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深入剖析 IRS2110/IRS2113:高壓高速功率驅(qū)動(dòng)芯片的卓越之選

璟琰乀 ? 2026-01-16 16:50 ? 次閱讀
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深入剖析 IRS2110/IRS2113:高壓高速功率驅(qū)動(dòng)芯片的卓越之選

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSFETIGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)一直是關(guān)鍵環(huán)節(jié),而國際整流器公司(International Rectifier)推出的IRS2110和IRS2113系列芯片,憑借其出色的性能和獨(dú)特的設(shè)計(jì),成為眾多工程師的首選。今天,我們就來深入了解一下這兩款芯片。

文件下載:IRS2110STRPBF.pdf

一、產(chǎn)品概述

IRS2110和IRS2113是高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器,它們擁有獨(dú)立的高端和低端參考輸出通道。采用了專利的HVIC和抗閉鎖CMOS技術(shù),實(shí)現(xiàn)了堅(jiān)固耐用的單芯片結(jié)構(gòu)。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出兼容,甚至能低至3.3V邏輯電平,為電路設(shè)計(jì)提供了極大的靈活性。

二、產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

2.1 浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)

采用浮動(dòng)通道設(shè)計(jì),適用于自舉操作,能夠在高達(dá)+500V或+600V的電壓下完全正常工作。這種設(shè)計(jì)使得在高壓應(yīng)用中,芯片能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行,為電路的安全性和穩(wěn)定性提供了保障。同時(shí),它還能耐受負(fù)瞬態(tài)電壓,具備出色的dV/dt免疫能力,有效避免了電壓突變對芯片造成的損害。

2.2 電壓參數(shù)優(yōu)越

  • 柵極驅(qū)動(dòng)電源范圍:為10V至20V,這一較寬的電源范圍能夠滿足不同應(yīng)用場景的需求。無論是對電壓要求較低的小型設(shè)備,還是對電壓要求較高的大型工業(yè)設(shè)備,都能找到合適的電源配置。
  • 邏輯電源兼容性:邏輯電源電壓范圍為3.3V至20V,且邏輯與功率地之間允許±5V的偏移。這使得芯片在不同的邏輯電平系統(tǒng)中都能穩(wěn)定工作,增強(qiáng)了芯片的通用性。
  • 欠壓鎖定功能:兩個(gè)通道都具備欠壓鎖定功能,當(dāng)電源電壓低于設(shè)定閾值時(shí),芯片會(huì)自動(dòng)鎖定,防止在低電壓下誤操作,保護(hù)芯片和其他電路元件的安全。

2.3 邏輯特性出色

  • 邏輯兼容性:支持3.3V邏輯,采用CMOS施密特觸發(fā)輸入并帶有下拉電阻,確保了輸入信號(hào)的穩(wěn)定性和可靠性。即使在復(fù)雜的電磁環(huán)境下,也能準(zhǔn)確識(shí)別輸入信號(hào),避免誤觸發(fā)。
  • 關(guān)斷邏輯:具備逐周期邊沿觸發(fā)的關(guān)斷邏輯,能夠快速響應(yīng)關(guān)斷信號(hào),及時(shí)切斷電路,提高了電路的安全性。
  • 傳播延遲匹配:兩個(gè)通道的傳播延遲匹配,輸出與輸入同相。這使得在高頻應(yīng)用中,能夠有效減少信號(hào)失真和延遲,提高電路的工作效率。

2.4 環(huán)保特性

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),這意味著芯片在生產(chǎn)和使用過程中,對環(huán)境的污染較小,符合現(xiàn)代環(huán)保要求。

三、產(chǎn)品參數(shù)詳解

3.1 產(chǎn)品概要參數(shù)

參數(shù) 詳情
VOFFSET(IRS2110) 500V max.
VOFFSET(IRS2113) 600V max.
IO+/- 2A/2A
VOUT 10V - 20V
ton/off (typ.) 130 ns & 120 ns
Delay Matching (IRS2110) 10 ns max.
Delay Matching (IRS2113) 20 ns max.

這些參數(shù)明確了芯片的工作電壓范圍、輸出電流能力以及開關(guān)時(shí)間等關(guān)鍵性能指標(biāo)。例如,IO+/-為2A/2A表明芯片具有較強(qiáng)的輸出驅(qū)動(dòng)能力,能夠快速驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT;而較短的開關(guān)時(shí)間(ton/off)則適合高頻應(yīng)用。

3.2 絕對最大額定值

符號(hào) 定義 最小值 最大值 單位
VB 高端浮動(dòng)電源電壓(IRS2110) -0.3 520(Note 1) V
VB 高端浮動(dòng)電源電壓(IRS2113) -0.3 620(Note 1) V
VS 高端浮動(dòng)電源偏移電壓 VB - 20 VB + 0.3 V
VHO 高端浮動(dòng)輸出電壓 VS - 0.3 VB + 0.3 V
VCC 低端固定電源電壓 -0.3 20(Note 1) V
VLO 低端輸出電壓 -0.3 VCC + 0.3 V
VDD 邏輯電源電壓 -0.3 VSS +20(Note 1) V
VSS 邏輯電源偏移電壓 VCC - 20 VCC + 0.3 V
VIN 邏輯輸入電壓(HIN, LIN, & SD VSS - 0.3 VDD + 0.3 V
dVs/dt 允許的偏移電源電壓瞬變 - 50 V/ns
PD 封裝功率耗散 @ TA ≤ +25 °C(14 lead DIP) - 1.6 W
PD 封裝功率耗散 @ TA ≤ +25 °C(16 lead SOIC) - 1.25 W
RTHJA 熱阻,結(jié)到環(huán)境(14 lead DIP) - 75 °C/W
RTHJA 熱阻,結(jié)到環(huán)境(16 lead SOIC) - 100 °C/W
TJ 結(jié)溫 - 150 °C
TS 存儲(chǔ)溫度 -55 150 °C
TL 引腳溫度(焊接,10秒) - 300 °C

Note 1指出所有電源在25V時(shí)進(jìn)行全面測試,并且每個(gè)電源都有內(nèi)部20V鉗位。這些絕對最大額定值為我們在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了安全范圍,避免因電壓、電流等參數(shù)超出芯片承受能力而導(dǎo)致芯片損壞。工程師在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí),必須嚴(yán)格遵循這些參數(shù)限制。

3.3 推薦工作條件

在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保芯片的性能和穩(wěn)定性,應(yīng)在推薦工作條件下使用。例如,VCC(低端固定電源電壓)的推薦范圍為10V至20V,環(huán)境溫度TA為 -40°C至125°C。如果超出這些范圍,芯片的性能可能會(huì)受到影響,甚至出現(xiàn)不穩(wěn)定或損壞的情況。

3.4 動(dòng)態(tài)和靜態(tài)電氣特性

動(dòng)態(tài)電氣特性包括導(dǎo)通和關(guān)斷傳播延遲、上升和下降時(shí)間等。例如,典型的導(dǎo)通傳播延遲(ton)為130ns,關(guān)斷傳播延遲(toff)為120ns。這些參數(shù)反映了芯片在開關(guān)過程中的響應(yīng)速度,對于高頻應(yīng)用非常重要。靜態(tài)電氣特性則涉及邏輯輸入輸出電壓、靜止電源電流等。例如,邏輯“1”輸入電壓(VIH)最小值為9.5V,邏輯“0”輸入電壓(VIL)最大值為6.0V。這些參數(shù)有助于我們確定芯片在不同邏輯狀態(tài)下的工作特性。

四、封裝形式與引腳定義

4.1 封裝形式

  • 14 - Lead PDIP:適用于IRS2110和IRS2113,具有較好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性,適合一些對穩(wěn)定性要求較高的應(yīng)用場景。
  • 16 - Lead PDIP(w/o leads 4 & 5):IRS2110 - 2和IRS2113 - 2采用這種封裝,在引腳布局上進(jìn)行了優(yōu)化,以滿足特定的電路設(shè)計(jì)需求。
  • 14 - Lead PDIP(w/o lead 4):IRS2110 - 1和IRS2113 - 1使用該封裝,同樣是為了適應(yīng)不同的設(shè)計(jì)要求。
  • 16 - Lead SOIC:IRS2110S和IRS2113S采用這種封裝,體積較小,適合對空間要求較高的應(yīng)用。

4.2 引腳定義

符號(hào) 描述
VDD 邏輯電源
HIN 高端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出(HO)的邏輯輸入,同相
SD 關(guān)斷邏輯輸入
LIN 低端柵極驅(qū)動(dòng)器輸出(LO)的邏輯輸入,同相
VSS 邏輯地
VB 高端浮動(dòng)電源
HO 高端柵極驅(qū)動(dòng)輸出
VS 高端浮動(dòng)電源返回
VCC 低端電源
LO 低端柵極驅(qū)動(dòng)輸出
COM 低端返回

正確理解引腳定義是進(jìn)行電路連接和設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,我們需要根據(jù)引腳的功能和特性,合理連接各個(gè)引腳,確保芯片能夠正常工作。

五、應(yīng)用注意事項(xiàng)

5.1 典型連接

在典型連接圖中,展示了芯片各個(gè)引腳與其他電路元件的電氣連接方式。需要注意的是,這只是一個(gè)基本的連接示例,實(shí)際應(yīng)用中還需要根據(jù)具體的電路要求進(jìn)行調(diào)整。在進(jìn)行電路連接時(shí),務(wù)必參考引腳分配表,確保正確的引腳配置。

5.2 電路板布局

電路板布局對于芯片的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。合理的布局可以減少干擾,提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。在進(jìn)行電路板布局時(shí),應(yīng)參考應(yīng)用筆記和設(shè)計(jì)提示,注意電源線路的布線、信號(hào)線路的隔離等問題。

六、總結(jié)

IRS2110和IRS2113系列芯片以其出色的性能、豐富的功能和多樣的封裝形式,為功率MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)提供了優(yōu)秀的解決方案。無論是在高端的工業(yè)設(shè)備中,還是在小型的電子產(chǎn)品里,都能發(fā)揮出其獨(dú)特的優(yōu)勢。作為電子工程師,在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí),我們需要充分了解芯片的特性和參數(shù),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用需求,合理選擇和使用芯片,以達(dá)到最佳的設(shè)計(jì)效果。希望通過本文的介紹,能夠幫助大家更好地掌握這兩款芯片的應(yīng)用,在電子設(shè)計(jì)的道路上取得更好的成果。大家在使用這兩款芯片的過程中,有沒有遇到過什么特別的問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。

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