全球知名半導體制造商ROHM開發(fā)出滿足家電產品和工業(yè)設備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM（Intelligent Power Module）“BM65364S-VA/-VC（額定電流15A、耐壓600V）”，產品陣容更加豐富。

此次開發(fā)的產品搭載了ROHM生產的低導通電阻MOSFET“PrestoMOS？※ ”，而且還利用了ROHM獨有的LSI控制技術，使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過實現業(yè)界頂級的低功耗化，不僅有助于應用實現進一步節(jié)能化，還能通過IPM產品的解決方案降低設計負擔。

本產品已經開始出售樣品，預計于2015年8月份開始以月產3萬片的規(guī)模投入量產。前期工序的生產基地為ROHM濱松株式會社（靜岡縣）、ROHM Apollo Co.， Ltd.（福岡縣）、ROHM Wako Co.， Ltd.（岡山縣），后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems （Thailand） Co.， Ltd.（泰國）。

＜背景＞

近年來，節(jié)能化趨勢日益加速，在這個大背景下，隨著日本節(jié)能法的修訂，家電產品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標識APF（Annual Performance Factor），不再僅僅關注功率負載較大的設備啟動時和額定條件下的節(jié)能，要求負載較小的正常運轉時更節(jié)能的趨勢日益高漲。

而為了減輕這種節(jié)能家電的設計負擔，較標準的做法是采用將建構系統所需的功率元器件和控制IC等集成于單芯片化的IPM。

＜新產品詳情＞

此次ROHM通過采用以往的MOSFET很難實現的可支持更大電流的自產PrestoMOS？，大大降低導通損耗，實現了IPM的產品化。不僅如此，還通過融合ROHM獨家擁有的柵極驅動器電路技術，使在低電流范圍的損耗相比IGBT-IPM降低約43%。業(yè)界頂級的低功耗，非常有助于應用整體實現進一步節(jié)能。

另外，還通過ROHM獨有的電路與封裝技術，確立了構建變頻器所需的各種元器件的綜合可靠性，實現IPM化，還有助于減輕系統的設計負擔。

因為所搭載的芯片全部為ROHM的生產，因此不僅可以提供高品質的產品，還沒有供貨方面的擔憂，客戶可安心使用。

＜特點＞

1．采用可支持大電流的PrestoMOS？，實現節(jié)能

現在，以家庭內功耗比率較高的空調變頻器為首，需要支持大電流的設備中一般都會使用IGBT-IPM，但旨在使設備實現更高效率的努力從未停止。

一般MOSFET具有在高速開關條件下和低電流范圍內的導通損耗較低的優(yōu)勢，具有降低設備正常運轉時的功耗的效果。通過開發(fā)出可支持大電流的MOS-IPM，可使設備正常運轉時更加節(jié)能。

2．通過搭載使用了ROHM獨有的電路技術的柵極驅動器LSI，實現高效化

采用PrestoMOS？，并利用ROHM獨創(chuàng)的柵極驅動器電路技術，通過導入ROHM獨有的柵極驅動電路，實現了IPM產品進一步的高效化。例如，通過導入防止高電壓條件下高速開關動作容易產生的MOSFET誤動作的電路，實現高速開關動作，并且可以降低開關損耗。而且，考慮到開關時產生的噪音，還優(yōu)化了開關損耗和噪音的平衡關系，使可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOS？性能的柵極驅動成為現實。

3．通過 IPM化，減輕高效系統的設計負擔

采用ROHM獨創(chuàng)的高散熱封裝技術將構建變頻器系統所需的柵極驅動器和組成變頻器部分的MOSFET一體化封裝。

另外，本產品在優(yōu)化了功率元器件驅動的同時，為使客戶安心使用，還搭載了各種重要的保護功能，從而可減輕客戶的設計負擔。

＜術語解說＞

IPM（Intelligent Power Module）

將功率元器件以及具有控制它們的功能的元器件（IC等）模塊化的產品。PrestoMOS？

低導通電阻、低Qg、實現內部二極管的高速trr的ROHM生產的 MOSFET系列產品之一。IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistors）

與MOSFET一樣，是通過向柵極施加電壓進行控制的元器件，也是利用雙極晶體管的高耐壓、低導通電阻特點的元器件。APF（Annual Performance Factor）

全年使用家用空調時的能效比。數值越大節(jié)能性能越好。