CellularRAM PSRAM是一種兼具SRAM與DRAM特點(diǎn)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它采用單晶體管（1T）的DRAM存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)六晶體管（6T）或四晶體管加負(fù)載電阻的SRAM單元相比，在工藝上更接近DRAM，卻在接口與使用體驗(yàn)上類(lèi)似于SRAM。由于DRAM架構(gòu)的單元面積更小，PSRAM在相同芯片尺寸下能實(shí)現(xiàn)更大存儲(chǔ)容量，成本也更具優(yōu)勢(shì)。

PSRAM也叫“偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”，“偽靜態(tài)”（Pseudo Static）的得名，正是因?yàn)樗Ａ袅祟?lèi)似SRAM的簡(jiǎn)易接口：直接通過(guò)地址、讀寫(xiě)命令即可存取數(shù)據(jù)，無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM那樣依賴(lài)內(nèi)存控制器進(jìn)行定期刷新。然而其內(nèi)核仍是基于DRAM的1T1C（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容）存儲(chǔ)單元，這與SRAM常用的6T結(jié)構(gòu)形成鮮明對(duì)比。正是這種“SRAM接口+DRAM內(nèi)核”的融合，使CellularRAM PSRAM既能實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)，又保持了接口的簡(jiǎn)潔性。

CellularRAM PSRAM的主要應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)

1、適用于便攜與嵌入式設(shè)備

CellularRAM PSRAM特別適合需要中等緩存容量且對(duì)功耗和成本敏感的場(chǎng)景，例如智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、便攜式醫(yī)療儀器等。它在數(shù)據(jù)密集、突發(fā)讀寫(xiě)頻繁、以及涉及實(shí)時(shí)算法處理（如FFT、DFT）的應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

2、接口簡(jiǎn)單、容量大、集成度高

CellularRAM PSRAM存儲(chǔ)器既具備SRAM接口的易用性，又擁有DRAM的高存儲(chǔ)密度，同時(shí)將刷新電路內(nèi)置，無(wú)需外部刷新控制。CellularRAM PSRAM這一設(shè)計(jì)大大降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，因此受到眾多工程師與終端產(chǎn)品的青睞。

3、從并行到串行的接口演進(jìn)

傳統(tǒng)PSRAM多采用并行接口，會(huì)占用大量MCU或SoC的I/O引腳。如今，以IPUS為代表的廠商已推出支持SPI或QSPI等串行接口的PSRAM產(chǎn)品，極大減少了引腳占用，為不具備并行內(nèi)存擴(kuò)展接口的嵌入式系統(tǒng)提供了靈活的外擴(kuò)存儲(chǔ)方案。

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審核編輯 黃宇