠快于Si IGBT，產(chǎn)生的米勒電流更大。
2. 低閾值電壓： 如前所述，BMF540R12MZA3在高溫下的VGS(th)?僅為1.85V 。這意味著只要感應(yīng)電壓稍微超過1.85V，就會發(fā)生誤導(dǎo)通。相比之下，IGBT的閾值通常在5-6V，安全裕度大得多。
3. 負溫度系數(shù)： SiC的閾值電壓隨溫度升高而降低，使得在高溫、全功率運行時的誤導(dǎo)通風(fēng)險最大 。

6.3 解決方案：有源米勒鉗位（Active Miller Clamp）

為了解決這一問題，現(xiàn)代SiC驅(qū)動器（如基本半導(dǎo)體的驅(qū)動方案）普遍集成了米勒鉗位功能。

• 工作原理： 在MOSFET關(guān)斷期間，驅(qū)動芯片會監(jiān)控柵極電壓。當(dāng)電壓降至安全值（如2V）以下時，驅(qū)動器內(nèi)部的一個低阻抗MOSFET會導(dǎo)通，將柵極直接短接到負電源（VEE）或地 。
• 效果： 這條低阻抗通路旁路了外部柵極電阻Rg?，為米勒電流提供了一個極低阻抗的泄放路徑。即使有很高的米勒電流，Vgs?也被強行鉗位在低電平，無法上升到閾值電壓以上，從而徹底杜絕誤導(dǎo)通 。
• 必要性總結(jié)： 對于SiC應(yīng)用，米勒鉗位不再是“可選”功能，而是確保系統(tǒng)安全運行的核心必須功能 。

7. 結(jié)論與展望

電力電子變換技術(shù)正處于以寬禁帶半導(dǎo)體為核心的快速迭代期。

1. 拓撲融合與創(chuàng)新： DC/DC領(lǐng)域，Buck-Boost及其衍生拓撲（LLC, DAB）正向著更高頻率、更寬電壓范圍發(fā)展。AC/DC領(lǐng)域，圖騰柱PFC憑借SiC的賦能，消除了傳統(tǒng)整流橋的損耗瓶頸，成為高效充電設(shè)施的標(biāo)準答案。DC/AC領(lǐng)域，ANPC拓撲通過主動的熱管理和損耗均衡，完美解決了光伏與儲能系統(tǒng)的高壓大功率挑戰(zhàn)。
2. 器件決定系統(tǒng)： 如BMF540R12MZA3等先進SiC模塊的出現(xiàn)，不僅提升了效率（從98%邁向99%+），更重要的是改變了熱設(shè)計的規(guī)則。Si3?N4? AMB基板的應(yīng)用進一步確保了這些高密度器件在極端工況下的機械與電氣可靠性。
3. 驅(qū)動的復(fù)雜化： 高性能器件對驅(qū)動電路提出了更嚴苛的要求。理解并處理好米勒效應(yīng)、寄生電感干擾及熱設(shè)計，是發(fā)揮SiC潛能的關(guān)鍵。米勒鉗位技術(shù)已成為SiC驅(qū)動設(shè)計的標(biāo)配。

未來，隨著基本半導(dǎo)體等廠商的SiC成本的進一步下降和封裝技術(shù)的進步，我們有理由相信，全SiC構(gòu)建的電力電子系統(tǒng)將主導(dǎo)從中低功率消費電子到兆瓦級電網(wǎng)裝備的廣闊市場，推動全球電氣化進程邁上新的臺階。

附錄：關(guān)鍵數(shù)據(jù)速查表

表 7-1 常見拓撲特性對比

表 7-2 BMF540R12MZA3 SiC模塊參數(shù)概覽