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低電壓三重?zé)岵灏慰刂破?電源排序器/電壓跟蹤器:MAX5930的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

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低電壓三重?zé)岵灏?a target="_blank">控制器/電源排序器/電壓跟蹤器:MAX5930/MAX5931的應(yīng)用與設(shè)計(jì)

在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,熱插拔功能對(duì)于提高系統(tǒng)的可維護(hù)性和可靠性至關(guān)重要。今天我們將深入探討MAXIM公司的低電壓三重?zé)岵灏慰刂破?電源排序器/電壓跟蹤器——MAX5930/MAX5931,看看它如何為多電源系統(tǒng)提供全面的保護(hù)。

文件下載:MAX5930.pdf

一、產(chǎn)品概述

MAX5930/MAX5931是適用于+1V至+13.2V電源的三重?zé)岵灏慰刂破鳎転槎嚯娫聪到y(tǒng)提供完備保護(hù),允許電路板安全地插入和拔出帶電背板。只要有一個(gè)電源電壓達(dá)到或高于+2.7V,且僅有一個(gè)電源電壓高于11V,該設(shè)備就能對(duì)+1V至+13.2V的多個(gè)電源進(jìn)行熱插拔操作。輸入電壓軌(通道)可配置為順序開關(guān)、相互跟蹤或完全獨(dú)立運(yùn)行。

二、產(chǎn)品特性亮點(diǎn)

2.1 安全熱插拔

支持+1V至+13.2V電源的安全熱插拔,前提是(V{IN}geq2.7V)且僅一個(gè)(V{IN}>11.0V),有效避免了因插拔電路板時(shí)產(chǎn)生的高浪涌電流對(duì)連接器和組件造成損壞,或?qū)е卤嘲咫娫此查g崩潰。

2.2 可調(diào)節(jié)參數(shù)

  • 斷路器/電流限制閾值:可在25mV至100mV之間調(diào)節(jié),設(shè)計(jì)者能根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求靈活設(shè)置電流限制,提高系統(tǒng)的適應(yīng)性。
  • 啟動(dòng)定時(shí)器:通過連接從TIM到GND的電阻(RTIM),可將啟動(dòng)周期從0.4ms調(diào)整到50ms,默認(rèn)值為9ms,方便根據(jù)MOSFET柵極電容和電路板電容進(jìn)行定制。

    2.3 多種工作模式

    提供可配置的跟蹤、排序或獨(dú)立操作模式,滿足不同系統(tǒng)的電源管理需求。

    2.4 故障保護(hù)機(jī)制

    采用VariableSpeed/BiLevel電路斷路器響應(yīng),內(nèi)部電荷泵生成N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng),在啟動(dòng)時(shí)調(diào)節(jié)浪涌電流,具備自動(dòng)重試或鎖存故障管理功能,確保系統(tǒng)在故障發(fā)生時(shí)能做出及時(shí)有效的響應(yīng)。

    2.5 狀態(tài)輸出指示

    狀態(tài)輸出(STAT_)能指示故障/安全狀態(tài),方便工程師實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)運(yùn)行狀況。

三、工作模式詳解

3.1 電壓跟蹤模式

將MODE引腳連接到高電平可進(jìn)入此模式。在此模式下,所有通道會(huì)一起開啟和關(guān)閉。要開啟所有通道,需滿足至少一個(gè)(V{IN})超過(V{UVLO})(2.45V)達(dá)(t{D,UVLO})(37.5ms)、所有(V{IN})超過(V{PWRRDY})(0.95V)、所有(V{ON})超過(V_{ON,TH})(0.875V)且無故障等條件。若不滿足這些條件,所有通道將關(guān)閉。故障鎖存關(guān)閉后,循環(huán)任何(ON)引腳可解鎖并重啟所有通道。

3.2 電源排序模式

將MODE引腳浮空可進(jìn)入此模式。該模式下,MAX5930/MAX5931會(huì)根據(jù)相應(yīng)(V{ON})的狀態(tài)開啟和關(guān)閉每個(gè)通道。開啟給定通道的條件與電壓跟蹤模式類似。若不滿足條件,所有通道將關(guān)閉。故障鎖存關(guān)閉后,循環(huán)任何(ON)引腳可解鎖并重啟所有通道,具體取決于相應(yīng)(V{ON})的狀態(tài)。

3.3 獨(dú)立模式

將MODE引腳連接到GND可進(jìn)入獨(dú)立模式。在此模式下,MAX5930/MAX5931為每個(gè)通道提供完全獨(dú)立的控制。開啟給定通道需滿足至少一個(gè)(V{IN})超過(V{UVLO})(2.45V)達(dá)(t{D,UVLO})、相應(yīng)(V{IN})超過(V{PWRRDY})(0.95V)、相應(yīng)(V{ON})超過(V_{ON,TH})(0.875V)等條件。若不滿足條件,相應(yīng)通道將關(guān)閉。故障發(fā)生時(shí),僅受影響的通道會(huì)被禁用。故障鎖存關(guān)閉后,循環(huán)相應(yīng)(ON)輸入可解鎖并重啟相應(yīng)通道。

四、啟動(dòng)周期與電流限制

4.1 啟動(dòng)周期

啟動(dòng)周期((t{START}))可通過(R{TIM})在0.4ms至51ms之間調(diào)整,默認(rèn)值為9ms(TIM浮空時(shí))。啟動(dòng)周期從滿足開啟條件開始,且設(shè)備未鎖存或處于自動(dòng)重試延遲期間。

4.2 電流限制

在啟動(dòng)期間,若發(fā)生過流故障,MAX5930/MAX5931會(huì)限制負(fù)載電流,而非完全關(guān)閉外部MOSFET。啟動(dòng)期間,慢比較器禁用,負(fù)載電流可通過兩種方式限制:一是通過限制MOSFET柵極充電電流緩慢增強(qiáng)MOSFET;二是限制外部電流檢測(cè)電阻兩端的電壓。啟動(dòng)期間,柵極驅(qū)動(dòng)電流限制為100μA,并隨柵極電壓升高而減小。若快速比較器檢測(cè)到過流,MAX5930/MAX5931會(huì)調(diào)節(jié)柵極電壓,確保檢測(cè)電阻兩端的電壓不超過(V_{SU,TH}),從而有效調(diào)節(jié)啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。

五、故障保護(hù)機(jī)制

5.1 VariableSpeed/BiLevel故障保護(hù)

該保護(hù)機(jī)制采用具有不同閾值和響應(yīng)時(shí)間的比較器來監(jiān)測(cè)負(fù)載電流。啟動(dòng)期間,通過限制負(fù)載電流提供保護(hù);正常運(yùn)行時(shí)(啟動(dòng)周期結(jié)束后),響應(yīng)故障條件時(shí),通過強(qiáng)大的3mA/50mA下拉電流放電MOSFET柵極提供保護(hù)。故障發(fā)生后,STAT_輸出會(huì)被置為無效??墒褂肔ATCH輸入控制STAT_輸出是鎖存關(guān)閉還是自動(dòng)重試。

5.2 慢比較器

啟動(dòng)期間禁用,允許設(shè)備忽略插入電路板時(shí)高于正常的浪涌電流。啟動(dòng)周期結(jié)束后,慢比較器啟用,進(jìn)入正常運(yùn)行。比較器閾值電壓((V_{SC,TH}))可在25mV至100mV之間調(diào)節(jié),響應(yīng)時(shí)間隨過驅(qū)動(dòng)電壓變化,可忽略低幅度的瞬間干擾,提高系統(tǒng)抗噪能力。長(zhǎng)時(shí)間過流后,會(huì)產(chǎn)生故障,STAT_輸出無效,MOSFET柵極通過3mA下拉電流放電。

5.3 快比較器

啟動(dòng)期間,調(diào)節(jié)柵極電壓,確保檢測(cè)電阻兩端的電壓不超過啟動(dòng)快速比較器閾值電壓((V{SU,TH})),(V{SU,TH})為慢比較器閾值的兩倍。正常運(yùn)行時(shí),若負(fù)載電流達(dá)到快速比較器閾值,會(huì)產(chǎn)生故障,STAT_輸出無效,MOSFET柵極通過50mA下拉電流放電,響應(yīng)時(shí)間為200ns。

六、欠壓鎖定(UVLO)

UVLO可防止MAX5930/MAX5931在一個(gè)輸入電壓超過(V{UVLO})(2.45V)達(dá)(t{D,UVLO})之前開啟外部MOSFET。設(shè)備使用最高輸入電壓軌的電源為電荷泵供電,最高(V{IN})通過BIAS引腳輸出。UVLO可保護(hù)外部MOSFET免受不足的柵極驅(qū)動(dòng)電壓影響,(t{D,UVLO})確保電路板完全插入背板且輸入電壓穩(wěn)定。設(shè)備還包含UVLO干擾濾波器((t_{D,GF})),可拒絕所有輸入電壓噪聲和瞬變。

七、故障管理與狀態(tài)輸出

7.1 鎖存和自動(dòng)重試故障管理

MAX5930可配置為鎖存外部MOSFET關(guān)閉或自動(dòng)重試。將(ON)引腳拉低至0.875V以下至少100μs可清除MAX5930/MAX5931(LATCH = FLOAT)的故障并重新啟動(dòng)啟動(dòng)周期。MAX5930/MAX5931(LATCH = GND)在檢測(cè)到過流故障時(shí)關(guān)閉外部MOSFET,然后在內(nèi)部設(shè)置的自動(dòng)重試延遲(64倍(t_{START}))后自動(dòng)重啟。

7.2 狀態(tài)輸出(STAT_)

狀態(tài)輸出(STAT)為開漏輸出,熱插拔成功且(t{START})結(jié)束后有效。若(ON)為低電平或通道因任何故障條件關(guān)閉,STAT_將無效。MAX5930可使用POL選擇STAT_輸出的極性。

八、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

8.1 組件選擇

  • N溝道MOSFET:根據(jù)應(yīng)用的電流水平選擇,MOSFET的導(dǎo)通電阻((R_{DS(ON)}))應(yīng)足夠低,以在滿載時(shí)實(shí)現(xiàn)最小電壓降,限制MOSFET功耗。需考慮設(shè)備在啟動(dòng)和自動(dòng)重試模式下的短路情況,確定設(shè)備的功率額定值。
  • 檢測(cè)電阻:慢比較器閾值電壓可在25mV至100mV之間調(diào)節(jié),應(yīng)選擇能在高于最大正常工作電流的電流水平下產(chǎn)生等于慢比較器閾值電壓的壓降的檢測(cè)電阻。通常,過載電流設(shè)置為滿載電流的1.2至1.5倍??焖俦容^器閾值在正常工作模式下為慢比較器閾值的兩倍。檢測(cè)電阻的功率額定值應(yīng)大于或等于(2 × (I{OVERLOAD}) × V{SC,TH})。

    8.2 啟動(dòng)周期設(shè)置

    啟動(dòng)周期((t{START}))可通過連接從TIM到GND的電阻((R{TIM}))在0.4ms至50ms之間調(diào)節(jié),(R{TIM})必須在4kΩ至500kΩ之間。默認(rèn)啟動(dòng)周期為9ms(TIM浮空時(shí)),可根據(jù)以下公式計(jì)算(R{TIM}): [R{TIM}=frac{t{START}}{128 × 800 pF}]

    8.3 啟動(dòng)序列

    有兩種啟動(dòng)方式:

  • 緩慢開啟(無電流限制):當(dāng)電路板電容((C_{BOARD}))較小時(shí),浪涌電流低;或當(dāng)柵極電容較高時(shí),MOSFET開啟緩慢。開啟時(shí)間僅由增強(qiáng)MOSFET所需的電荷決定,100μA的小柵極充電電流有效限制了輸出電壓的(dV/dt)。連接外部電容可延長(zhǎng)開啟時(shí)間。
  • 快速開啟(有電流限制):當(dāng)電路板電容((C{BOARD}))較高時(shí),浪涌電流會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)電阻兩端的電壓降超過啟動(dòng)快速比較器閾值。快速比較器將檢測(cè)電阻兩端的電壓調(diào)節(jié)到(V{FC,TH}),有效調(diào)節(jié)啟動(dòng)時(shí)的浪涌電流。

    8.4 布局考慮

    為充分利用開關(guān)對(duì)輸出故障條件的響應(yīng)時(shí)間,應(yīng)盡量縮短所有走線長(zhǎng)度,增大高電流走線尺寸,以減少寄生電感的影響。將MAX5930/MAX5931放置在靠近電路板連接器的位置,使用接地平面以最小化阻抗和電感。最小化電流檢測(cè)電阻的走線長(zhǎng)度(<10mm),并使用開爾文連接確保準(zhǔn)確的電流檢測(cè)。

MAX5930/MAX5931以其豐富的功能和靈活的配置,為多電源系統(tǒng)的熱插拔應(yīng)用提供了可靠的解決方案。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師們需根據(jù)具體應(yīng)用需求,合理選擇組件、設(shè)置參數(shù),并注意布局布線,以充分發(fā)揮該產(chǎn)品的性能優(yōu)勢(shì)。你在使用類似熱插拔控制器時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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