深入解析 onsemi FCA47N60 與 FCA47N60 - F109 MOSFET

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其性能直接影響到各類電源電路的效率和穩(wěn)定性。今天我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的 FCA47N60 和 FCA47N60 - F109 這兩款 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

FCA47N60 和 FCA47N60 - F109 屬于 onsemi 的 SUPERFET 系列，這是該公司第一代高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 家族產(chǎn)品。它們運用了電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種技術(shù)能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量，因此非常適合用于功率因數(shù)校正（PFC）、服務(wù)器/電信電源、平板電視電源、ATX 電源和工業(yè)電源等開關(guān)電源應(yīng)用。

產(chǎn)品特性

• 高耐壓能力：在 (T_{J}=150^{circ}C) 時，可承受 650V 的電壓，展現(xiàn)出良好的耐壓性能，能適應(yīng)多種高壓應(yīng)用場景。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的 (R_{DS(on)}) 為 58mΩ，低導(dǎo)通電阻意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下，MOSFET 的功率損耗更小，有助于提高電源效率。
• 超低柵極電荷：典型的 (Q_{g}=210nC)，低柵極電荷可以減少開關(guān)過程中的驅(qū)動損耗，提高開關(guān)速度。
• 低有效輸出電容：典型的 (C_{oss(eff.)}=420pF)，低輸出電容能夠降低開關(guān)過程中的能量損耗，提升開關(guān)性能。
• 100% 雪崩測試：經(jīng)過 100% 的雪崩測試，保證了產(chǎn)品在雪崩情況下的可靠性，增強(qiáng)了產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性。

應(yīng)用領(lǐng)域

這兩款 MOSFET 的應(yīng)用范圍廣泛，尤其適用于太陽能逆變器和 AC - DC 電源供應(yīng)等領(lǐng)域。在太陽能逆變器中，需要高效的功率轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的開關(guān)性能，F(xiàn)CA47N60 和 FCA47N60 - F109 的低損耗和高可靠性能夠很好地滿足這些需求。在 AC - DC 電源供應(yīng)中，它們可以提高電源的效率和穩(wěn)定性，降低能源損耗。

關(guān)鍵參數(shù)

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

電氣特性

在 (T_{C}=25^{circ}C) 的條件下，這些 MOSFET 具有以下典型電氣特性：

• 漏源擊穿電壓：(B{V DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A)，(T{J}=25^{circ}C) 時，體現(xiàn)出穩(wěn)定的擊穿特性。
• 柵極閾值電壓：(V{GS(th)}) 在 (V{DS}=V{GS})，(I{D}=250mu A) 時，范圍為 3.0 - 5.0V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：(R_{DS(on)}) 典型值為 0.058Ω，低導(dǎo)通電阻有助于降低功率損耗。

動態(tài)特性

• 輸入電容：(C{iss}) 在 (V{DS}=25V)，(V_{GS}=0V)，(f = 1.0MHz) 時，范圍為 5900 - 8000pF。
• 輸出電容：(C{oss}) 在不同電壓下有不同的值，如 (V{DS}=25V) 時，范圍為 3200 - 4200pF；(V_{DS}=480V) 時，為 160pF。
• 反向傳輸電容：(C_{rss}) 為 250pF。

開關(guān)特性

• 導(dǎo)通延遲時間：在 (V{DD}=300V)，(I{D}=47A)，(R_{G}=25Omega) 條件下，范圍為 185 - 430ns。
• 導(dǎo)通上升時間：典型值為 450ns。
• 關(guān)斷延遲時間：范圍為 520 - 1100ns。

封裝與訂購信息

這兩款產(chǎn)品采用 TO - 3P - 3LD 封裝，每管 450 個。其中 FCA47N60 - F109 為無鉛版本。

總結(jié)

onsemi 的 FCA47N60 和 FCA47N60 - F109 MOSFET 以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用范圍，為電子工程師在開關(guān)電源設(shè)計中提供了一個優(yōu)秀的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的電路要求，合理選擇合適的 MOSFET，并注意其工作條件和參數(shù)限制，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。大家在設(shè)計過程中是否遇到過類似 MOSFET 的選型難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。